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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符4型号页 > 首字符4的型号第257页 > 4N32X3-1
4N32X3,-2,-1
4N32-3,-2,-1
低输入电流
PHOTODARLINGTON OPTICALLY
耦合隔离器
认证
l
UL认证，文件号E91231
“X”规格认证
l
VDE 0884 2可用引脚形式： -
- STD
- 摹形
VDE 0884的SMD正在申请审批
l
EN60950批准的SETI ，
寄存器。没有。 157786-18
描述
该4N32-3 ， -2，-1系列的光学耦合
隔离器包含一个红外发光
二极管和NPN硅光电复合了
节省空间的双列直插式塑料封装。
特点
l
选项： -
10毫米铅蔓延 - 部分后加G无。
表面贴装 - 部分后添加SM没有。
Tape&reel - 部分后添加SMT&R没有。
l
低输入电流0.25毫安我
F
l
高CurrentTransfer比率（ 200 ％以上）
l
高隔离电压（ 5.3kV
RMS
,7.5kV
PK
)
l
高BV
首席执行官
（ 55V分）
l
所有电气参数100％测试
l
定制电可用的选项
2.54
6.4
6.2
1.54
8.8
8.4
1
2
3
尺寸（mm）
6
5
4
7.8
7.4
4.3
4.1
0.5
0.3
0.5
3.3
9.6
8.4
绝对最大额定值
（ 25°C除非另有说明）
储存温度
-55 ° C至+ 150°C
工作温度
-55 ° C至+ 100°C
引线焊接温度
（ 1/16英寸（ 1.6毫米）从案例10秒） 260℃
输入二极管
正向电流
反向电压
功耗
80mA
10V
105mW
应用
l
电脑终端机
l
工业系统控制器
l
测量仪器
l
的系统之间的信号传输
不同的潜能和阻抗
OPTIONSM
表面贴装
选项G
输出晶体管
集电极 - 发射极电压BV
首席执行官
发射极 - 集电极电压BV
ECO
功耗
功耗
55V
6V
150mW
5.08
马克斯。
1.2
0.6
1.4
0.9
0.26
10.16
总功耗
250mW
（减免线性3.3mW / ° C以上25 ° C）
10.2
9.5
ISOCOM COMPONENTS LTD
单元25B ，公园景观西路，
公园景工业村，布伦达路
哈特尔浦，克利夫兰， TS25 1YD
联系电话： （ 01429 ） 863609传真： （ 01429 ） 863581
30/7/97
ISOCOM有限公司
720 E. ，公园大道，套房104 ，
普莱诺， TX 75074 USA
联系电话： （ 972 ） 423-5521
传真： （ 972 ） 422-4549
DB91023-AAS/A3
电气特性（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
输入
正向电压（V
F
)
反向电压（V
R
)
反向电流（I
R
)
集电极 - 发射极击穿（ BV
首席执行官
)
集电极 - 基极击穿（ BV
CBO
)
发射极 - 集电极击穿（ BV
ECO
)
集电极 - 发射极暗电流（I
首席执行官
)
电流传输比（ CTR ） （注2
)
4N32-3
最小典型最大单位
1.2
10
10
55
55
6
100
1.4
V
V
A
V
V
V
nA
测试条件
I
F
= 20mA下
I
R
= 10A
V
R
= 10V
I
C
= 1毫安（注2）
I
C
= 100A
I
E
= 100A
V
CE
= 10V
0.25毫安我
F
, 1.0V V
CE
0.5毫安我
F
, 1.0V V
CE
1.0毫安我
F
, 1.0V V
CE
.
0.5毫安我
F
, 1.0V V
CE
1.0毫安我
F
, 1.0V V
CE
.
1.0毫安我
F
, 1.0V V
CE
.
