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HWD2119
音频功率放大器
350mW的音频功率放大器关断模式
概述
HWD2119
是单声道桥接功率放大器是钙
提供350mW的的pable
RMS
输出功率为16Ω负载
或为300mW
RMS
输出功率为8Ω负载10%
THD + N从一个5V电源。
HWD2119
音频功率放大器设计
特别是
以提供高品质的输出功率和最小化
PCB
与面积贴装封装和最少的
AMOUNT
的外部元件。自从
HWD2119
需要输出耦合电容,自举电容或者
缓冲器网络,它最适合于低功耗por-
表中的应用程序。
在单位增益稳定的闭环响应
HWD2119
可以使用外部增益设置电阻进行配置。该
设备在律师事务所, MSOP封装和SO封装类型
适应各种应用情况。
关键的特定连接的阳离子
n
THD + N 1kHz时, 350mW的连续平均输出
功率为16Ω
的10% (最大)
n
THD + N 1kHz时, 300mW的连续平均输出
功率为8Ω
的10% (最大)
n
关断电流
0.7μA (典型值)
特点
n
n
n
n
律师事务所, SOP , MSOP和表面贴装封装。
开启/关闭点击抑制。
单位增益稳定。
最少的外部元件。
应用
n
通用音频
n
便携式电子设备
n
信息家电( IA )
典型用途
图1.典型的音频放大器应用电路
1
连接图
小外形( SO )封装
SO标记
HWD 2119 M
顶视图
为了NUMER HWD2119M
顶视图
XY - 日期代码
TT - 模具可追溯性
底2号线 - 型号
MSOP标记
微型小外形封装( MSOP )封装
顶视图
订单号
HWD2119MM
顶视图
19 -HWD2119MM
LLP封装
顶视图
订单号
HWD2119LD
1
绝对最大额定值
(注2,3)
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请联系
CSMSC
半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压
储存温度
输入电压
功耗(P
D
) (注4 )
ESD易感性(注5 )
ESD易感性(注6 )
结温(T
J
)
焊接信息(注1 )
小外形封装
气相(60秒)
215C
6.0V
-65 ° C至+ 150°C
-0.3V到V
DD
+0.3V
内部限制
3.5kV
250V
150C
红外(15秒)
热阻
θ
JC
( MSOP )
θ
JA
( MSOP )
θ
JC
( SOP )
θ
JA
( SOP )
θ
JA
( LLP )
θ
JA
( LLP )
220C
56C/W
210C/W
35C/W
170C/W
117C / W(注10 )
150℃/ W(注11 )
工作额定值
(注2,3)
温度范围
T
T
A
T
最大
电源电压
40C
T
A
85C
2.0V
V
CC
5.5V
电气特性V
DD
= 5V
以下规格适用于V
DD
(注2,3)
= 5V ,R
L
= 16Ω ,除非另有说明。限制适用对于T
A
= 25C.
HWD2119
单位
(限量)
毫安(最大)
μA(最大值)
V(分钟)
V(最大值)
毫伏(最大)
mW
mW
%
符号
I
DD
I
SD
V
SDIH
V
SDIL
V
OS
P
O
THD + N
参数
静态电源电流
关断电流
关断电压输入高
关断电压输入低
输出失调电压
输出功率
总谐波失真+噪声
V
IN
= 0V
条件
V
IN
= 0V时,我
o
= 0A
V
PIN1
= V
DD
(注12 )
典型
(注7 )
1.5
1.0
极限
(注8,9)
3.0
5.0
4.0
1.0
5
350
300
1
50
THD = 10 %,F
IN
= 1kHz时
THD = 10 %,F
IN
= 1kHz时,R
L
= 8
P
O
= 270MW
RMS
, A
VD
= 2, f
IN
=
1kHz
电气特性V
DD
= 3V
以下规格适用于V
DD
(注2,3)
= 3V和R
L
= 16Ω负载,除非另有说明。限制适用至T
A
= 25C.
