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> 2SC3153
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3153
描述
·带
TO- 3PN封装
高
击穿电压(V
CBO
≥900V)
·快速
开关速度
ùWide
ASO (安全工作区)
应用
800V/6A
开关稳压器的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3PN )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
900
800
7
6
20
3
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE -2
C
OB
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 5毫安; R
BE
=∞
I
C
= 1毫安,我
E
=0
I
E
= 1毫安,我
C
=0
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
I
C
= 3A ,我
B
=0.6A
V
CB
= 800V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.4A ; V
CE
=5V
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
I
C
= 0.4A ; V
CE
=10V
10
8
120
15
民
800
900
7
2SC3153
典型值。
最大
单位
V
V
V
2.0
1.5
10
10
40
V
V
μA
μA
pF
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=4A;I
B1
=0.8A;I
B2
=-1.6A
R
L
=100Ω,V
CC
=400V
1.0
3.0
0.7
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
K
10-20
L
15-30
M
20-40
2
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3153
图2外形尺寸
3
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3153
4
A
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3153
描述
·采用TO- 3PN封装
·高击穿电压(V
CBO
900V)
·快速开关速度
·宽ASO安全工作区
应用
· 800V / 6A开关稳压器的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3PN )和符号
描述
绝对最大额定值( TA = 25 )
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
900
800
7
6
20
3
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 5毫安; R
BE
? & LT ;
I
C
= 1毫安,我
E
=0
I
E
= 1毫安,我
C
=0
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
I
C
= 3A ,我
B
=0.6A
V
CB
= 800V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.4A ; V
CE
=5V
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
I
C
= 0.4A ; V
CE
=10V
10
8
民
800
900
7
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE -2
C
OB
f
T
2SC3153
典型值。
最大
单位
V
V
V
2.0
1.5
10
10
40
V
V
A
A
120
15
pF
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=4A;I
B1
=0.8A;I
B2
=-1.6A
R
L
=100E,V
CC
=400V
1.0
3.0
0.7
s
s
s
h
FE-1
分类
K
10-20
L
15-30
M
20-40
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3153
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3153
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3153
描述
·带
TO- 3PN封装
高
击穿电压(V
CBO
≥900V)
·快速
开关速度
ùWide
ASO (安全工作区)
应用
800V/6A
开关稳压器的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3PN )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
条件
集电极 - 基极电压
发射极开路
集电极 - 发射极电压
开基
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
OR
CT
U
价值
900
800
7
6
20
3
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE -2
C
OB
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
条件
I
C
= 5毫安; R
BE
=∞
I
C
= 1毫安,我
E
=0
I
E
= 1毫安,我
C
=0
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
I
C
= 3A ,我
B
=0.6A
V
CB
= 800V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.4A ; V
CE
=5V
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
10
8
民
800
900
7
2SC3153
典型值。
最大
单位
V
V
V
2.0
1.5
10
10
40
V
V
μA
μA
开关时间
t
on
t
s
t
f
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
跃迁频率
I
C
= 0.4A ; V
CE
=10V
开启时间
贮存时间
I
C
=4A;I
B1
=0.8A;I
B2
=-1.6A
R
L
=100Ω,V
CC
=400V
下降时间
OR
CT
U
120
15
1.0
3.0
0.7
pF
兆赫
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
K
10-20
L
15-30
M
20-40
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3153
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
图2外形尺寸
OR
CT
U
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3153
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
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2SC3153
PDF信息
推荐型号
2311315000
28CMD20
25C320-I/ST
25C320I/ST
2089-6017-16
212T1012N220KN
2SD2005P
2SC2633R
2SB819R
22PCFEB2G
2SC5113
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2SK4164
2SA1534AQ
2SK3663
2SC980TM
277LMB350M2CG
263370
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