0.25毫安我
F
， 0.5毫安我
C
0.5毫安我
F
， 2毫安我
C
1.0毫安我
F
， 8毫安我
C
（注1 ）
（注1 ）
V
IO
= 500V （注1 ）
V
CE
= 2V ,
I
C
= 10毫安，R
L
= 100
产量
再加
200
400
800
400
800
%
%
%
%
%
%
V
V
V
V
RMS
V
PK
s
s
4N32-2
4N32-1
800
集电极 - 发射极饱和电压-3
-2
-1
输入到输出隔离电压V
ISO
5300
7500
输入输出隔离阻抗R
ISO
5x10
10
输出上升时间Tr
60
输出下降时间tf
53
1.0
1.0
1.0
300
250
注1
注2
测量输入导线短接和输出引线短接在一起。
特殊的选择可根据要求提供。请咨询厂家。
30/7/97
DB91023-AAS/A3
集电极耗散功率与环境温度
200
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
10
150
集电极电流I
C
（MA ）
8
6
4
2
0
-30
0
25
50
75
100
125
0
环境温度T
A
( °C )
正向电流与环境温度
100
80
正向电流I
F
（MA ）
相对电流传输比
1.5
集电极电流主场迎战
集电极 - 发射极电压
I
F
= 1.0毫安
T
A
= 25°C
100
I
F
- 0.5毫安
50
I
F
= 0.25毫安
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压V
CE
( V )
相对电流传输比
- 环境温度
I
F
= 1毫安
V
CE
= 1V
60
1.0
40
0.5
20
0
-30
0
25
50
75
100
125
环境温度T
A
( °C )
集电极 - 发射极饱和
电压与环境温度
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-30
0
25
50
75
100
环境温度T
A
( °C )
0
-30
0
25
50
75
环境温度T
A
( °C )
100
电流传输比与正向电流
1200
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
I
F
= 1毫安
I
C
= 8毫安
电流传输比CTR （ ％ ）
1000
800
600
400
200
0
0.1
0.2
0.5
1
2
正向电流I
F
（MA ）
5
V
CE
= 1V
T
A
= 25 °C
30/7/97
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4N32X3,-2,-1
4N32-3,-2,-1
低输入电流
PHOTODARLINGTON OPTICALLY
耦合隔离器
认证
l
UL认证，文件号E91231
“X”规格认证
l
VDE 0884 2可用引脚形式： -
- STD
- 摹形
VDE 0884的SMD正在申请审批
l
EN60950批准的SETI ，
寄存器。没有。 157786-18
描述
该4N32-3 ， -2，-1系列的光学耦合
隔离器包含一个红外发光
二极管和NPN硅光电复合了
节省空间的双列直插式塑料封装。
特点
l
选项： -
10毫米铅蔓延 - 部分后加G无。
表面贴装 - 部分后添加SM没有。
Tape&reel - 部分后添加SMT&R没有。
l
低输入电流0.25毫安我
F
l
高CurrentTransfer比率（ 200 ％以上）
l
高隔离电压（ 5.3kV
RMS
,7.5kV
PK
)
l
高BV
首席执行官
（ 55V分）
l
所有电气参数100％测试
l
定制电可用的选项
2.54
6.4
6.2
1.54
8.8
8.4
1
2
3
尺寸（mm）
6
5
4
7.8
7.4
4.3
4.1
0.5
0.3
0.5
3.3
9.6
8.4
绝对最大额定值
（ 25°C除非另有说明）
储存温度
-55 ° C至+ 150°C
工作温度
-55 ° C至+ 100°C
引线焊接温度
（ 1/16英寸（ 1.6毫米）从案例10秒） 260℃
输入二极管
正向电流
反向电压
功耗
80mA
10V
105mW
应用
l
电脑终端机
l
工业系统控制器
l
测量仪器
l
的系统之间的信号传输
不同的潜能和阻抗
OPTIONSM
表面贴装
选项G
输出晶体管
集电极 - 发射极电压BV
首席执行官
发射极 - 集电极电压BV
ECO
功耗
功耗
55V
6V
150mW
5.08
马克斯。
1.2
0.6
1.4
0.9
0.26
10.16
总功耗
250mW
（减免线性3.3mW / ° C以上25 ° C）
10.2
9.5
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单元25B ，公园景观西路，
公园景工业村，布伦达路
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传真： （ 972 ） 422-4549
DB91023-AAS/A3
电气特性（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
输入
正向电压（V
F
)
反向电压（V
R
)
反向电流（I
R
)
集电极 - 发射极击穿（ BV
首席执行官
)
集电极 - 基极击穿（ BV
CBO
)
发射极 - 集电极击穿（ BV
ECO
)
集电极 - 发射极暗电流（I
首席执行官
)
电流传输比（ CTR ） （注2
)
4N32-3
最小典型最大单位
1.2
10
10
55
55
6
100
1.4
V
V
A
V
V
V
nA
测试条件
I
F
= 20mA下
I
R
= 10A
V
R
= 10V
I
C
= 1毫安（注2）
I
C
= 100A
I
E
= 100A
V
CE
= 10V
0.25毫安我
F
, 1.0V V
CE
0.5毫安我
F
, 1.0V V
CE
1.0毫安我
F
, 1.0V V
CE
.
