2SK3728-01MR
FUJI功率MOSFET
N沟道硅功率MOSFET
外形图[MM ]
TO-220F
200305
超级FAP -G系列
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
应用
开关稳压器
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
重复或不重复
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
马克斯。功耗
工作和存储
温度范围
隔离电压
符号
评级
V
DS
900
V
DSX
*5
900
I
D
±2.2
I
D（ PULS ]
±8.8
V
GS
±30
I
AR
*2
2.2
E
AS
*1
127.2
dV
DS
/ DT
*4
40
dv / dt的
*3
5
P
D
Ta=25°C
2.16
Tc=25°C
26
T
ch
+150
-55到+150
T
英镑
V
ISO
*6
2000
单位
V
V
A
A
V
A
mJ
KV / μs的
KV / μs的
W
°C
°C
VRMS
等效电路示意
漏极（D ）
栅极（G ）
源极（S ）
* 1 L = 48.2mH ， VCC = 90V ，总胆固醇= 25°C看到雪崩能量图* 2总胆固醇<150 ℃，
=
*3 I
F
< -I
D
， -di / DT = 50A / μs的， Vcc的< BV
DSS
，总胆固醇< 150 ° C * 4 VDS< 900V * 5 VGS = -30V * 6 F = 60Hz的， T = 6秒。
=
=
=
=
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
= 250A
V
GS
=0V
I
D
= 250A
V
DS
=V
GS
V
DS
=900V V
GS
=0V
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
V
DS
=720V V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 1.1A V
GS
=10V
I
D
=1.1A
V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 600V我
D
=1.1A
V
GS
=10V
R
GS
=10
V
CC
=450V
I
D
=2.2A
V
GS
=10V
L = 48.2mH牛逼
ch
=25°C
I
F
= 2.2A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 2.2A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
900
3.0
典型值。
马克斯。
5.0
25
250
100
8.00
375
55
3.3
26
9
39
42
12.5
5.1
3.3
1.50
单位
V
V
A
nA
S
pF
1.1
6.15
2.2
250
36
2.2
17
6
26
28
8.3
3.4
2.2
0.90
0.8
2.2
ns
nC
2.2
A
V
s
C
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
4.808
58.0
单位
° C / W
° C / W
1
2SK3728-01MR
特征
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
2.5
25
FUJI功率MOSFET
30
典型的输出特性
ID = F （VDS） ：80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
20V
10V
7.0V
6.5V
2.0
20
6.0V
PD [ W]
ID [ A]
15
1.5
10
1.0
VGS=5.5V
5
0.5
0
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0
5
10
15
20
TC [
°
C]
VDS [V]的
10
典型的传输特性
ID = F（ VGS） ：80
脉搏测试， VDS = 25V ，总胆固醇= 25
°
C
10
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ： 80
脉搏测试， VDS = 25V ，总胆固醇= 25
°
C
ID [ A]
1
GFS [S]
0.1
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.1
1
10
VGS电压[V]的
ID [ A]
8.5
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ： 80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
VGS=5.5V
6.0V
6.5V
25.0
22.5
20.0
17.5
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 1.1A ， VGS = 10V
8.0
7.0V
10V
RDS （上）
]
RDS （上）
]
7.5
20V
15.0
12.5
10.0
7.5
5.0
马克斯。
7.0
6.5
典型值。
6.0
2.5
5.5
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
ID [ A]
TCH [
°
C]
2
2SK3728-01MR
FUJI功率MOSFET
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
栅极阈值电压与总胆固醇
VGS （ TH） = F （ TCH） ： VDS = VGS ， ID = 250μA
14
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 2.2A ，总胆固醇= 25
°
C
VCC = 180V
450V
720V
12
马克斯。
10
VGS （ TH） [V]
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
0
2
4
6
8
10
12
14
2
4
分钟。
VGS电压[V]的
8
6
TCH [
°
C]
QG [ NC ]
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
10
0
10
反向二极管的典型正向特性
IF = F（ VSD） ：80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
西塞
10
-1
C [ nF的]
科斯
10
-2
CRSS
10
-3
IF [ A]
1
0.1
10
0
10
1
10
2
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
VDS [V]的
VSD [V]的
10
3
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 600V ， VGS = 10V ， RG = 10
300
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E（ AS ） = F （首发TCH） ： VCC = 90V
I
AS
=1.0A
250
tf
10
2
200
TD （关闭）
I
AS
=1.4A
E
AS
[兆焦耳]
0
T [ NS ]
150
I
AS
=2.2A
TD （上）
10
1
100
tr
50
10
0
10
-1
0
0
25
50
75
100
125
150
10
ID [ A]
开始总胆固醇[
°
C]
3
2SK3728-01MR
FUJI功率MOSFET
10
2
最大雪崩电流脉宽
I
AV
= F （T
AV
） ：首发总胆固醇= 25
°
C,Vcc=90V
雪崩电流I
AV
[A]
10
1
单脉冲
10
0
10
-1
10
-8
10
-2
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
AV
[秒]
10
2
最大瞬态热阻抗
第i （ CH-C ）= F（T）为：D = 0
10
1
第i （ CH-C ） [℃ / W]
10
0
10
-1
10
-2
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
吨[秒]
http://www.fujielectric.co.jp/denshi/scd/
4
QQ：2880707522 复制
