富士功率MOSFET SuperFAP -G系列目标规格
预赛INARY
2SK3686-01 （ 600V / 0.54
/16A)
1 ）套餐
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
重复和不重复
最大雪崩电流
不重复
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
最大功率耗散
工作和存储
温度范围
这种材料和本文所述的信息的属性
富士电气有限公司。他们应既不转载，复制，
借出，或披露任何方式进行使用任何
第三方或用于制造无目的
快递富士电机有限公司的书面同意。
TO-220
2 ）绝对最大额定值（TC = 25 ℃
除非另有规定编）
符号
V
DS
I
D
I
D（脉冲）
V
GS
I
AR
E
AS
dV
DS
/ DT
dv / dt的
P
D＠Ｔc=25℃
P
D
T
ch
T
英镑
@Ta=25℃
评级
600
±16
±64
±30
16
242.7
20
5
270
2.02
150
-55
+150
单位
V
A
A
V
A
mJ
千伏/美国
千伏/美国
W
W
℃
℃
*1
*2
3 ）电气特性（TCH = 25 ℃除非另有规定）
项
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏（米勒）充电
雪崩能力
二极管正向导通电压
符号
BV
DSS
V
GS
（ TH ）
I
DSS
I
GSS
R
DS
（上）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Qg
QGS
QGD
I
AV
V
SD
测试条件
I
D
=250uA
I
D
=250uA
V
DS
=600V
V
GS
=0V
V
GS
=±30V
I
D
=8A
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
Vcc=300V
I
D
=16A
V
GS
=10V
L=1.74mH
Tch=25
℃
I
F
=16A,VGS=0V,Tch=25
℃
V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
T
ch
=25
℃
T
ch
=125
℃
V
DS
=0V
VGS=10V
分钟。
600
3.0
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
16
---
典型值。
---
---
---
---
---
---
1590
210
11
33
16
11.5
---
1.0
马克斯。
---
5.0
25
250
100
0.54
2390
315
16.5
49.5
24
17.3
---
1.2
A
V
pF
单位
V
V
μ
A
μ
A
μ
A
Ω
nC
4 ）热特性
项
渠道情况
渠道环境
* 1 L = 1.74mH ， VCC = 60V
符号
RTH （ CH -C ）
RTH （ CH -A ）
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
0.463
62.0
单位
℃
/W
℃
/W
*2 I
F
≤
-I
D
,-di/dt=50A/
S， Vcc的
≤
BV
DSS
，总胆固醇
≤
150
°
C
日期
DRAWN
Sep.-02-'02
检查
Sep.-02-'02
修订
MA4LE
名字
批准
DWG.NO.
富士电气有限公司。
MT5F12585
1/1
2SK3686-01
特征
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
FUJI功率MOSFET
400
50
典型的输出特性
ID = F （VDS） ：80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
40
300
PD [ W]
200
ID [ A]
30
20V
10V
8V
7V
20
6.5V
100
10
VGS=6.0V
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
4
8
12
16
20
24
TC [
°
C]
VDS [V]的
100
典型的传输特性
ID = F（ VGS） ：80
脉搏测试， VDS = 25V ，总胆固醇= 25
°
C
100
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ： 80
脉搏测试， VDS = 25V ，总胆固醇= 25
°
C
10
10
ID [ A]
1
1
0.1
0.1
0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
GFS [S]
1
10
100
VGS电压[V]的
ID [ A]
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ： 80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
VGS=6V
6.5V
1.5
1.4
1.3
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 8A ， VGS = 10V
7V
8V
10V
20V
1.2
1.1
RDS （上）
]
RDS （上）
]
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
典型值。
马克斯。
0
10
20
30
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
ID [ A]
TCH [
°
C]
2
2SK3686-01
FUJI功率MOSFET
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
栅极阈值电压与总胆固醇
VGS （次） = F（总胆固醇） ： VDS = VGS ，ID = 250
A
14
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 16A ，总胆固醇= 25
°
C
12
VCC = 120V
马克斯。
10
480V
300V
VGS （ TH） [V]
4.5
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
分钟。
VGS电压[V]的
4.0
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
TCH [
°
C]
QG [ NC ]
10
4
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
100
反向二极管的典型正向特性
IF = F（ VSD） ：80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
西塞
10
3
10
C [ pF的]
10
2
科斯
IF [ A]
1
10
3
10
1
CRSS
10
0
10
0
10
1
10
2
0.1
0.00 0.25 0.50 0.75 1.00 1.25 1.50 1.75 2.00 2.25 2.50
VDS [V]的
VSD [V]的
10
3
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 300V ， VGS = 10V ， RG = 10
700
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E（ AV ） = F （首发TCH） ： VCC = 60V ， I（ AV） < = 16A
600
I
AS
=7A
500
10
2
TD （关闭）
TD （上）
EAV [兆焦耳]
400
I
AS
=10A
T [ NS ]
300
I
AS
=16A
200
10
1
tr
tf
100
10
0
10
-1
10
0
10
1
10
2
0
0
25
50
75
100
125
150
ID [ A]
开始总胆固醇[
°
C]
3
2SK3686-01
FUJI功率MOSFET
10
最大雪崩电流脉宽
I = F（T
AV
） ：首发总胆固醇= 25
°
C,Vcc=50V
2
AV
雪崩电流I
AV
[A]
单脉冲
1
10
10
0
10
-1
10
-8
10
-2
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
AV
[秒]
10
1
最大瞬态热阻抗
第i （ CH-C ）= F（T）为：D = 0
10
0
第i （ CH-C ） [℃ / W]
10
-1
10
-2
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
吨[秒]
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/
4
2SK3686-01
