2SK3556-01L,S,SJ
FUJI功率MOSFET
N沟道硅功率MOSFET
外形图
超级FAP -G系列
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
应用
开关稳压器
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
P4
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
重复或不重复
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
马克斯。功耗
工作和存储
温度范围
符号
V
DS
V
DSX * 5
I
D
I
D（ PULS ]
V
GS
I
AR * 2
E
AS * 1
dV
DS
/ DT
*4
dv / dt的
*3
P
D
Ta=25°C
Tc=25°C
T
ch
T
英镑
评级
250
220
±25
±100
±30
25
372
20
5
2.02
135
+150
-55到+150
单位
V
V
A
A
V
A
mJ
KV / μs的
KV / μs的
W
°C
°C
等效电路示意
漏极（D ）
栅极（G ）
源极（S ）
＆ LT ;
＆ LT ;
＆ LT ;
* 1 L = 0.67mH ， VCC = 48V * 2总胆固醇= 150 ° C * 3 I
F
＆ LT ;
D
， -di / DT = 50A / μs的， VCC = BV
DSS
，总胆固醇= 150℃
=-I
*4 V
DS
<250V * 5 V
GS
= -30V * 6 T = 60秒F = 60Hz的
=
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
V
GS
=0V
I
D
=250A
I
D
= 250A
V
DS
=V
GS
V
DS
=250V
V
DS
=200V
V
GS
=±30V
I
D
=12.5A
I
D
=12.5A
V
DS
=75V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
GS
=0V
V
GS
=0V
V
DS
=0V
V
GS
=10V
V
DS
=25V
8
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
10
75
16
2000
220
15
20
30
60
20
44
14
16
25
1.10
0.45
1.5
1.65
分钟。
250
3.0
典型值。
马克斯。
5.0
25
250
100
100
3000
330
30
30
45
90
30
66
21
24
单位
V
V
A
nA
m
S
pF
V
CC
= 72V我
D
=12.5A
V
GS
=10V
R
GS
=10
V
CC
=72V
I
D
=12A
V
GS
=10V
L = 100μH牛逼
ch
=25°C
I
F
= 25A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 25A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
ns
nC
A
V
s
C
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
0.926
62.0
单位
° C / W
° C / W
1
2SK3556-01L,S,SJ
特征
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
FUJI功率MOSFET
典型的输出特性
100
200
175
ID = F （ VDS ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
20V
80
150
125
10V
8V
7.5V
PD [ W]
ID [ A]
60
7.0V
100
75
50
40
6.5V
20
25
6.0V
VGS=5.5V
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
2
4
6
8
10
12
TC [
°
C]
VDS [V]的
典型的传输特性
ID = F （ VGS ）为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
100
100
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
10
ID [ A]
10
1
GFS [S]
1
0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.1
0.1
1
10
100
VGS电压[V]的
ID [ A]
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
0.25
VGS =
5.5V
270
240
6.0V
6.5V
7.0V
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 12.5A ， VGS = 10V
0.20
210
RDS （上） [M
]
RDS （上）
]
7.5V
180
150
马克斯。
0.15
8V
10V
20V
120
90
典型值。
0.10
0.05
60
30
0.00
0
20
40
60
80
100
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
ID [ A]
TCH [
°
C]
2
2SK3556-01L,S,SJ
FUJI功率MOSFET
7.0
6.5
6.0
5.5
栅极阈值电压与总胆固醇
VGS （ TH） = F （ TCH） ： VDS = VGS ， ID = 1毫安
14
12
马克斯。
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 25A ，总胆固醇= 25°C
VGS （ TH） [V]
5.0
4.5
VCC = 36V
10
96V
72V
VGS电压[V]的
75
100
125
150
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
分钟。
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
TCH [
°
C]
QG [ NC ]
10
1
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
反向二极管的典型正向特性
IF = F （ VSD ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
100
西塞
10
0
10
C [ nF的]
科斯
10
-1
IF [ A]
1
0.1
0.00
CRSS
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
VDS [V]的
VSD [V]的
典型的开关特性与ID
10
3
T = F（ ID ） ： VCC = 72V ， VGS = 10V ， RG = 10Ω
tf
10
2
TD （关闭）
T [ NS ]
tr
TD （上）
10
1
10
0
10
-1
10
0
10
1
10
2
ID [ A]
3
2SK3556-01L,S,SJ
瞬态热阻抗
第i （ CH-C ）= F（T）为：D = 0
FUJI功率MOSFET
10
1
10
0
第i （ CH-C ） [℃ / W]
10
-1
10
-2
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
吨[秒]
最大雪崩电流脉宽
10
2
I
AV
= F （T
AV
） ：首发总胆固醇= 25°C 。 VCC = 48V
雪崩电流I
AV
[A]
单脉冲
10
1
10
0
10
-1
10
-8
10
-2
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
AV
[秒]
外形图（毫米）
FUJI功率MOS FET
式（L）的
式（S）
FUJI功率MOS FET
式（ SJ ）
FUJI功率MOS FET
OUT VIEW
OUT VIEW
见注： 1 。
4
见注： 1 。
商标
图。 1 。
图。 1 。
见注： 1 。
商标
商标
LOT号
LOT号
型号名称
LOT号
型号名称
型号名称
焊前
图。 1 。
图。 1 。
连接
1
4 2
3
门
漏
来源
镀锡
焊前
笔记
1. （ ） ：参考尺寸。
2.金属部分覆盖有
焊料镀覆，切割的部分
是无焊料镀覆。
尺寸以毫米为单位。
连接
1
4
2
3
门
漏
来源
镀锡
连接
焊前
笔记
1
2
3
1门
2漏
3源
注： 1。保证标志
雪崩坚固性。
1. （ ） ：参考尺寸。
2.金属部分覆盖有
焊料镀覆，切割的部分
是无焊料镀覆。
尺寸以毫米为单位。
注： 1。保证标志
雪崩坚固性。
注：雪崩耐用1.保证标志。
尺寸以毫米为单位。
4
QQ：2880707522 复制
