【2STD1665低压快速开关NPN功率晶体管特点■■■■■收藏家非常低发射极饱和volatage高电】,IC型号2STD1665,2STD1665 PDF资料,2STD1665经销商,ic,电子元器件-51电子网

2STD1665

低压快速开关NPN功率晶体管

特点

■

收藏家非常低发射极饱和

volatage

高电流增益特性

快速开关速度

通孔IPAK （ TO- 251 ）封装功率

在管（后缀“-1”）

表面安装DPAK （ TO- 252 ）电源

包带&卷轴（后缀“ T4 ” ）

1

3

2

3

1

IPAK

TO251

（后缀“-1” ）

DPAK

TO252

（后缀“ T4 ” ）

应用

■

CCFL驱动程序

稳压器

继电器驱动器

高效率的低电压开关

应用

图1 。

内部原理图

描述

该器件采用NPN平面制造

技术，通过使用“基地岛”的布局。该

导致晶体管显示特殊的高增益

再加上非常低饱和度的表现

电压。

表1中。

设备简介

记号

D1665

包

DPAK

IPAK

填料

磁带&卷轴

管

订货编号

2STD1665T4

2STD1665-1

2008年3月

REV 2

1/11

www.st.com

11

2STD1665

1

2

电气额定值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3

电特性。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4

2.1

2.2

电特性（曲线）

........................... 5

测试电路。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 7

3

4

包装机械的数据。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 8

修订历史。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 11

2/11

2STD1665

1

电气额定值

表2中。

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

合计

T

英镑

T

J

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压（I

E

= 0)

集电极 - 发射极电压（I

B

= 0)

发射极 - 基极电压（I

C

= 0)

集电极电流

集电极电流峰值（T

P

<为5ms ）

基极电流

总功耗在T

c

= 25 °C

储存温度

马克斯。工作结温

价值

150

65

7

6

20

1

15

-65到150

150

单位

V

A

W

°C

表3中。

符号

R

THJ - AMB

热数据

参数

热阻结案件

__max

价值

8.33

单位

° C / W

3/11

电气特性

2STD1665

2

电气特性

(T

例

= 25 ° C除非另有说明）

表4 。

符号

I

CBO

电气特性

参数

测试条件

分钟。

典型值。马克斯。单位

50

1

10

nA

A

nA

集电极截止电流V

CB

= 120 V

(I

E

= 0)

V

CB

= 120 V

发射极截止电流

(I

C

= 0)

(1)

T

C

= 100 °C

I

EBO

V

EB

= 7 V

V

（ BR ） CBO

集电极 - 基

击穿电压

(I

E

= 0)

I

C

= 100 A

150

V

集电极 - 发射极

V

（ BR ） CEO （ 1 ）

击穿电压

(I

B

= 0)

发射极 - 基

V

（ BR ） EBO （ 1 ）

击穿电压

(I

C

= 0)

I

C

= 10毫安

65

V

I

E

= 100 A

I

C

= 100毫安

I

B

= 5毫安

I

B

= 50毫安

I

B

= 50毫安

I

B

= 150毫安

I

B

= 300毫安

I

B

= 200毫安

V

CE

= 1 V

V

CE

= 1 V

V

CE

= 1 V

V

CE

= 1 V

V

CE

= 1 V

F = 1 MHz的

7

V

50

100

260

230

1

0.85

150

90

30

320

310

175

65

45

350

120

200

600

380

1.15

1

mV

V

CE （ SAT ）

(1)

集电极 - 发射极

饱和电压

I

C

= 1 A

I

C

= 2 A

I

C

= 6 A

I

C

= 6 A

V

BE （饱和）（1）

V

BE（上）（1）

基射极饱和

I

C

= 4 A

电压

基射极上

电压

I

C

= 4 A

I

C

= 10毫安

h

FE

直流电流增益

I

C

= 2 A

I

C

= 5 A

I

C

= 10 A

C

CBO

集电极 - 基

电容

阻性负载

V

CB

= 10 V

pF

t

ON

t

s

t

f

1.

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

= 3 A

I

B1

= -I

B2

= 0.3 A

V

CC

= 10 V

90

800

90

ns

脉冲持续时间= 300微秒，占空比

≤

1.5%

.

