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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2970
描述
·带
TO- 66封装
高
电压，高速
ULOW
饱和电压
应用
For
切换应用程序
钉扎（参见图2 ）
针
1
2
3
BASE
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 66 ）和符号
集热器
描述
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
300
200
7
5
40
175
-55~175
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 50毫安;我
B
=0
I
C
= 1毫安;我
E
=0
I
E
= 1毫安;我
C
=0
I
C
= 4A ;我
B
=0.4A
I
C
= 4A ;我
B
=0.4A
V
CB
= 300V ，我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
15
民
200
300
7
2SC2970
典型值。
最大
单位
V
V
V
1.0
1.5
100
100
V
V
μA
μA
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2970
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2970
描述
·采用TO- 66封装
·高电压，高转速
·低饱和电压
应用
·对于开关应用
钉扎（参见图2 ）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 66 ）和符号
描述
绝对最大额定值（T
a
=25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
300
200
7
5
40
175
-55~175
单位
V
V
V
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 50毫安;我
B
=0
I
C
= 1毫安;我
E
=0
I
E
= 1毫安;我
C
=0
I
C
= 4A ;我
B
=0.4A
I
C
= 4A ;我
B
=0.4A
V
CB
= 300V ，我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
15
民
200
300
7
2SC2970
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
典型值。
最大
单位
V
V
V
1.0
1.5
100
100
V
V
A
A
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2970
图2外形尺寸
3
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2MBI100-060
284047-7
2SB1134S
2SK3919-ZK
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