【SavantIC半导体产品speci fi cation硅NPN功率晶体管2N6492描述·采用TO】,IC型号2N6492,2N6492 PDF资料,2N6492经销商,ic,电子元器件-51电子网

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SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2N6492

描述

·采用TO-3封装

·低集电极饱和电压

·高直流电流增益

·达林顿

应用

·通用功率放大器和

低频具有结构转换的应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta =

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

D

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

55

45

5

15

100

150

-65~200

单位

V

V

V

A

W

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

1.75

单位

/W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tm=25

除非另有说明

参数

条件

民

典型值。

2N6492

符号

最大

单位

V

CEO （ SUS ）

V

CESAT

V

BESAT

V

BE

I

首席执行官

I

CEX

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

集电极 - 发射极电压维持

I

C

= 0.1 A;我

B

=0

I

C

= 10A ;我

B

=100mA

I

C

= 10A ;我

B

=100mA

I

C

= 3A ; V

CE

=4V

V

CE

= 40V ;我

B

=0

V

CE

=55V; V

BE （OFF）的

=-1.5V

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 3A ; V

CE

=4V

I

C

= 15A ; V

CE

=4V

45

V

集电极 - 发射极饱和电压

3.0

V

基射极饱和电压

4.0

V

基射极电压上

2.8

V

集电极截止电流

1.0

mA

集电极截止电流

0.5

mA

发射极截止电流

3.0

mA

直流电流增益

500

直流电流增益

100

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N6492

图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2N6492

描述

·带

TO- 3封装

ULOW

集电极饱和电压

高

直流电流增益

·达林顿

应用

通用

功率放大器和

低频具有结构转换的应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta =

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

D

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

55

45

5

15

100

150

-65~200

单位

V

V

V

A

W

℃

℃

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

1.75

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有规定的Tm = 25℃

符号

参数

条件

民

典型值。

2N6492

最大

单位

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极电压维持

I

C

= 0.1 A;我

B

=0

45

V

V

CESAT

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 10A ;我

B

=100mA

3.0

V

V

BESAT

基射极饱和电压

I

C

= 10A ;我

B

=100mA

4.0

V

V

BE

基射极电压上

I

C

= 3A ; V

CE

=4V

2.8

V

I

首席执行官

集电极截止电流

V

CE

= 40V ;我

B

=0

1.0

mA

I

CEX

集电极截止电流

V

CE

=55V; V

BE （OFF）的

=-1.5V

0.5

mA

I

EBO

发射极截止电流

V

EB

= 5V ;我

C

=0

3.0

mA

h

FE-1

直流电流增益

I

C

= 3A ; V

CE

=4V

500

h

FE-2

直流电流增益

I

C

= 15A ; V

CE

=4V

100

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N6492

图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的

3

JMnic

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2N6492

描述

·带

TO- 3封装

ULOW

集电极饱和电压

高

直流电流增益

·达林顿

应用

通用

功率放大器和

低频具有结构转换的应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta =

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

D

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

55

45

5

15

100

150

-65~200

单位

V

V

V

A

W

℃

℃

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

1.75

单位

℃/W

JMnic

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有规定的Tm = 25℃

符号

参数

条件

民

典型值。

2N6492

最大

单位

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极电压维持

I

C

= 0.1 A;我

B

=0

45

V

V

CESAT

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 10A ;我

B

=100mA

3.0

V

V

BESAT

基射极饱和电压

I

C

= 10A ;我

B

=100mA

4.0

V

V

BE

基射极电压上

I

C

= 3A ; V

CE

=4V

2.8

V

I

首席执行官

集电极截止电流

V

CE

= 40V ;我

B

=0

1.0

mA

I

CEX

集电极截止电流

V

CE

=55V; V

BE （OFF）的

=-1.5V

0.5

mA

I

EBO

发射极截止电流

V

EB

= 5V ;我

C

=0

3.0

mA

h

FE-1

直流电流增益

I

C

= 3A ; V

CE

=4V

500

h

FE-2

直流电流增益

I

C

= 15A ; V

CE

=4V

100

2

JMnic

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硅NPN功率晶体管

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图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的

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电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

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电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318

联系人：销售部

地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房

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MOT

2024

835

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