2N3486A
硅PNP晶体管
数据表
描述
Semicoa半导体提供：
筛选和处理符合MIL -PRF- 19500
附录E
JAN级（ 2N3486AJ ）
JANTX级别（ 2N3486AJX ）
JANTXV级（ 2N3486AJV ）
QCI适用的级别
每MIL -STD- 750方法100 ％模目视检查
2072的JANTXV
辐射测试（总剂量）要求
应用
通用开关晶体管
低功耗
PNP硅晶体管
特点
密封TO- 46金属罐
在芯片配置也可
芯片几何尺寸0600
参考文献：
MIL-PRF-19500/392
好处
请联系Semicoa的特殊配置
www.SEMICOA.com或（ 714 ） 979-1900
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流，连续
功耗，T
A
= 25°C
线性降额超过37.5 ℃，
功耗，T
C
= 25°C
线性降额25°C以上
热阻
工作结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
P
T
资质等级： JAN ， JANTX ，并
JANTXV
辐射测试可用
T
C
= 25 ° C除非另有说明
等级
60
60
5
600
0.5
3.08
2.0
11.43
0.325
87
-65到+200
单位
伏
伏
伏
mA
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
θJA
R
θJC
T
J
T
英镑
Copyright 2002年
牧师F
Semicoa半导体公司
麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
第1页2
www.SEMICOA.com
2N3486A
硅PNP晶体管
数据表
电气特性
在T规定的特性
A
= 25°C
开关特性
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
发射基截止电流
基本特征
参数
符号
h
FE1
h
FE2
h
FE3
h
FE4
h
FE5
h
FE6
V
BEsat1
V
BEsat2
V
CEsat1
V
CEsat2
测试条件
I
C
= 0.1毫安， V
CE
= 10伏
I
C
= 1.0毫安， V
CE
= 10伏
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10伏
I
C
= 150毫安， V
CE
= 10伏
I
C
= 500毫安， V
CE
= 10伏
I
C
= 1.0毫安， V
CE
= 10伏
T
A
= -55°C
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
符号
V
（ BR ） CEO
I
CBO1
I
CBO2
I
CBO3
I
EBO1
I
EBO2
测试条件
I
C
= 10毫安
V
CB
= 60伏
V
CB
= 50伏
V
CB
= 50伏，T
A
= 150°C
V
EB
= 5伏
V
EB
= 3.5伏
民
60
10
10
10
10
50
典型值
最大
单位
伏
A
nA
A
A
nA
脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2.0%
直流电流增益
民
75
100
100
100
50
40
典型值
最大
单位
300
基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
动态特性
参数
震级 - 共发射极，短
电路正向电流传输比
小信号短路正向
电流传输比
开路输出电容
开路输入电容
开关特性
饱和导通时间
饱和的关断时间
1.3
2.6
0.4
1.6
伏
伏
符号
|h
FE
|
h
FE
C
敖包
C
IBO
测试条件
V
CE
= 20伏，我
C
= 50毫安，
F = 100 MHz的
V
CE
= 10伏，我
C
= 1毫安，
F = 1千赫
V
CB
= 10伏，我
E
= 0 mA时，
100千赫< F < 1兆赫
V
EB
= 2伏特，我
C
= 0 mA时，
100千赫< F < 1兆赫
民
2.0
100
典型值
最大
10
单位
8
30
pF
pF
t
ON
t
关闭
45
175
ns
ns
Copyright 2002年
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Semicoa半导体公司
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2N3485A
硅PNP晶体管
数据表
描述
Semicoa半导体提供：
筛选和处理符合MIL -PRF- 19500
附录E
JAN级（ 2N3485AJ ）
JANTX级别（ 2N3485AJX ）
JANTXV级（ 2N3485AJV ）
QCI适用的级别
每MIL -STD- 750方法100 ％模目视检查
2072的JANTXV
辐射测试（总剂量）要求
应用
通用开关
低功耗
PNP硅晶体管
特点
密封TO- 46金属罐
在芯片配置也可
芯片几何尺寸0600
参考文献：
MIL-PRF-19500/392
好处
请联系Semicoa的特殊配置
www.SEMICOA.com或（ 714 ） 979-1900
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流，连续
功耗，T
A
= 25°C
线性降额超过37.5 ℃，
功耗，T
C
= 25°C
线性降额25°C以上
热阻
工作结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
P
T
资质等级： JAN ， JANTX ，并
JANTXV
辐射测试可用
T
C
= 25 ° C除非另有说明
等级
60
60
5
600
0.5
3.08
2.0
11.43
0.325
87
-65到+200
单位
伏
伏
伏
mA
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
θJA
R
θJC
T
J
T
英镑
Copyright 2002年
牧师F
Semicoa半导体公司
麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
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2N3485A