HWD2119
单位
(限量)
毫安(最大)
μA(最大值)
V(分钟)
V(最大值)
mV
mW
mW
%
符号
I
DD
I
SD
V
SDIH
V
SDIL
V
OS
P
O
THD + N
参数
静态电源电流
关断电流
关断电压输入高
关断电压输入低
输出失调电压
输出功率
总谐波失真+噪声
V
IN
= 0V
条件
V
IN
= 0V时,我
o
= 0A
V
PIN1
= V
DD
(注12 )
典型
(注7 )
1.0
0.7
极限
(注8,9)
3.0
5.0
2.4
0.6
5
110
90
1
50
THD = 10 %,F
IN
= 1kHz时
THD = 10 %,F
IN
= 1kHz时,R
L
= 8
P
O
= 80mW的
RMS
, A
VD
= 2, f
IN
=
1kHz
2
电气特性V
DD
= 3V
以下规格适用于V
DD
25℃。 (续)
(注2,3)
= 3V和R
L
= 16Ω负载,除非另有说明。限制适用至T
A
=
注1 :
见AN- 450 “表面贴装及对产品可靠性的影响”为焊接表面的其他方法安装设备。
注2 :
所有电压都相对于该接地引脚测量,除非另有规定。
注3 :
绝对最大额定值
指示超出可能发生损坏设备的限制。
工作额定值
将指示该设备是条件
功能,但不保证特定的性能极限。
电气特性
国家直流和交流的试验条件下的电气规范其
保证特定的性能限制。这是假设该设备在工作额度内。规格不保证在没有极限参数
给出。然而,典型值是设备性能的一个很好指标。
注4 :
最大功耗必须在高温下会减小,由T决定
JMAX
,
θ
JA
和环境温度T
A
。最大
允许功耗为:P
DMAX
= (T
JMAX
–T
A
)/θ
JA
。对于
HWD2119,
T
JMAX
= 150℃,典型的结点至环境热阻( θ
JA
)当板
安装对于MSOP封装和170℃ / W的SOP封装210C / W 。
注5 :
人体模型, 100pF电容通过1.5 kΩ电阻。
注6 :
机器型号, 220PF - 240pF电容通过全部引脚放电。
注7 :
典型的规格是在25°C和指定的参数标准。
注8 :
测试的范围,保证国家的AOQL (平均出厂质量水平) 。
注9 :
数据表中的最小/最大规格限制是由设计,测试或统计分析保证。
注10 :
给定
θ
JA
是的
HWD2119
包与裸露-DAP焊接到印刷电路板的铜垫与等效于一个区域的LDA08B
那裸露-DAP本身。裸露-DAP的LDA08B包应该是电连接到GND或电隔离的铜面积。
注11 :
给定
θ
JA
是的
HWD2119
包与裸露-DAP的LDA08B没有焊接到任何印刷电路板的铜。
注12 :
关断引脚(引脚1 )应该是驱动尽可能接近到V
DD
在关断模式下电流最小。
外部元件描述
组件
1.
2.
R
i
C
i
(图
1)
功能说明
结合有R
f
这反相输入电阻设定的闭环增益。
i
还形成了一个高通滤波器,以
C
i
在f
c
= 1/(2πR
i
C
i
).
该输入耦合电容模块在直流放大器的端子电压。结合有R
i
,它会创建一个
高通滤波器,其中R
i
在f
c
= 1/(2πR
i
C
i
) 。请参考以下部分,
外部元件的正确选择
对于如何确定C的值的说明
i
.
结合有R
i
这是反馈电阻,用于设置闭环增益:甲
v
= 2(R
F
/R
i
).
这是在电源旁路电容器中过滤施加至电源端子的电压。请参阅
应用信息
部分对C的妥善安置和选择
s
.
这是旁路引脚电容是滤波的旁路引脚上的电压。请参考以下部分,
正确
选择外部元件,
信息有关的C妥善安置和选择
B
.
3.
4.
5.