4/11

2STD1665

2.1

电特性（曲线）

图2中。

输出特性

网络连接gure 3 。

直流电流增益

图4中。

集电极 - 发射极饱和

电压

图5中。

集电极 - 发射极饱和

电压

图6 。

基射极饱和

电压

图7 。

基射极电压上

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2STD1665

低压快速切换

NPN功率晶体管

一般特点

■

收藏家非常低发射极饱和

volatage

高的电流增益特性的快速切换

速度

通孔IPAK （ TO- 251 ）封装功率

在管（后缀“-1”）

表面安装DPAK （ TO- 252 ）电源

包带&卷轴（后缀“ T4 ” ）

1

3

■

2

3

1

■

IPAK

TO251

（后缀“-1” ）

DPAK

TO252

（后缀“ T4 ” ）

应用

■

CCFL驱动程序

稳压器

继电器驱动器

高效率的低电压开关

应用

内部示意图

描述

该器件采用NPN平面制造

技术，通过使用“基地岛”的布局。

由此产生的晶体管显示了卓越的高

再加上非常低的增益性能

饱和电压。

订购代码

产品型号

2STD1665T4

2STD1665-1

记号

D1665

包

DPAK

IPAK

填料

磁带&卷轴

管

2006年5月

REV 1

1/12

www.st.com

12

2STD1665

1

2

电气额定值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3

电特性。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4

2.1

2.2

电特性（曲线）

........................... 5

测试电路。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 7

3

4

包装机械的数据。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 8

修订历史。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 11

2/12

2STD1665

1

电气额定值

表1中。

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

合计

T

英镑

T

J

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压（I

E

= 0)

集电极 - 发射极电压（I

B

= 0)

发射极 - 基极电压（I

C

= 0)

集电极电流

集电极电流峰值（T

P

<为5ms ）

基极电流

总功耗在T

c

= 25°C

储存温度

马克斯。工作结温

价值

150

65

7

6

20

1

15

-65到150

150

单位

V

A

W

°C

表2中。

符号

R

THJ - AMB

热数据

参数

热阻结大使

__max

价值

8.33

单位

° C / W

3/12

电气特性

2STD1665

2

电气特性

(T

例

= 25 ° C除非另有规定编）

表3中。

符号

I

CBO

I

EBO

电气特性

参数

测试条件

分钟。

典型值。马克斯。单位

50

1

10

nA

A

nA

集电极截止电流V

CB

= 120V

(I

E

= 0)

V

CB

= 120V

发射极截止电流

(I

C

= 0)

(1)

T

J

= 100°C

V

EB

= 7V

V

（ BR ） CBO

集电极 - 基

击穿电压

(I

E

= 0)

I

C

= 100A

150

V

集电极 - 发射极

V

（ BR ） CEO （ 1 ）

击穿电压

(I

B

= 0)

发射极 - 基

V

（ BR ） EBO （ 1 ）

击穿电压

(I

C

= 0)

I

C

= 10毫安

65

V

I

E

= 100A

I

C

= 100毫安

I

B

= 5毫安

I

B

= 50毫安

I

B

= 50毫安

I

B

= 150毫安

I

B

= 300毫安

I

B

= 200毫安

V

CE

= 1V

V

CE

= 1V

V

CE

= 1V

V

CE

= 1V

V

CE

= 1V

F = 1MHz的

7

50

70

140

290

320

1

0.89

150

90

30

300

270

140

50

47

350

1.15

1

380

350

V

CE （ SAT ）

(1)

集电极 - 发射极

饱和电压

I

C

= 1A

I

C

= 2A

I

C

= 6A

I

C

= 6A

V

BE （饱和）（1）

V

BE（上）（1）

基射极饱和

I

C

= 4A

电压

基射极上

电压

I

C

= 4A

I

C

= 10毫安

h

FE

直流电流增益

I

C

= 2A

I

C

= 5A

I

C

= 10A

C

CBO

集电极 - 基

电容

阻性负载

开启时间

贮存时间

下降时间

V

CB

= 10V

pF

t

ON

t

s

t

f

1.

I

C

= 3A

I

B1

= -I

B2

= 0.3A

V

CC

= 10V

90

800

90

ns

脉冲持续时间= 300

s,

占空比

≤1.5%

.

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2STD1665

2.1

电特性（曲线）

图1 。

输出特性

图2中。

降额曲线

网络连接gure 3 。

直流电流增益

图4中。

集电极 - 发射极饱和

电压

图5中。

集电极 - 发射极饱和

电压

图6 。

基射极饱和

电压

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