硅PNP晶体管
数据表
电气特性
在T规定的特性
A
= 25°C
开关特性
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
发射基截止电流
基本特征
参数
符号
h
FE1
h
FE2
h
FE3
h
FE4
h
FE5
h
FE6
V
BEsat1
V
BEsat2
V
CEsat1
V
CEsat2
测试条件
I
C
= 0.1毫安， V
CE
= 10伏
I
C
= 1.0毫安， V
CE
= 10伏
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10伏
I
C
= 150毫安， V
CE
= 10伏
I
C
= 500毫安， V
CE
= 10伏
I
C
= 1.0毫安， V
CE
= 10伏
T
A
= -55°C
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
符号
V
（ BR ） CEO
I
CBO1
I
CBO2
I
CBO3
I
EBO1
I
EBO2
测试条件
I
C
= 10毫安
V
CB
= 60伏
V
CB
= 50伏
V
CB
= 50伏，T
A
= 150°C
V
EB
= 5伏
V
EB
= 3.5伏
民
60
10
10
10
10
50
典型值
最大
单位
伏
A
nA
A
A
nA
脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2.0%
直流电流增益
民
40
40
40
40
40
20
典型值
最大
单位
120
基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
动态特性
参数
震级 - 共发射极，短
电路正向电流传输比
小信号短路正向
电流传输比
开路输出电容
开路输入电容
开关特性
饱和导通时间
饱和的关断时间
1.3
2.6
0.4
1.6
伏
伏
符号
|h
FE
|
h
FE
C
敖包
C
IBO
测试条件
V
CE
= 20伏，我
C
= 50毫安，
F = 100 MHz的
V
CE
= 10伏，我
C
= 1毫安，
F = 1千赫
V
CB
= 10伏，我
E
= 0 mA时，
100千赫< F < 1兆赫
V
EB
= 2伏特，我
C
= 0 mA时，
100千赫< F < 1兆赫
民
2.0
40
典型值
最大
10
单位
8
30
pF
pF
t
ON
t
关闭
45
175
ns
ns
Copyright 2002年
牧师F
Semicoa半导体公司
麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
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小信号晶体管
TO- 46案例
型号
描述
BVCBO BVCEO BVEBO ICBO @ VCB
(V)
(V)
* VCER
*** ICEV
民
民
45
45
40
60
40
60
20
20
10
15
50
30
50
15
40
40
民
6.0
6.0
5.0
5.0
5.0
5.0
6.0
6.0
6.0
6.0
5.0
5.0
5.0
4.5
6.0
6.0
0.01
0.01
0.02
0.01
0.02
0.01
0.2
0.2
0.025**
0.025**
0.01
0.2**
0.2**
0.4
0.01
0.01
45
45
50
50
50
50
20
20
10
10
50
25
40
20
50
50
民
40
100
40
40
100
100
40
100
25
30
75
30
20
40
40
100
(V)
(A)
(V)
的hFE
@ IC @ VCE VCE （ SAT ） @ IC玉米棒
（MA ）
(V)
(V)
（MA ）
（PF ）
fT
（兆赫）
NF
（ dB）的
花花公子
（纳秒）
最大
120
300
120
120
300
300
120
300
150
120
225
120
80
--
120
300
0.01
0.01
150
150
150
150
10
10
150
150
150
1,000
1,000
10
150
150
5.0
5.0
10
10
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
10
1.5
1.5
1.0
10
10
最大
0.5
0.5
1.6
1.6
1.6
1.6
0.45
0.45
0.6
0.8
1.6
0.9
0.9
0.18
1.6
1.6
10
10
500
500
500
500
100
100
300
500
500
1,000
1,000
10
500
500
最大
6.0
6.0
8.0
8.0
8.0
8.0
4.0
4.0
4.0
4.0
9.0
9.0
9.0
4.0
8.0
8.0
民
30
30
200
200
200
200
500
500
350
450
200
250
250
500
250
300
最大
4.0
3.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
最大
--
--
180
180
180
180
28
28
25
18
100
60
60
12
285
285
2N2604
2N2605
2N3485*
2N3485A*
2N3486*
2N3486A*
2N3508
2N3509*
2N3647*
2N3648*
2N3673*
2N3736*
2N3737*
2N4449*
2N5581*
2N5582
PNP低噪声
PNP低噪声
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN SAT SWITCH
NPN SAT SWITCH
NPN SAT SWITCH
NPN SAT SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN SAT SWITCH
NPN SAT SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
60
60
60
60
60
60
40
40
40
40
60
50
75
40
75
75
*仅适用于特殊的顺序;请咨询厂家。
68
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
