订购数量： ENA0736
2SK4164
三洋半导体
数据表
N沟道MOSFET硅
2SK4164
特点
通用开关设备
应用
低导通电阻。
负荷开关应用。
雪崩性的保证。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
雪崩能量（单脉冲） * 1
雪崩电流* 2
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
EAS
IAV
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
Tc=25°C
条件
评级
45
±20
100
400
50
150
--55到150
850
70
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
mJ
A
注意：
*1
VDD = 30V ， L = 200μH ， IAV = 70A
*2
L≤200μH ，单脉冲
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
条件
ID = 1mA时， VGS = 0V
VDS = 45V ， VGS = 0V
VGS =
±16V,
VDS=0V
评级
民
45
1
典型值
最大
单位
V
标记： K4164
A
±10
A
接下页。
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。本文提到的产品不得
意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，航天
仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号控制系统，安全
设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁到人的生命的情况下，
故障或产品或故障可能导致危害人体组织中，也不得给予任何保证
物。如果您打算使用我们的产品的标准应用之外的应用我们
客户谁是考虑到这样的使用和/或外面的我们的预期标准的应用程序的范围，请
与我们之前的预期用途进行磋商。如果在预定使用之前没有咨询或查询，我们
客户应自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
的性能，特点，以及在独立的状态下所描述的产品的功能，并且不
的性能，特点，以及所述产品的功能，作为安装在保证
客户的产品或设备。要验证的症状，并且不能在一个独立的评估状态
设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的产品或
设备。
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
51607QA TI IM TC- 00000690号A0736-1 / 4
2SK4164
从接下页。
参数
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
VGS （关闭）
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 50A
ID = 50A ， VGS = 10V
ID = 50A ， VGS = 4V
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
VDS = 20V ， VGS = 10V ， ID = 100A
VDS = 20V ， VGS = 10V ， ID = 100A
VDS = 20V ， VGS = 10V ， ID = 100A
IS = 100A ， VGS = 0V
评级
民
1.2
46
77
2.5
3.6
11500
1500
1200
70
1050
710
650
220
34
47
0.9
1.2
3.3
5.0
典型值
最大
2.6
单位
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7002-001
8.2
7.8
6.2
3
0.4
0.2
0.6
4.2
1.2
8.4
10.0
1.0
2.54
1
2
1.0
2.54
0.3
0.6
5.08
10.0
6.0
0.7
6.2
5.2
7.8
2.5
1 ：门
2 ：源
3 ：排水
三洋： ZP
开关时间测试电路
VDD=20V
10V
0V
VIN
ID=50A
RL=0.4
VIN
PW=10s
D.C.≤1%
雪崩电阻测试电路
L
≥50
D
G
VOUT
2SK4164
10V
0V
50
VDD
P.G
50
S
2SK4164
第A0736-2 / 4
2SK4164
10
VGS - 的Qg
VDS=20V
ID=100A
漏极电流ID -
9
栅极 - 源极电压VGS - V
8
7
6
5
4
3
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
ASO
IDP=400A
ID=100A
PW≤10
s
10
1m
DC
10
s
0
s
op
10
0m
s
ERA
TIO
n
10
s
ms
操作
这个区域是
受限于RDS （ ON） 。
Tc=25
°
C
单脉冲
2
3
5
7 1.0
2
3
2
1
0
0
50
100
150
200
250
IT12212
0.1
0.1
5
7 10
2
3
5
7
总栅极电荷QG - 数控
60
PD - 锝
雪崩能量降额因子 - ％
漏极至源极电压VDS - V
120
IT12213
EAS - TA
允许功耗， PD - 含
50
100
40
80
30
60
20
40
10
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
25
50
75
100
125
150
175
IT12215
外壳温度，TC -
°C
IT12214
环境温度，钽 -
°C
注意使用情况：由于2SK4164是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任
超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在产品规格的任何及所有三洋半导体股份有限公司上市范围或其他参数） 。
本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障或
故障可能会引起事故或事件，危及人的生命，这可能会引起麻烦
烟雾或火灾，事故或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用
安全的措施，确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不
为了保护电路，电路错误预防安全的设计，多余的设计和结构
设计。
倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为
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