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数据表
MOS场效应
2SK3713
开关
N沟道功率MOS FET
描述
的2SK3713是N沟道MOS场效应晶体管
设计用于高压和高速开关
应用程序。
订购信息
产品型号
2SK3713-SK
TO-262
特点
超高V
GS ( OFF )
: V
GS ( OFF )
= 3.8 5.8 V
低C
RSS
: C
RSS
= 6.5 pF的典型。
低Q
G
: Q
G
= 25 NC TYP 。
低通态电阻:
R
DS ( ON)
= 0.83
MAX 。 (V
GS
= 10 V,I
D
= 5 A)
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
漏源极电压(V
GS
= 0 V)
门源电压(V
DS
= 0 V)
漏电流( DC ) (T
C
= 25°C)
漏电流(脉冲)
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
600
±30
±10
±35
100
1.5
150
55
+150
10
6
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
总功率耗散(T
C
= 25°C)
总功率耗散(T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
Note2
Note2
I
AS
E
AS
注意事项1 。
PW
10
S,占空比
1%
2.
起始物为
ch
= 25 ° C,V
DD
= 100 V,L = 100
H,R
G
= 25
,
V
GS
= 20
0 V
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证实,这是最新版本。
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一号文件D16588EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期2003年9月NS CP ( K)
日本印刷
2003
2SK3713
电气特性(T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
| y
fs
|
R
DS ( ON)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
测试条件
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V,I
D
= 5 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 5 A
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 150 V,I
D
= 5 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
分钟。
典型值。
马克斯。
100
±100
单位
A
nA
V
S
3.8
2.5
4.8
4.6
0.68
1460
250
6.5
26
8.5
30
5.2
5.8
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
0.83
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DD
= 450 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 10 A
I
F
= 10 A,V
GS
= 0 V
I
F
= 10 A,V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A /
s
25
12
9
0.9
450
4.0
1.5
V
F( S- D)的
t
rr
Q
rr
V
ns
C
脉冲
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
PG 。
V
GS
= 20
0 V
BV
DSS
V
DS
V
GS
0
τ
τ
= 1
s
占空比
1%
I
D
电波表
测试电路2开关时间
L
V
DD
PG 。
D.U.T.
R
L
V
GS
V
GS
电波表
50
R
G
0
10%
V
GS
90%
V
DD
I
D
90%
90%
I
AS
I
D
V
DD
I
D
0 10%
10%
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
起始物为
ch
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
50
R
L
V
DD
PG 。
2
数据表D16588EJ1V0DS
2SK3713
典型特征(T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
胸苷 - 百分比额定功率 - %
P
T
- 总功耗 - W
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
总功耗对比
外壳温度
T
C
- 外壳温度 -
°C
T
C
- 外壳温度 -
°C
正向偏置安全工作区
100
R
DS ( ON)
有限
(在V
GS
= 10 V)
I
D( DC)的
1
I
D(脉冲)
I
D
- 漏电流 - 一个
10
0.1
PW = 100
s
1毫秒
10毫秒
功耗有限公司
单脉冲
T
C
= 25°C
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
r
日(T )
- 瞬态热阻 -
° C / W
1000
R
第(章-a)的
= 83.3C / W
100
10
1
R
TH( CH-C )
= 1.25C / W
0.1
0.01
100
1m
10 m
100 m
1
PW - 脉冲宽度 - S
10
100
1000
数据表D16588EJ1V0DS
3
2SK3713
漏电流与
漏源极电压
40
35
V
GS
= 10 V
脉冲
正向传递特性
100
10
1
0.1
0.01
0.001
V
DS
= 10 V
脉冲
T
A
= 150°C
125°C
75°C
25°C
25°C
I
D
- 漏电流 - 一个
30
25
20
15
10
5
0
0
10
V
GS
= 20 V
10 V
I
D
- 漏电流 - 一个
40
20
30
0.0001
0
5
10
15
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
GATE截止电压主场迎战
通道温度
6
100
正向转移导纳主场迎战
漏电流
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
V
DS
= 10 V
脉冲
T
A
=
25°C
25°C
75°C
V
GS ( OFF )
- 栅极截止电压 - V
5.5
5
4.5
4
3.5
3
V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
10
1
125°C
150°C
0.1
2.5
25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.01
0.1
1
10
100
T
ch
- 通道温度 -
°
C
I
D
- 漏电流 - 一个
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 -
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 -
漏极至源极导通电阻与
漏电流
2
脉冲
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
1.8
脉冲
1.5
V
GS
= 10 V
1
20 V
0.5
0.1
1
10
100
1.2
I
D
= 10 A
5A
2A
0.6
0
3
7
11
15
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
4
数据表D16588EJ1V0DS
2SK3713
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 -
漏极至源极导通电阻与
通道温度
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 5.0 A
电容与漏源极电压
10000
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
V
GS
= 10 V
脉冲
C
国际空间站
1000
C
OSS
100
10
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
1
0.1
1
10
C
RSS
100
1000
T
ch
- 通道温度 - C
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
开关特性
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
t
D(上)
, t
r
, t
D(关闭)
, t
f
- 开关时间 - NS
1000
V
DD
= 150 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
t
f
t
D(关闭)
t
D(上)
10
t
r
动态输入/输出特性
V
DD
= 450 V
300 V
150 V
I
D
= 10 A
400
300
200
100
0
12
9
6
100
V
GS
V
DS
3
0
1
0.1
1
10
100
0
4
8
12
16
20
24
I
D
- 漏电流 - 一个
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
源极到漏极二极管
正向电压
100
反向恢复时间对比
二极管的正向电流
1000
10
V
GS
= 10 V
1
0V
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
脉冲
V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A /
s
100
0.1
0.01
0
0.5
1
1.5
10
0.1
1
10
100
V
F( S- D)的
- 源极到漏极电压 - V
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
数据表D16588EJ1V0DS
5
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
500
15
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    联系人:杨小姐
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NEC
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2SK3713-SK
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