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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SD1656
描述
高
击穿电压 -
: V
CBO
= 1500V （最小值）
高
开关速度
高
可靠性
应用
●颜色
电视水平偏转输出应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
1500
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
800
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
6
V
I
C
集电极电流 - 连续
6
A
I
CP
集电极电流脉冲
16
A
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
60
W
T
J
结温
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SD1656
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 100毫安;
BE
=
∞
800
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 5毫安;我
E
= 0
1500
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 200毫安;我
C
= 0
7
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 1A
B
5.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 1A
B
1.5
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 800V ;我
E
= 0
10
μA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
1.0
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
8
t
f
下降时间
I
C
= 5A ，我
B1
= 1A ;我
B2
= -2A
0.4
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
rerutcafunaM evitcepseR STI YB dethgirypoC lairetaM SIHT
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rerutcafunaM evitcepseR STI YB dethgirypoC lairetaM SIHT
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SD1656
描述
高
击穿电压 -
: V
CBO
= 1500V （最小值）
高
开关速度
高
可靠性
应用
●颜色
电视水平偏转输出应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
1500
V
800
V
6
V
6
A
16
A
60
W
I
C
集电极电流 - 连续
I
CP
集电极电流脉冲
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
T
J
结温
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SD1656
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 100毫安;
BE
=
∞
800
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 5毫安;我
E
= 0
1500
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 200毫安;我
C
= 0
7
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 1A
B
5.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 1A
B
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
I
EBO
发射Cuto FF电流
h
FE
直流电流增益
t
f
下降时间
w
em
cs
。是
w
w
V
CB
= 800V ;我
E
= 0
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
I
C
= 5A ，我
B1
= 1A ;我
B2
= -2A
.CN
i
8
1.5
V
10
μA
1.0
mA
0.4
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28LV010RT2FB25
28LV010RT2FB-25
2-146480-6
24LC01BT-E/SN
20W-1C32D1
26357
供货商
型号
厂家
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    联系人：杨小姐
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    2SD1656
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√ 欧美㊣品
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