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数据表
MOS场效应
2SK3919
开关
N沟道功率MOS FET
描述
的2SK3919是N沟道MOS场效应管装置,其
具有低导通电阻和出色的开关
特点,专为低电压大电流
应用,如直流/直流转换器与同步
整流器。
订购信息
产品型号
2SK3919
2SK3919-ZK
的TO- 251 (MP -3)
TO- 252 ( MP- 3ZK )
特点
低通态电阻
R
DS(on)1
= 5.6 mΩ以下。 (V
GS
= 10 V,I
D
= 32 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 2050 pF的典型。
5 V驱动器可用
(TO-251)
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
漏源极电压(V
GS
= 0 V)
门源电压(V
DS
= 0 V)
漏电流( DC ) (T
C
= 25°C)
漏电流(脉冲)
Note1
总功率耗散(T
C
= 25°C)
总功耗
通道温度
储存温度
单雪崩电流
Note2
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
I
AS
E
AS
25
±20
±64
±256
36
1.0
150
55
+150
27
73
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
(TO-252)
单雪崩能量
Note2
注意事项1 。
PW
10
S,占空比
1%
2.
起始物为
ch
= 25 ° C,V
DD
= 12.5 V ,R
G
= 25
,
V
GS
= 20
0 V
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证实,这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件D17078EJ4V0DS00 (第4版)
发布日期2005年1月NS CP ( K)
日本印刷
商标
表示主要修改点。
2004
2SK3919
电气特性(T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
测试条件
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V,I
D
= 16 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 32 A
V
GS
= 5.0 V,I
D
= 16 A
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 12.5 V,I
D
= 32 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
分钟。
典型值。
马克斯。
10
±100
单位
A
nA
V
S
2.0
9.7
2.5
19
4.5
6.8
2050
460
330
16
19
53
22
3.0
漏极至源极导通电阻
5.6
13.7
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F( S- D)的
t
rr
Q
rr
V
DD
= 20 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 64 A
I
F
= 64 A,V
GS
= 0 V
I
F
= 64 A,V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A /
s
42
8
15
0.97
23
11
脉冲
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
PG 。
V
GS
= 20
0 V
50
测试电路2开关时间
D.U.T.
L
V
DD
PG 。
R
G
V
GS
R
L
V
DD
V
DS
90%
90%
10%
10%
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
90%
BV
DSS
I
AS
I
D
V
DD
V
DS
V
GS
0
τ
τ
= 1
s
占空比
1%
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
起始物为
ch
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
PG 。
50
R
L
V
DD
2
数据表D17078EJ4V0DS
2SK3919
典型特征(T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
胸苷 - 百分比额定功率 - %
总功耗对比
外壳温度
120
P
T
- 总功耗 - W
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
100
80
60
40
20
0
T
C
- 外壳温度 -
°C
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度 -
°C
正向偏置安全工作区
1000
I
D(脉冲)
I
D
- 漏电流 - 一个
100
I
D( DC)的
PW = 100
s
10
R
DS ( ON)
有限
(在V
GS
= 10 V)
1
功耗有限公司
1毫秒
10毫秒
T
C
= 25°C
单脉冲
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
r
日(T )
- 瞬态热阻 -
° C / W
1000
R
第(章-a)的
= 125°C / W
100
10
R
TH( CH-C )
= 3.47 ° C / W
1
0.1
单脉冲
0.01
100
1m
10 m
100 m
1
PW - 脉冲宽度 - S
10
100
1000
数据表D17078EJ4V0DS
3
2SK3919
漏电流与
漏源极电压
正向传递特性
300
250
I
D
- 漏电流 - 一个
1000
100
10
1
0.1
200
150
100
V
GS
= 10 V
5.0 V
50
脉冲
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
I
D
- 漏电流 - 一个
T
ch
=
55°C
25°C
75°C
125°C
150°C
V
DS
= 10 V
脉冲
0
1
2
3
4
5
6
0.01
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
GATE截止电压主场迎战
通道温度
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
正向转移导纳主场迎战
漏电流
4
V
GS ( OFF )
- 栅极截止电压 - V
100
V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
3
10
T
ch
=
55°C
25°C
75°C
125°C
150°C
2
1
V
DS
= 10 V
脉冲
0.1
0.1
1
10
100
I
D
- 漏电流 - 一个
1
0
-100
-50
0
50
100
150
200
T
ch
- 通道温度 -
°C
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
15
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
漏电流
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
脉冲
15
脉冲
10
V
GS
= 5.0 V
10
5
10 V
5
I
D
= 32 A
0
1
10
100
1000
I
D
- 漏电流 - 一个
0
0
5
10
15
20
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
4
数据表D17078EJ4V0DS
2SK3919
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
通道温度
电容与漏源极电压
10
8
6
4
2
0
-100
V
GS
= 10 V
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
10000
C
国际空间站
1000
C
OSS
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
100
0.01
0.1
1
C
RSS
I
D
= 32 A
脉冲
-50
0
50
100
150
200
10
100
T
ch
- 通道温度 - C
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
开关特性
动态输入/输出特性
1000
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
t
D(上)
, t
r
, t
D(关闭)
, t
f
- 开关时间 - NS
30
25
20
15
10
5
0
100
t
D(上)
10
t
r
t
f
t
D(关闭)
V
DD
= 20 V
12.5 V
5V
V
GS
10
8
6
4
1
0.1
1
V
DD
= 12.5 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
10
100
V
DS
2
0
0
20
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
40
I
D
- 漏电流 - 一个
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间对比
二极管的正向电流
1000
100
10
1
0.1
脉冲
0.01
0
0.5
1
1.5
V
F( S- D)的
- 源极到漏极电压 - V
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
1000
V
GS
= 10 V
的di / dt = 100 A / μs的
V
GS
= 0 V
100
0V
10
1
1
10
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
100
数据表D17078EJ4V0DS
5
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
I
D
= 64 A, 42 A(在V
DD
= 5 V)
12
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    2SK3919-ZK
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联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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RENESAS/瑞萨
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100000
TO252
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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VBSEMI/台湾微碧
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5123
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电话:13910052844(微信同步)
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