产品speci fi cation
PE4246
产品说明
在PE4246射频开关被设计为覆盖一个宽范围的
应用从DC至5000兆赫。它是无反射的两
RF1和RF2端口。这SPST开关集成了单针
CMOS控制接口，并提供低插入损耗，而
经营从单一的+ 3伏电源极低的偏置。
在一个典型的应用中，高隔离PE4246可以代替
对较小的隔离性能多个射频开关。这是
在一个小的3x3毫米DFN封装。
该PE4246制造的百富勤的UltraCMOS
过程中，硅 - 绝缘体（ SOI）的一个专利的变异
技术在蓝宝石基板上，提供的性能
砷化镓随着经济一体化和传统的
CMOS 。
图1.功能框图
吸收SPST的UltraCMOS
RF开关： DC - 5000 MHz的
特点
非反射50欧姆RF开关
50欧姆（ 0.25瓦特）终端
高隔离55分贝1000兆赫，
48分贝在3000兆赫
低插入损耗0.8分贝1000兆赫，
0.9分贝在3000兆赫
高线性度： +33 dBm的输入1dB
压缩点
CMOS / TTL的单引脚控制
单+ 3伏电源供电
极低的偏置： 33
A
@ 3 V
采用6引线DFN封装
图2.封装类型
RF1
RF2
6引线DFN
50
CMOS
控制
司机
50
CTRL
表1.电气规格@ 25 ° C，V
DD
= 3 V
（ ZS = ZL = 50
)
参数
工作频率
1
工作电源
CTRL=1/CTRL=0
DC- 2000 MHz的
2000-3000 MHZ
3000-4000兆赫
4000-5000兆赫
DC- 2000 MHz的
2000-3000 MHZ
3000-4000兆赫
4000-5000兆赫
DC -5000 MHz的
DC -5000 MHz的
DC -5000 MHz的
2
条件
最低
DC
典型
最大
5000
30/24
单位
兆赫
DBM
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
插入损耗
0.8
0.9
1.0
1.3
49
45
43
40
11
30
50
55
48
46
44
20
33
1.0
1.1
1.3
1.8
隔离
回波损耗
输入1 dB压缩
3
输入IP3
视频馈通
开关时间
15
2
mV
pp
s
注：1.线性器件将开始降低低于1MHz 。
2.在开关的输出端的直流瞬态当控制电压从低切换到高或高到低的50
测试设置，
与1ns的上升时间脉冲和500 MHz带宽的测量。
在表3中3。注意绝对最大额定值。
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PE4246
产品speci fi cation
图3.引脚配置
V
DD
GND
RF1
1
2
3
裸露
焊盘
（底部）
设备描述
该
PE4246高隔离度单刀单掷射频开关
6
5
4
RF2
GND
CTRL
设计为支持各种应用
其中，高隔离性能要求
和非反射的输入和输出是期望的。
此开关能够代替多个较小
在一个非常小的3 x 3毫米DFN执行switches
足迹。
表4.直流电特定网络阳离子
参数
民
2.7
典型值
3.0
33
最大
3.3
40
5
0.3xV
DD
单位
V
A
V
V
表2.引脚说明
针
号
1
2
3
4
5
6
V
DD
电源
针
名字
V
DD
GND
RF1
CTRL
GND
RF2
描述
标称3V的电源连接。
1
接地连接。
3
RF端口。
2
I
DD
电源电流
(V
DD
= 3 V, V
CNTL
= 3 V)
控制电压高
控制电压低
0.7xV
DD
0
CMOS或TTL逻辑电平：
高RF1 = RF2到信号路径
低RF1 = RF2从隔离
接地连接。
3
RF端口。
2
表5.控制逻辑真值表
控制电压
CTRL = CMOS或TTL高
CTRL = CMOS或TTL低
信道
RF1到RF2
从RF1 RF2隔离
注： 1，旁路电容应尽可能靠近
到销。
2.两个RF引脚必须阻止直流通过外部电容
或保持在0 V
DC
.