0.5毫安我
F
, 1.0V V
CE
1.0毫安我
F
, 1.0V V
CE
.
1.0毫安我
F
, 1.0V V
CE
.
0.25毫安我
F
， 0.5毫安我
C
0.5毫安我
F
， 2毫安我
C
1.0毫安我
F
， 8毫安我
C
（注1 ）
（注1 ）
V
IO
= 500V （注1 ）
V
CE
= 2V ,
I
C
= 10毫安，R
L
= 100
产量
再加
200
400
800
400
800
%
%
%
%
%
%
V
V
V
V
RMS
V
PK
s
s
4N32-2
4N32-1
800
集电极 - 发射极饱和电压-3
-2
-1
输入到输出隔离电压V
ISO
5300
7500
输入输出隔离阻抗R
ISO
5x10
10
输出上升时间Tr
60
输出下降时间tf
53
1.0
1.0
1.0
300
250
注1
注2
测量输入导线短接和输出引线短接在一起。
特殊的选择可根据要求提供。请咨询厂家。
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DB91023-AAS/A3
集电极耗散功率与环境温度
200
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
10
150
集电极电流I
C
（MA ）
8
6
4
2
0
-30
0
25
50
75
100
125
0
环境温度T
A
( °C )
正向电流与环境温度
100
80
正向电流I
F
（MA ）
相对电流传输比
1.5
集电极电流主场迎战
集电极 - 发射极电压
I
F
= 1.0毫安
T
A
= 25°C
100
I
F
- 0.5毫安
50
I
F
= 0.25毫安
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压V
CE
( V )
相对电流传输比
- 环境温度
I
F
= 1毫安
V
CE
= 1V
60
1.0
40
0.5
20
0
-30
0
25
50
75
100
125
环境温度T
A
( °C )
集电极 - 发射极饱和
电压与环境温度
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-30
0
25
50
75
100
环境温度T
A
( °C )
0
-30
0
25
50
75
环境温度T
A
( °C )
100
电流传输比与正向电流
1200
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
I
F
= 1毫安
I
C
= 8毫安
电流传输比CTR （ ％ ）
1000
800
600
400
200
0
0.1
0.2
0.5
1
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正向电流I
F
（MA ）
5
V
CE
= 1V
T
A
= 25 °C
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4613S-102-2222FCD
43650-1100
4.16.10.24.14
400MXR150M25X35
430001
45WR20LFT7
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    HECC GROUP CO，LIMITED
    QQ： 点击这里给我发消息
    电话：755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890
    联系人：Sante Zhang/Mollie
    地址：總部地址：UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址：深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    4N32X3-1
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    -
    -
    终端采购配单精选

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    电话：0755-23063133/23042311
    联系人：谭小姐
    地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    4N32X3-1
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    -
    终端采购配单精选

    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

    4N32X3-1
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    -
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    终端采购配单精选

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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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