R
f
C
S
C
B
典型性能特性
THD + N与频率
THD + N与频率
3
典型性能特性
THD + N与频率
(续)
THD + N与频率
THD + N与频率
THD + N与频率
THD + N与输出功率
THD + N与输出功率
4
HWD2119
音频功率放大器
350mW的音频功率放大器关断模式
概述
HWD2119
是单声道桥接功率放大器是钙
提供350mW的的pable
RMS
输出功率为16Ω负载
或为300mW
RMS
输出功率为8Ω负载10%
THD + N从一个5V电源。
HWD2119
音频功率放大器设计
特别是
以提供高品质的输出功率和最小化
PCB
与面积贴装封装和最少的
AMOUNT
的外部元件。自从
HWD2119
需要输出耦合电容,自举电容或者
缓冲器网络,它最适合于低功耗por-
表中的应用程序。
在单位增益稳定的闭环响应
HWD2119
可以使用外部增益设置电阻进行配置。该
设备在律师事务所, MSOP封装和SO封装类型
适应各种应用情况。
关键的特定连接的阳离子
n
THD + N 1kHz时, 350mW的连续平均输出
功率为16Ω
的10% (最大)
n
THD + N 1kHz时, 300mW的连续平均输出
功率为8Ω
的10% (最大)
n
关断电流
0.7μA (典型值)
特点
n
n
n
n
律师事务所, SOP , MSOP和表面贴装封装。
开启/关闭点击抑制。
单位增益稳定。
最少的外部元件。
应用
n
通用音频
n
便携式电子设备
n
信息家电( IA )
典型用途
图1.典型的音频放大器应用电路
1
连接图
小外形( SO )封装
SO标记
HWD 2119 M
顶视图
为了NUMER HWD2119M
顶视图
XY - 日期代码
TT - 模具可追溯性
底2号线 - 型号
MSOP标记
微型小外形封装( MSOP )封装
顶视图
订单号
HWD2119MM
顶视图
19 -HWD2119MM
LLP封装
顶视图
订单号
HWD2119LD
1
绝对最大额定值
(注2,3)
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请联系
CSMSC
半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压
储存温度
输入电压
功耗(P
D
) (注4 )
ESD易感性(注5 )
ESD易感性(注6 )
结温(T
J
)
焊接信息(注1 )
小外形封装
气相(60秒)
215C
6.0V
-65 ° C至+ 150°C
-0.3V到V
DD
+0.3V
内部限制
3.5kV
250V
150C
红外(15秒)
热阻
θ
JC
( MSOP )
θ
JA
( MSOP )
θ
JC
( SOP )
θ
JA
( SOP )
θ
JA
( LLP )
θ
JA
( LLP )
220C
56C/W
210C/W
35C/W
170C/W
117C / W(注10 )
150℃/ W(注11 )
工作额定值
(注2,3)
温度范围
T
T
A
T
最大
电源电压
40C
T
A
85C
2.0V
V
CC
5.5V
电气特性V
DD
= 5V
以下规格适用于V
DD
(注2,3)
= 5V ,R
L
= 16Ω ,除非另有说明。限制适用对于T
A
= 25C.
HWD2119
单位
(限量)
毫安(最大)
μA(最大值)
V(分钟)
V(最大值)
毫伏(最大)
mW
mW
%
符号
I
DD
I
SD
V
SDIH
V
SDIL
V
OS
P
O
THD + N
参数
静态电源电流
关断电流
关断电压输入高
关断电压输入低
输出失调电压
输出功率
总谐波失真+噪声
V
IN
= 0V
条件
V
IN
= 0V时,我
o
= 0A
V
PIN1
= V
DD
(注12 )
典型
(注7 )
1.5
1.0
极限
(注8,9)
3.0
5.0
4.0
1.0
5
350
300
1
50
THD = 10 %,F
IN
= 1kHz时
THD = 10 %,F
IN
= 1kHz时,R
L
= 8
P
O
= 270MW
RMS
, A
VD
= 2, f
IN
=
1kHz
电气特性V
DD
= 3V
以下规格适用于V
DD
(注2,3)
= 3V和R
L
= 16Ω负载,除非另有说明。限制适用至T
A
= 25C.
