HS- 0508RH ， HS- 0509RH
数据表
1999年8月
网络文件编号
3977.2
抗辐射单8 /差异
4通道CMOS模拟多路复用器
这些抗辐射的单片CMOS多路复用器
每一个都包括八个模拟开关阵列，数字
用于信道选择，对于一个参考电压译码电路
逻辑阈值，和一个使能输入设备选择
当几个多路复用器都存在。
在制造中使用的介质隔离（ DI）的工艺
这些器件消除了闩锁效应的问题。另外， DI
提供更低的衬底漏电和寄生
电容比传统的结隔离的CMOS 。
开关是保证先开后合作，这样两个
频道从不短接在一起。开关
阈值对每一个数字输入是由一个内部建立
+ 5V的参考，用于提供保证的最低2.4V
逻辑“1”，最大0.8为逻辑“0”。这允许直接
没有上拉电阻的信号从大多数逻辑接口
家族： CMOS ，TTL， DTL和一些PMOS 。保护
对暂态过电压，数字输入包括
串联200Ω电阻和二极管钳位到每个供应。该
HS- 0508RH是一个8通道单端多路转换器，
和HS- 0509RH是一个4信道的差分版本。如果
需要输入过压保护，在HS- 0548RH和
HS- 0549RH多路复用器建议。
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。该
订货时这里列出SMD号码必须使用。
详细的电气特定网络连接的阳离子为这些设备是
载于SMD 5962-95692 。 “热链接”提供
我们的网页上下载。
http://www.intersil.com/spacedefense/space.htm
特点
电筛选，以SMD ＃ 5962-95692
符合MIL -PRF- 38535 QML要求QUALI网络版
伽马剂量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1× 10
4
Rad公司（SI ）
无闩锁
无渠道互动中的过电压
低导通电阻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <200Ω （典型值）
44V最大供电
先开后使开关
模拟信号范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±15V
访问时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <300ns （典型值）
应用
数据采集系统
控制系统
遥测
订购信息
订购数量
5962D9569201VEA
5962D9569201VEC
5962D9569202VEA
5962D9569202VEC
国内
MKT 。 NUMBER
HS1-0508RH-Q
HS1B-0508RH-Q
HS1-0509RH-Q
HS1B-0509RH-Q
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
引脚配置
HS- 0508RH GDIP1 -T16 （ CERDIP ）
或CDIP2 - T16 （ SBDIP ）
顶视图
HS- 0509RH GDIP1 -T16 （ CERDIP ）
或CDIP2 - T16 （ SBDIP ）
顶视图
A0 1
启用2
-VSUPPLY 3
IN 1 4
在2 5
在3 6
在4 7
OUT 8
16 A1
15 A2
14 GND
13 + VSUPPLY
12年5
11 6
10年7
9 8
A0 1
启用2
-VSUPPLY 3
在1A 4
在2A 5
在3A 6
在4A 7
OUTA 8
16 A1
15 GND
14 + VSUPPLY
13 1B
12年2B
11 3B
10 4B
9 OUT B
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
HS- 0508RH ， HS- 0509RH
老化/寿命测试电路
V1
F0
F3
V1
D1
C1
5
6
R1
7
8
12
D2
11
10
9
R1
C2
6
7
8
11
10
9
1
2
3
4
16
15
14
13
V2
D1
C1
5
12
D2
C2
F1
F2
V2
1
2
3
4
16
15
14
13
V3
HS-0508RH
动态BURN -IN和寿命测试电路
V1 =
V2 =
R1 =
C1 =
D1 =
F0 =
F1 =
F2 =
F3 =
最大-15V ， -16V最低
+ 15V最小， + 16V最大
10k
±5%
1/4W
C2 = 0.01μF最低（每插槽）或0.1μF最低（每行）
D2 = 1N4002 （或同等学历）
100kHz的50％的占空比; VIL = 0.8V最大值; VIH = 4.0V分钟。
F0/2
F1/2
F2/2
V1 =
V2 =
V3 =
R1 =
C1 =
D1 =
HS-0508RH
静态BURN- IN测试电路
最小5V ，6V最大
最大-15V ， -16V最低
+ 15V最小， + 16V最大
10k
±5%
1/4W
C2 = 0.01μF最低（每插槽）或0.1μF最低（每行）
D2 = 1N4002 （或同等学历）
F0
F2
V3
D1
C1
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
F1
1
2
V2
V3
D1
C1
3
4
16
15
14
13
V1
V2
D1
C1
D1
12
11
10
9
R1
C1
5
6
7
8
12
11
10
9
R1
R1
R1
HS-0509RH
动态BURN -IN和寿命测试电路
V2 =
V3 =
R1 =
C1 =
D1 =
F0 =
+15.5V,
±.0.5V
-15.5V,
±0.5V
10k,
±5%
0.1μF最低（每插槽）
1N4002或同等学历（每板）
100kHz,
±10%;
F1 = F0 / 2 ; F2 = F1 / 2 ，占空比为50％ ，
VIL = 0.8V最大值; VIH = 4.0V分钟。
V1 =
V2 =
V3 =
R1 =
C1 =
D1 =
HS-0509RH
静态BURN- IN测试电路
+5.5V,
±0.5V
+15.5V,
±0.5V
-15.5V,
±0.5V
10k,
±10%
0.1μF最低（每插槽）
1N4002或同等学历（每板）
4
QQ：2880707522 复制
