HS- 2620RH ， HS- 2622RH
数据表
1999年8月
网络文件编号
4014.1
抗辐射，非常宽带，高
输入阻抗未补偿
运算放大器连接器
HS- 2620RH和HS- 2622RH是抗辐射双极
运算放大器连接器的特点是拥有极高的输入阻抗
再加上宽带的AC性能。高电阻
输入级由低偏移电压的补充（ 4mV的
最高25
o
下HS - 2620RH ）和低偏置和失调电流
（ 15nA最大25
o
下HS- 2620RH ），以方便准确
信号处理。偏移电压可以进一步通过减小
是指外部归零电位。闭环增益
大于5时，在25V /μs的最小压摆率，在25
o
C与
为100kV / V最小开环增益为25
o
C，使
HS- 2620RH执行的速度非常快高增益放大，
宽带信号。这些动态特性，耦合
与快速建立时间，使这些放大器非常适合于
脉冲放大设计以及高频或视频
应用程序。放大器的频率响应可以
通过外部的方式针对具体的设计要求
带宽控制电容。其它高性能的设计
如高增益，低失真的音频放大器，高Q值和
宽带有源滤波器和高速比较器
这部分的优异的用途。
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。该
订货时这里列出SMD号码必须使用。
详细的电气特定网络连接的阳离子为这些设备是
载于SMD 5962-95688 。 “热链接”提供
我们的网页上下载。
www.intersil.com/spacedefense/space.asp
特点
电筛选，以SMD ＃ 5962-95688
符合MIL -PRF- 38535 QML要求QUALI网络版
高输入阻抗（ HS- 2620RH ） 。 。 。 。 。 。 。 65MΩ （最小值）
高增益（ HS- 2620RH ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100kV / V（最小值）
150KV / V（典型值）
高转换率（ HS- 2620RH ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25V / μs的（最小）
35V / μs（典型值）
低输入偏置电流（ HS- 2620RH ） 。 。 。 。 。 。 。 15nA （最大）
消耗5nA （典型值）
低输入失调电压（ HS- 2620RH ） 。 。 。 。 。 。 4mV的（最大）
宽增益带宽积（ AV
≥
5）。 。 。 。 。 .100MHz （典型值）
输出短路保护
总剂量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1× 10
4
Rad公司（SI ）
应用
视频和RF放大器器
脉冲放大器器
音频放大器器和过滤器
高Q值有源滤波器
高速比较器
订购信息
订购数量
5962D9568801VGA
5962D9568801VPA
5962D9568801VPC
5962D9568802VGA
5962D9568802VPA
5962D9568802VPC
国内
MKT 。 NUMBER
HS2-2620RH-Q
HS7-2620RH-Q
HS7B-2620RH-Q
HS2-2622RH-Q
HS7-2622RH-Q
HS7B-2622RH-Q
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
引脚配置
HS7-2620RH ， HS7-2622RH （ CERDIP ） GDIP1 -T8
OR
HS7B - 2620RH ， HS7B - 2622RH （ SBDIP ） CDIP2 -T8
顶视图
BAL
-IN
+ IN
V-
1
2
3
4
8
COMP
V+
OUT
BAL
IN-
2
BAL
1
HS2-2620RH ， HS2-2622RH （ CAN） MACY1 - X8
顶视图
COMP
8
7
V+
-
+
7
6
5
-
+
3
4
V-
5
6
OUT
IN +
BAL
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
HS- 2620RH ， HS- 2622RH
测试电路
400
1.6K
ACOUT
+ Vcc的
0.1
100K
1打开
2 S3A
S1
OPEN 2
S2
OPEN 2
100K 2
1
开放
S3B
2
1
1
1
2
1
S7
开放
1
2
500K
DUT
+
OPEN 1
2K
VAC
50
0.1
1
-VEE
x2
5K
2
1
50K
S4
所有电阻=
±1%
()
所有的电容=
±10%
(F)
EOUT
S5B 1
S8
2
10K
开放
3
1
S9
2
V2
卜FF器
50K
50pF的（注）
3
RAL 2
ADJ
FOR环路稳定性，
使用MIN值电容
为了防止振荡
-1/10
V1
-
S5A
1 S6
-
+1
+
-
100
100
注：包括杂散电容。
图1.测试回路的HS- 2620RH和HS- 2622RH
测试电路和波形
VAC IN
+
VAC OUT
1.6K
-
50
50pF
400
图2.简化测试电路
+5.0V
+1.0V
输入
-1.0V
+ SL
-SL
-1.0V
T
SR =
+1.0V
-5.0V
V
T
T
V
产量
V
+5.0V
-5.0V
图3.压摆率波形
VFINAL = + 200mV的
+40mV
输入
0V
t
r
， + OS
t
f
， -OS
-40mV
t
r
t
f
0V
V峰值
90%
产量
10%
0V
90%
-200mV
0V
10%
V峰值
注：在测量正反两方面的转变。电容补偿引脚应最小。
图4.过冲，上升和下降时间波形
2
HS- 2620RH ， HS- 2622RH
老化的电路
HS7-2620RH CERDIP
HS7-2622RH CERDIP
HS2-2620RH （ TO- 99 ）金属罐
HS2-2622RH （ TO- 99 ）金属罐
1
R1
2
3
V-
D2
4
C2
-
+
8
7
6
5
2
C3
C
V+
D1
1
8
7
-
+
3
4
5
6
R1
C2
V-
D2
注意事项：
1， R1 = 1MΩ ，
±5%,
1 / 4W （最小值）
2. C1 = C2 = 0.01μF /插座0.1μF /行（最小值） （最小值）
3， C3 = 0.01μF /插座（ 10 ％ ）
4. D1 = D2 = IN4002或等效/板
5. I（ V + ） - （V - ） I = 31V
±1V
辐照电路
C
1
2
R
3
V2
4
C
5
6
8
C
7
V1
GND
注意事项：
6. V1 = +15V
±10%
7. V2 = -15V
±10%
8. R = 1MΩ
±5%
9. C = 0.1μF
±10%
3
HS- 2620RH ， HS- 2622RH
模具特点
DIE尺寸：
69密耳X 66密耳×19密耳
±1
米尔
1750μm X 1420μm X 483μm
±25.4m
界面材料：
玻璃钝化：
类型：氮化硅（ Si 3 N 4 ）在二氧化硅层（ SIO2 ， 5 ％磷酸）。
二氧化硅层厚度： 12K
±2k
氮化物厚度： 3.5K
±1.5k
顶级金属化：
牌号的Al ， 1 ％的Cu
厚度： 18K
±2k
基材：
线性双极性， DI
背面表面处理：
硅
大会相关信息：
衬底电位
（电） ：
持平
附加信息：
最坏情况下的电流密度：
<2 ×10
5
A /厘米
2
晶体管数量：
HS- 2620RH ： 140
HS- 2622RH ： 140
金属掩模布局
HS- 2620RH ， HS- 2622RH
COMP
V+
BAL
OUT
-IN
+ IN
BAL
V-
Intersil所有半导体产品的制造，组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的半导体产品仅出售描述。 Intersil公司保留在任何时间与 - 进行更改电路设计和/或特定网络阳离子权
出通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
可靠的。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯，可能导致
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅网站
http://www.intersil.com
5
QQ：2880707522 复制