3.裸焊盘必须焊接到接地平面为
正确的开关性能。
控制逻辑
该控制逻辑输入引脚（ CTRL ）通常
由一个3伏的CMOS逻辑电平信号来驱动，并且
具有Ⅴ的50％的阈值
DD
。对于灵活性
有5伏的控制逻辑支持系统
的驱动程序，所述控制逻辑的输入已经被设计
处理一个5伏逻辑高电平信号。 （A最小
电流将源出的V
DD
脚的时候
控制逻辑输入电压超过V
DD
.)
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过表3规定的额定值。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
表3.绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
T
ST
T
OP
P
IN
V
ESD
参数/条件
电源电压
在CTRL输入电压
储存温度
工作温度
输入功率（ 50
),
CTRL=1/CTRL=0
ESD电压
（人体模型）
民
-0.3
-0.3
-65
-40
最大
4.0
5.5
150
85
33/24
200
单位
V
V
°C
°C
DBM
V
绝对最大额定值是那些价值
在上表中列出。超过这些值
可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应被限制到
在直流电气规格表的限制。
置身于绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的可靠性。
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│
的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4246
产品speci fi cation
典型性能数据@ 25 ° C（除非另有说明）
图4.插入损耗
T = -40 ° C至85°C
图5.输入1dB压缩点和IIP3
0
-40 C
-0.5
60
60
50
插入损耗（dB ）
-1
85 C
25 C
IIP3
50
1dB压缩点（ DBM）
-1.5
IIP3 （ dBm的）
40
40
-2
30
-2.5
输入1dB压缩
30
-3
0
1000
2000
3000
4000
5000
20
0
1000
2000
3000
4000
20
5000
频率（MHz）
频率（MHz）
图6.隔离
0
-20
隔离度（dB ）
-40
-60
-80
-100
0
1000
2000
3000
4000
5000
频率（MHz）
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PE4246
产品speci fi cation
典型性能数据@ 25 ℃，
图7. RF1回波损耗（ CTRL =高）
图8. RF2回波损耗（ CTRL =高）
0
0
-5
-5
-10
回波损耗（分贝）
0
1000
2000
3000
4000
5000
回波损耗（分贝）
-10
-15
-15
-20
-20
-25
-25
-30
-30
0
1000
2000
3000
4000
5000
频率（MHz）
频率（MHz）
图9. RF1回波损耗（ CTRL =低）
图10. RF2回波损耗（ CTRL =低）
0
0
-5
-5
-10
回波损耗（分贝）
回波损耗（分贝）
0
1000
2000
3000
4000
5000
-10
-15
-15
-20
-20
-25
-25
-30
-30
-35
-35
0
1000
2000
3000
4000
5000
频率（MHz）
频率（MHz）
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的UltraCMOS RFIC 解决方案
PE4246
产品speci fi cation
评估套件
SPST开关评估板是
旨在减轻客户评价
PE4246单刀单掷开关。该RF1端口连接
通过50
传输线的左上方
SMA连接器， J1 。该RF2端口连接
通过50
传输线向右上方
SMA连接器， J2 。 A到传输线
连接SMA连接器J3和J4 。这
传输线可以被用来估计损失
印刷电路板在环境条件下的
被评估。
该板构成的两个金属层的FR4
材料具有0.031的总厚度“ 。该
底部层提供地面为射频
传输线。传输线是
利用具有共面波导模型设计
迹宽度为0.0476 “ ，追查0.030的差距” ，
介质厚度0.028 “ ，金属厚度
0.0021 “和
εR
4.3 。需要注意的是占主导地位的