数据表号2C2907A
芯片型号2C2907A
几何0600
极性PNP
通用封装器件：
2N2905 ， 2N2905A ， 2N2907 ，
2N2907A
芯片型号
2C2907A
通过Semicoa
半导体提供perfor-
MANCE类似于这些设备。
型号：
产品简介：
应用范围：
专为gen-
ERAL用途开关和放大器
应用程序。
有效辐射图
2N2905,
2N2905A ， 2N2905AL ，
2N2907,
2N2907A,
2N2907AUB,
SD2907A ， SD2907AF ， SQ2907A ，
产品特点：
SQ2907AF ， 2N3486 ， 2N3486A ， 2N6987 ， 2N6989
机械的特定网络阳离子
金属化
焊盘尺寸
模具厚度
芯片面积
顶面
顶部
背面
辐射源
BASE
艾尔 - 嘉18分钟。
金 - 6.5 KA NOM 。
4.0密耳X 4.0密耳
4.0密耳X 4.0密耳
8密耳的名义
20密耳×20密耳
SILOX钝化
电气特性
T
A
= 25
o
C
参数
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
测试条件
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
I
C
= 10 μA ，我
E
= 0
I
E
= 10 μA ，我
C
= 0
V
CB
= 50 V，I
E
= 0
民
60
60
5.0
---
最大
---
---
---
10
单位
V DC
V DC
V DC
nA
h
FE
I
C
= 150 mA dc直流电，V
CE
= 10 V
100
300
---
由于探针测试的限制，只有直流参数进行测试。这是一定要做脉冲宽度小于
超过300微秒，比2 ％的占空比少。
数据表号2N3486A
类型2N3486A
几何
0600
极性PNP
QUAL等级： JAN - JANTXV
产品特点：
通用晶体管
开关和放大器应用
吨。
装在一个
TO-46
情况。
还采用芯片形式提供
该
0600
芯片的几何形状。
显示的最小和最大限值
每
MIL-PRF-19500/392
哪
Semicoa满足于所有情况。
该
典型值
值是实际的批
平均值Semicoa 。
辐射图提供。
通用型号：
2N3486A
REF ： MIL -PRF- 392分之19500
TO-46
最大额定值
T
C
= 25
o
C除非另有说明
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流，连续
工作结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
T
英镑
等级
60
60
5.0
600
-55到+200
-55到+200
单位
V
V
V
mA
o
C
C
o
小信号晶体管
TO- 46案例
型号
描述
BVCBO BVCEO BVEBO ICBO @ VCB
(V)
(V)
* VCER
*** ICEV
民
民
45
45
40
60
40
60
20
20
10
15
50
30
50
15
40
40
民
6.0
6.0
5.0
5.0
5.0
5.0
6.0
6.0
6.0
6.0
5.0
5.0
5.0
4.5
6.0
6.0
0.01
0.01
0.02
0.01
0.02
0.01
0.2
0.2
0.025**
0.025**
0.01
0.2**
0.2**
0.4
0.01
0.01
45
45
50
50
50
50
20
20
10
10
50
25
40
20
50
50
民
40
100
40
40
100
100
40
100
25
30
75
30
20
40
40
100
(V)
(A)
(V)
的hFE
@ IC @ VCE VCE （ SAT ） @ IC玉米棒
（MA ）
(V)
(V)
（MA ）
（PF ）
fT
（兆赫）
NF
（ dB）的
花花公子
（纳秒）
最大
120
300
120
120
300
300
120
300
150
120
225
120
80
--
120
300
0.01
0.01
150
150
150
150
10
10
150
150
150
1,000
1,000
10
150
150
5.0
5.0
10
10
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
10
1.5
1.5
1.0
10
10
最大
0.5
0.5
1.6
1.6
1.6
1.6
0.45
0.45
0.6
0.8
1.6
0.9
0.9
0.18
1.6
1.6
10
10
500
500
500
500
100
100
300
500
500
1,000
1,000
10
500
500
最大
6.0
6.0
8.0
8.0
8.0
8.0
4.0
4.0
4.0
4.0
9.0
9.0
9.0
4.0
8.0
8.0
民
30
30
200
200
200
200
500
500
350
450
200
250
250
500
250
300
最大
4.0
3.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
最大
--
--
180
180
180
180
28
28
25
18
100
60
60
12
285
285
2N2604
2N2605
2N3485*
2N3485A*
2N3486*
2N3486A*
2N3508
2N3509*
2N3647*
2N3648*
2N3673*
2N3736*
2N3737*
2N4449*
2N5581*
2N5582
PNP低噪声
PNP低噪声
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN SAT SWITCH
NPN SAT SWITCH
NPN SAT SWITCH
NPN SAT SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN SAT SWITCH
NPN SAT SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
60
60
60
60
60
60
40
40
40
40
60
50
75
40
75
75
*仅适用于特殊的顺序;请咨询厂家。
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QQ：2880707522 复制