HWD2119
单位
(限量)
毫安(最大)
μA(最大值)
V(分钟)
V(最大值)
mV
mW
mW
%
符号
I
DD
I
SD
V
SDIH
V
SDIL
V
OS
P
O
THD + N
参数
静态电源电流
关断电流
关断电压输入高
关断电压输入低
输出失调电压
输出功率
总谐波失真+噪声
V
IN
= 0V
条件
V
IN
= 0V时,我
o
= 0A
V
PIN1
= V
DD
(注12 )
典型
(注7 )
1.0
0.7
极限
(注8,9)
3.0
5.0
2.4
0.6
5
110
90
1
50
THD = 10 %,F
IN
= 1kHz时
THD = 10 %,F
IN
= 1kHz时,R
L
= 8
P
O
= 80mW的
RMS
, A
VD
= 2, f
IN
=
1kHz
2
电气特性V
DD
= 3V
以下规格适用于V
DD
25℃。 (续)
(注2,3)
= 3V和R
L
= 16Ω负载,除非另有说明。限制适用至T
A
=
注1 :
见AN- 450 “表面贴装及对产品可靠性的影响”为焊接表面的其他方法安装设备。
注2 :
所有电压都相对于该接地引脚测量,除非另有规定。
注3 :
绝对最大额定值
指示超出可能发生损坏设备的限制。
工作额定值
将指示该设备是条件
功能,但不保证特定的性能极限。
电气特性
国家直流和交流的试验条件下的电气规范其
保证特定的性能限制。这是假设该设备在工作额度内。规格不保证在没有极限参数
给出。然而,典型值是设备性能的一个很好指标。
注4 :
最大功耗必须在高温下会减小,由T决定
JMAX
,
θ
JA
和环境温度T
A
。最大
允许功耗为:P
DMAX
= (T
JMAX
–T
A
)/θ
JA
。对于
HWD2119,
T
JMAX
= 150℃,典型的结点至环境热阻( θ
JA
)当板
安装对于MSOP封装和170℃ / W的SOP封装210C / W 。
注5 :
人体模型, 100pF电容通过1.5 kΩ电阻。
注6 :
机器型号, 220PF - 240pF电容通过全部引脚放电。
注7 :
典型的规格是在25°C和指定的参数标准。
注8 :
测试的范围,保证国家的AOQL (平均出厂质量水平) 。
注9 :
数据表中的最小/最大规格限制是由设计,测试或统计分析保证。
注10 :
给定
θ
JA
是的
HWD2119
包与裸露-DAP焊接到印刷电路板的铜垫与等效于一个区域的LDA08B
那裸露-DAP本身。裸露-DAP的LDA08B包应该是电连接到GND或电隔离的铜面积。
注11 :
给定
θ
JA
是的
HWD2119
包与裸露-DAP的LDA08B没有焊接到任何印刷电路板的铜。
注12 :
关断引脚(引脚1 )应该是驱动尽可能接近到V
DD
在关断模式下电流最小。
外部元件描述
组件
1.
2.
R
i
C
i
(图
1)
功能说明
结合有R
f
这反相输入电阻设定的闭环增益。
i
还形成了一个高通滤波器,以
C
i
在f
c
= 1/(2πR
i
C
i
).
该输入耦合电容模块在直流放大器的端子电压。结合有R
i
,它会创建一个
高通滤波器,其中R
i
在f
c
= 1/(2πR
i
C
i
) 。请参考以下部分,
外部元件的正确选择
对于如何确定C的值的说明
i
.
结合有R
i
这是反馈电阻,用于设置闭环增益:甲
v
= 2(R
F
/R
i
).
这是在电源旁路电容器中过滤施加至电源端子的电压。请参阅
应用信息
部分对C的妥善安置和选择
s
.
这是旁路引脚电容是滤波的旁路引脚上的电压。请参考以下部分,
正确
选择外部元件,
信息有关的C妥善安置和选择
B
.
3.
4.
5.
R
f
C
S
C
B
典型性能特性
THD + N与频率
THD + N与频率
3
典型性能特性
THD + N与频率
(续)
THD + N与频率
THD + N与频率
THD + N与频率
THD + N与输出功率
THD + N与输出功率
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