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
FUJI功率MOSFET
200509
超级FAP -G系列
N沟道硅功率MOSFET
外形图[MM ]
TO-220AB
应用
开关稳压器
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
评级
单位
V
600
V
600
A
连续漏电流
±16
A
漏电流脉冲
±64
V
栅源电压
±30
A
重复或不重复
16
mJ
最大雪崩能量
242.7
KV / μs的
最大漏源的dV / dt
20
KV / μs的
峰值二极管恢复的dv / dt
5
马克斯。功耗
2.02
W
270
+150
工作和存储
T
ch
°C
-55到+150
温度范围
T
英镑
°C
<150°C
* 1 L = 1.74mH ， VCC = 60V ，看到雪崩能量图* 2 =总胆固醇
＆ LT ;
*3 I
F
< -I
D
， -di / DT = 50A / μs的， Vcc的< BV
DSS
，总胆固醇< 150 ° C * 4 VDS = 600V * 5 V
GS
=-30V
=
=
=
项
漏源电压
符号
V
DS
V
DSX * 5
I
D
I
D（ PULS ]
V
GS
I
AR
*2
E
AS
*1
dV
DS
/ DT
*4
dv / dt的
*3
P
D
Ta=25°C
Tc=25°C
等效电路示意
漏极（D ）
栅极（G ）
源极（S ）
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
项
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
I
D
= 250
μ
A
V
GS
=0V
I
D
= 250
μ
A
V
DS
=V
GS
V
DS
=600V V
GS
=0V
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
V
DS
=480V V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 8A V
GS
=10V
I
D
= 8A V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 300V我
D
=8A
V
GS
=10V
R
GS
=10
Ω
V
CC
=300V
I
D
=16A
V
GS
=10V
L = 1.74mH牛逼
ch
=25°C
I
F
= 16A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 16A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
600
3.0
10
0.42
6.5
13
1590
2390
200
300
11
17
29
43.5
16
24
58
87
8
12
34
51
12
18
10
15
16
1.00
1.50
0.68
7.8
5.0
25
250
100
0.57
V
V
μA
nA
Ω
S
pF
ns
nC
A
V
μs
μC
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
0.463
62.0
单位
° C / W
° C / W
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/
1
2SK3686-01
特征
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
FUJI功率MOSFET
400
50
典型的输出特性
ID = F （VDS） ：80
μ
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
40
300
PD [ W]
200
ID [ A]
30
20V
10V
8V
7V
20
6.5V
10
VGS=6.0V
100
0
0
0
25
50
75
100
125
150
0
4
8
12
16
20
24
TC [
°
C]
VDS [V]的
100
典型的传输特性
ID = F（ VGS） ：80
μ
脉搏测试， VDS = 25V ，总胆固醇= 25
°
C
100
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ： 80
μ
脉搏测试， VDS = 25V ，总胆固醇= 25
°
C
10
10
ID [ A]
1
GFS [S]
1
0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.1
0.1
1
10
100
VGS电压[V]的
ID [ A]
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ： 80
μ
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
VGS=6V
6.5V
1.5
1.4
1.3
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 8A ， VGS = 10V
7V
8V
10V
20V
1.2
1.1
RDS （上）
Ω
]
RDS （上）
Ω
]
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
典型值。
马克斯。
0
10
20
30
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
ID [ A]
TCH [
°
C]
2
2SK3686-01
FUJI功率MOSFET
7.0
6.5
6.0
5.5
栅极阈值电压与总胆固醇
VGS （次） = F（总胆固醇） ： VDS = VGS ，ID = 250
μ
A
14
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 16A ，总胆固醇= 25
°
C
12
VCC = 120V
VGS （ TH） [V]
5.0
4.5
马克斯。
10
480V
300V
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
分钟。
VGS电压[V]的
4.0
8
6
4
2
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
20
30
40
50
60
TCH [
°
C]
QG [ NC ]
10
4
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
100
反向二极管的典型正向特性
IF = F（ VSD） ：80
μ
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
西塞
10
3
10
C [ pF的]
10
2
科斯
IF [ A]
1
10
1
CRSS
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
0.1
0.00 0.25 0.50 0.75 1.00 1.25 1.50 1.75 2.00 2.25 2.50
VDS [V]的
VSD [V]的
10
3
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 300V ， VGS = 10V ， RG = 10
Ω
700
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E（ AV ） = F （首发TCH） ： VCC = 60V ， I（ AV） < = 16A
600
I
AS
=7A
500
10
2
TD （关闭）
TD （上）
EAV [兆焦耳]
400
I
AS
=10A
T [ NS ]
300
I
AS
=16A
200
10
1
tr
tf
100
10
0
0
-1
10
10
0
10
1
10
2
0
25
50
75
100
125
150
ID [ A]
开始总胆固醇[
°
C]
3
2SK3686-01
FUJI功率MOSFET
10
2
最大雪崩电流脉宽
I
AV
= F （T
AV
） ：首发总胆固醇= 25
°
C,Vcc=50V
单脉冲
雪崩电流I
AV
[A]
10
1
10
0
10
-1
10
-8
10
-2
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
AV
[秒]
10
1
最大瞬态热阻抗
第i （ CH-C ）= F（T）为：D = 0
10
0
第i （ CH-C ） [℃ / W]
10
-1
10
-2
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
吨[秒]
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/
4
QQ：2880707522 复制