模式对这些传输线是共面
波导具有一个接地平面。
J5和J6提供一种装置，用于控制直流和
数字输入到该设备。 J6-1被连接到
该器件V
DD
输入。 J5-1被连接到
装置CTRL输入。 J5-2和J6-2是GND
连接。一个去耦电容（ 100 pF）的是
提供两个CTRL和V
DD
痕迹。它是
对客户负责，以确定正确的
电源去耦为他们设计的应用程序。
从评价中除去这些组分
董事会还没有被证明会降低RF
性能。
图11.评估板布局
百富勤规格101/0102
图12.评估板电路图
百富勤规格102/0134
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PE4246
产品说明
在PE4246射频开关被设计为覆盖一个宽范围的
应用从DC至5000兆赫。它是无反射的两
RF1和RF2端口。这SPST开关集成了单针
CMOS控制接口，并提供低插入损耗，而
经营从单一的+ 3伏电源极低的偏置。
在一个典型的应用中，高隔离PE4246可以代替
对较小的隔离性能多个射频开关。这是
在一个小的3x3毫米DFN封装。
该PE4246制造的百富勤的UltraCMOS
过程中，硅 - 绝缘体（ SOI）的一个专利的变异
技术在蓝宝石基板上，提供的性能
砷化镓随着经济一体化和传统的
CMOS 。
图1.功能框图
吸收SPST的UltraCMOS
RF开关： DC - 5000 MHz的
特点
非反射50欧姆RF开关
50欧姆（ 0.25瓦特）终端
高隔离55分贝1000兆赫，
48分贝在3000兆赫
低插入损耗0.8分贝1000兆赫，
0.9分贝在3000兆赫
高线性度： +33 dBm的输入1dB
压缩点
CMOS / TTL的单引脚控制
单+ 3伏电源供电
极低的偏置： 33
A
@ 3 V
采用6引线DFN封装
图2.封装类型
RF1
RF2
6引线DFN
50
CMOS
控制
司机
50
CTRL
表1.电气规格@ 25 ° C，V
DD
= 3 V
（ ZS = ZL = 50
)
参数
工作频率
1
工作电源
CTRL=1/CTRL=0
DC- 2000 MHz的
2000-3000 MHZ
3000-4000兆赫
4000-5000兆赫
DC- 2000 MHz的
2000-3000 MHZ
3000-4000兆赫
4000-5000兆赫
DC -5000 MHz的
DC -5000 MHz的
DC -5000 MHz的
2
条件
最低
DC
典型
最大
5000
30/24
单位
兆赫
DBM
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
插入损耗
0.8
0.9
1.0
1.3
49
45
43
40
11
30
50
55
48
46
44
20
33
1.0
1.1
1.3
1.8
隔离
回波损耗
输入1 dB压缩
3
输入IP3
视频馈通
开关时间
15
2
mV
pp
s
注：1.线性器件将开始降低低于1MHz 。
2.在开关的输出端的直流瞬态当控制电压从低切换到高或高到低的50
测试设置，
与1ns的上升时间脉冲和500 MHz带宽的测量。
在表3中3。注意绝对最大额定值。
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图3.引脚配置
V
DD
GND
RF1
1
2
3
裸露
焊盘
（底部）
设备描述
该
PE4246高隔离度单刀单掷射频开关
6
5
4
RF2
GND
CTRL
设计为支持各种应用
其中，高隔离性能要求
和非反射的输入和输出是期望的。
此开关能够代替多个较小
在一个非常小的3 x 3毫米DFN执行switches
足迹。
表4.直流电特定网络阳离子
参数
民
2.7
典型值
3.0
33
最大
3.3
40
5
0.3xV
DD
单位
V
A
V
V
表2.引脚说明
针
号
1
2
3
4
5
6
V
DD
电源
针
名字
V
DD
GND
RF1
CTRL
GND
RF2
描述
标称3V的电源连接。
1
接地连接。
3
RF端口。
2
I
DD
电源电流
(V
DD
= 3 V, V
CNTL
= 3 V)
控制电压高
控制电压低
0.7xV
DD
0
CMOS或TTL逻辑电平：
高RF1 = RF2到信号路径
低RF1 = RF2从隔离
接地连接。
3
RF端口。
2
表5.控制逻辑真值表
控制电压
CTRL = CMOS或TTL高
CTRL = CMOS或TTL低
信道
RF1到RF2
从RF1 RF2隔离
注： 1，旁路电容应尽可能靠近
到销。
2.两个RF引脚必须阻止直流通过外部电容
或保持在0 V
DC
.
