2SK373
东芝场效应晶体管
硅N沟道结型
2SK373
对于音频,高电压放大器和恒流
应用
高击穿电压: V
GDS
=
100
V(分钟)
高输入阻抗:我
GSS
=
1.0
nA的(最大) (Ⅴ
GS
=
80
V)
单位:mm
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
栅 - 漏电压
栅电流
漏极功耗
结温
存储温度范围
符号
V
GDS
I
G
P
D
T
j
T
英镑
等级
100
10
400
125
55~125
单位
V
mA
mW
°C
°C
注意:
重负载下连续使用(例如应用
高温/电流/电压和在显著变化
温度等)可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下(即
工作温度/电流/电压等)内的
绝对最大额定值。
请在审查设计相应的可靠性
东芝半导体可靠性手册( “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ )和个人
可靠性数据(即可靠性试验报告,估计故障
率等)。
JEDEC
JEITA
东芝
TO-92
SC-43
2-5F1C
重量:0.33克(典型值)
电气特性
(大
=
25°C)
特征
栅极截止电流
栅极 - 漏极击穿电压
漏电流
栅极 - 源极截止电压
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
噪声系数
符号
I
GSS
V
( BR ) GDS
I
DSS
(注)
V
GS (关闭)
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
NF
测试条件
V
GS
= 80
V, V
DS
=
0
V
DS
=
0, I
G
= 100 μA
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0
V
DS
=
10 V,I
D
=
0.1
μA
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1千赫
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DG
=
10 V,I
D
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, R
G
=
100 kΩ,
f
=
100赫兹
民
100
0.6
0.4
1.5
典型值。
4.6
13
3
0.5
最大
1.0
6.5
3.5
单位
nA
V
mA
V
mS
pF
pF
dB
注:我
DSS
分类
○: 0.6 1.4毫安, Y: 1.2 3.0毫安, GR : 2.6 6.5毫安
1
2007-11-01
2SK373
限制产品使用
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20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
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