HS-OP470ARH
1998年2月
抗辐射，极低噪声
四通道运算放大器器
描述
该HS- OP470ARH是抗辐射的，单芯片4通道
运算放大器连接器，可提供高度可靠的性能
在恶劣的辐射环境。其出色的噪音characteris-
抽动再加上动态连接特定的阳离子的独特阵列
使此扩增fi er非常适合于多种卫星系统
应用程序。介质隔离，双极性处理使得
该器件不受单粒子闩锁。
在HS- OP470ARH表示偏移电压几乎没有变化
暴露于100K的RAD （Si）的γ射线，只有一个后
轻微的电流增加。除了这些特定网络阳离子
是超过40KV / V的后辐射开环增益。
这四通道运算放大器儿可在一个行业
标准引脚，允许直接互换
与大多数其他四通道运算放大器器。
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。
订货时SMD号码必须使用。
详细的电气连接特定的阳离子此载
在SMD 5962-98533 。 “热链路”被设置在我们的
主页与下载说明。
http://www.Intersil.com/data/sm/index.htm
特点
符合MIL -PRF- 38535 QML要求QUALI网络版
辐射环境
- 总剂量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1× 10
5
Rad公司（SI ）
- 低噪声
- 在1kHz 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.3nV / √Hz的（典型值）
- 在1kHz 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0.6pA / √Hz的（典型值）
低失调电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.1mV （最大值）
高转换率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.7V / μs的（最小）
增益带宽积。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.0MHz （典型值）
应用
高Q，有源滤波器
稳压器
集成
信号发生器
电压参考
空间环境
订购信息
SMD零件编号
5962R9853301VXC
不适用
INTERSIL部件编号
HS9-OP470ARH-Q
HS9-OP470ARH/Sample
TEMP 。 RANGE （
o
C)
-55至125
25
包
14 Ld的扁平
14 Ld的扁平
案例外形
CDFP3-F14
CDFP3-F14
引脚
HS- OP470ARH （ FLATPACK ）
顶视图
出1
-IN1
+IN1
V+
+IN2
-IN2
输出2
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
出4
-IN4
+IN4
V-
+IN3
-IN3
OUT 3
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
网络文件编号
4471
1
HS-OP470ARH
金属掩模布局
DIE尺寸：
95密耳X 99密耳×19密耳
±1
米尔
（ 2420μm X 2530μm X 483μm
±25.4m)
金属化：
牌号的Al ， 1 ％的Cu
厚度： 16K
±2k
衬底电位（电） ：
持平
背面表面处理：
硅
+IN2
V+
钝化：
类型：氮化物（ SI3N4 ）在二氧化硅层（ SIO2 ， 5 ％磷酸）。
二氧化硅层厚度： 12K
±2k
氮化物厚度： 3.5K
±1.5k
最坏情况下的电流密度：
<2.0 ×10
5
A /厘米
2
晶体管数量：
175
过程：
双极电介质隔离
+IN1
-IN2
-IN1
OUT2
OUT3
OUT1
OUT4
-IN3
-IN4
+IN3
V-
+IN4
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ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
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