3.裸焊盘必须焊接到接地平面为
正确的开关性能。
控制逻辑
该控制逻辑输入引脚（ CTRL ）通常
由一个3伏的CMOS逻辑电平信号来驱动，并且
具有Ⅴ的50％的阈值
DD
。对于灵活性
有5伏的控制逻辑支持系统
的驱动程序，所述控制逻辑的输入已经被设计
处理一个5伏逻辑高电平信号。 （A最小
电流将源出的V
DD
脚的时候
控制逻辑输入电压超过V
DD
.)
静电放电（ ESD ）注意事项
在处理这个的UltraCMOS 器件，观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路，以保护其免受损坏，由于
ESD ，应采取预防措施，以避免
超过表3规定的额定值。
闭锁避免
与传统的CMOS器件，的UltraCMOS
设备是免疫的闩锁。
表3.绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
T
ST
T
OP
P
IN
V
ESD
参数/条件
电源电压
在CTRL输入电压
储存温度
工作温度
输入功率（ 50
),
CTRL=1/CTRL=0
ESD电压
（人体模型）
民
-0.3
-0.3
-65
-40
最大
4.0
5.5
150
85
33/24
200
单位
V
V
°C
°C
DBM
V
绝对最大额定值是那些价值
在上表中列出。超过这些值
可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应被限制到
在直流电气规格表的限制。
置身于绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的可靠性。
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产品speci fi cation
典型性能数据@ 25 ° C（除非另有说明）
图4.插入损耗
T = -40 ° C至85°C
图5.输入1dB压缩点和IIP3
0
-40 C
-0.5
60
60
50
插入损耗（dB ）
-1
85 C
25 C
IIP3
50
1dB压缩点（ DBM）
-1.5
IIP3 （ dBm的）
40
40
-2
30
-2.5
输入1dB压缩
30
-3
0
1000
2000
3000
4000
5000
20
0
1000
2000
3000
4000
20
5000
频率（MHz）
频率（MHz）
图6.隔离
0
-20
隔离度（dB ）
-40
-60
-80
-100
0
1000
2000
3000
4000
5000
频率（MHz）
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典型性能数据@ 25 ℃，
图7. RF1回波损耗（ CTRL =高）
图8. RF2回波损耗（ CTRL =高）
0
0
-5
-5
-10
回波损耗（分贝）
0
1000
2000
3000
4000
5000
回波损耗（分贝）
-10
-15
-15
-20
-20
-25
-25
-30
-30
0
1000
2000
3000
4000
5000
频率（MHz）
频率（MHz）
图9. RF1回波损耗（ CTRL =低）
图10. RF2回波损耗（ CTRL =低）
0
0
-5
-5
-10
回波损耗（分贝）
回波损耗（分贝）
0
1000
2000
3000
4000
5000
-10
-15
-15
-20
-20
-25
-25
-30
-30
-35
-35
0
1000
2000
3000
4000
5000
频率（MHz）
频率（MHz）
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评估套件
SPST开关评估板是
旨在减轻客户评价
PE4246单刀单掷开关。该RF1端口连接
通过50
传输线的左上方
SMA连接器， J1 。该RF2端口连接
通过50
传输线向右上方
SMA连接器， J2 。 A到传输线
连接SMA连接器J3和J4 。这
传输线可以被用来估计损失
印刷电路板在环境条件下的
被评估。
该板构成的两个金属层的FR4
材料具有0.031的总厚度“ 。该
底部层提供地面为射频
传输线。传输线是
利用具有共面波导模型设计
迹宽度为0.0476 “ ，追查0.030的差距” ，
介质厚度0.028 “ ，金属厚度
0.0021 “和
εR
4.3 。需要注意的是占主导地位的
模式对这些传输线是共面
波导具有一个接地平面。
J5和J6提供一种装置，用于控制直流和
数字输入到该设备。 J6-1被连接到
该器件V
DD
输入。 J5-1被连接到
装置CTRL输入。 J5-2和J6-2是GND
连接。一个去耦电容（ 100 pF）的是
提供两个CTRL和V
DD
痕迹。它是
对客户负责，以确定正确的
电源去耦为他们设计的应用程序。
从评价中除去这些组分
董事会还没有被证明会降低RF
性能。
图11.评估板布局
百富勤规格101/0102
图12.评估板电路图
百富勤规格102/0134
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