添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第155页 > 2SA794A
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA794 2SA794A
描述
·带
TO- 126封装
.Complement
键入2SC1567 / 1567A
集电极 - 发射极电压V
首席执行官
应用
For
低频输出驱动
=优化
对于低驱动级
频率和40W到100W的输出
扩音器
钉扎
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
参数
2SA794
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SA794A
2SA794
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SA794A
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
-120
-5
-0.5
-1
1.2*
150
-55~+150
V
A
A
W
发射极开路
-120
-100
V
条件
价值
-100
V
单位
*
无散热片
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
2SA794
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
2SA794A
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BESAT
h
FE-1
h
FE-2
C
OB
f
T
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
直流电流增益
集电极输出电容
跃迁频率
I
E
= -1μA ,我
C
=0
I
C
= -500mA ,我
B
=-50mA
I
C
= -500mA ,我
B
=-50mA
I
C
= -150mA ; V
CE
=-10V
I
C
= -500mA ; V
CE
=-5V
I
E
=0 ; V
CB
=-10V;f=1MHz
V
CB
=-10V;I
E
=50mA;f=200MHz
I
C
= -100μA ,我
B
=0
条件
2SA794 2SA794A
-100
典型值。
最大
单位
V
-120
-5
-0.2
-0.85
90
50
20
120
pF
兆赫
-0.4
-1.2
220
V
V
V
h
FE-1
分类
Q
90-155
R
130-220
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA794 2SA794A
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA794 2SA794A
描述
·采用TO- 126封装
·补键入2SC1567 / 1567A
·高集电极 - 发射极电压V
首席执行官
应用
·对于低频输出驱动器
·优化的低驱动级
频率和40W到100W的输出
扩音器
钉扎
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
参数
2SA794
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SA794A
2SA794
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SA794A
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
-120
-5
-0.5
-1
1.2*
150
-55~+150
V
A
A
W
发射极开路
-120
-100
V
条件
价值
-100
V
单位
*
无散热片
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2SA794
I
C
= -100μA ,我
B
=0
2SA794A
I
E
= -1μA ,我
C
=0
I
C
= -500mA ,我
B
=-50mA
I
C
= -500mA ,我
B
=-50mA
I
C
= -150mA ; V
CE
=-10V
I
C
= -500mA ; V
CE
=-5V
I
E
=0 ; V
CB
=-10V;f=1MHz
V
CB
=-10V;I
E
=50mA;f=200MHz
条件
2SA794 2SA794A
符号
-100
典型值。
最大
单位
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
V
-120
-5
-0.2
-0.85
90
50
20
120
pF
兆赫
-0.4
-1.2
220
V
V
V
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BESAT
h
FE-1
h
FE-2
C
OB
f
T
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
直流电流增益
集电极输出电容
跃迁频率
h
FE-1
分类
Q
90-155
R
130-220
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA794 2SA794A
图2外形尺寸
3
功率晶体管
2SA0794
(2SA794)
, 2SA0794A
(2SA794A)
PNP硅外延平面型
对于低频输出驱动
补充2SC1567 , 2SC1567A
φ
3.16
±0.1
3.8
±0.3
单位:mm
8.0
+0.5
–0.1
3.2
±0.2
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压
(发射极开路)
2SA0794
2SA0794A
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
等级
100
120
100
120
5
0.5
1
1.2
150
55
to
+150
V
A
A
W
°C
°C
V
单位
V
0.75
±0.1
4.6
±0.2
0.5
±0.1
0.5
±0.1
2.3
±0.2
3
1.76
±0.1
1
2
集电极 - 发射极电压2SA0794
(基地开)
2SA0794A
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 发射极电压
(基地开)
2SA0794
2SA0794A
V
EBO
h
FE1 *
h
FE2
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(共同的基础,输入开路)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
I
E
= 1 A,
I
C
=
0
V
CE
= 10
V,I
C
= 150
mA
V
CE
= 5
V,I
C
= 500
mA
I
C
= 500
妈,我
B
= 50
mA
I
C
= 500
妈,我
B
= 50
mA
V
CB
= 10
V,I
E
=
50毫安,女
=
200兆赫
V
CB
= 10
V,I
E
=
0, f
=
1兆赫
符号
V
首席执行官
条件
I
C
= 100 A,
I
B
=
0
100
120
5
90
50
100
0.2
0.85
120
20
30
0.4
1.20
V
V
兆赫
pF
220
V
典型值
最大
单位
V
发射极 - 基极电压(集电极开路)
正向电流传输比
注) 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * :等级分类
h
FE1
Q
90 155
R
130至220
注)括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期: 2003年2月
SJD00001BED
16.0
±1.0
高集电极 - 发射极电压(基本开)V
首席执行官
最适用于低频的驱动级和40瓦到100瓦
输出放大器器
TO- 126B封装,无需保温板功能的安装
灰到散热器
1.9
±0.1
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
TO- 126B -A1套餐
3.05
±0.1
特点
11.0
±0.5
1
2SA0794 , 2SA0794A
P
C
T
a
1.6
1.2
I
C
V
CE
T
C
=
25°C
18
马口
B
= 20
mA
16
mA
14
mA
12
mA
10
mA
8
mA
6
mA
4
mA
2
mA
I
C
I
B
1.2
V
CE
= 10
V
T
C
=
25°C
集电极耗散功率P
C
(W)
1.0
1.0
集电极电流I
C
(A)
0.8
0.8
0.6
0.4
0.4
0.2
0
0
40
80
120
160
0
集电极电流I
C
(A)
1.2
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2
4
6
8
10
12
0
0
2
4
6
8 10 12 14
环境温度T
a
(
°C
)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
基极电流I
B
(MA )
I
C
V
BE
V
CE
= 10
V
T
a
=
125°C
75°C
25°C
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
基射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
I
C
/ I
B
=
10
V
BE ( SAT )
I
C
I
C
/ I
B
=
10
0.6
0.5
集电极电流I
C
(A)
1
1
T
C
= 25°C
100°C
25°C
0.4
0.3
T
C
=
100°C
25°C
25°C
0.2
0.1
0.1
0.1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.01
0.01
0.1
1
0.01
0.01
0.1
1
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
h
FE
I
C
200
V
CE
= 10
V
f
T
I
E
V
CB
= 10
V
f
=
200兆赫
T
C
=
25°C
160
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
50
I
E
=
0
f
=
1兆赫
T
C
=
25°C
40
正向电流传输比H
FE
1 000
过渡频率f
T
(兆赫)
T
C
=
100°C
25°C
100
25°C
120
30
80
20
40
10
10
0.01
0.1
1
0
1
10
100
0
1
10
100
集电极电流I
C
(A)
发射极电流I
E
(MA )
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
2
SJD00001BED
2SA0794 , 2SA0794A
I
首席执行官
T
a
10
5
V
CE
=
20 V
10
4
I
CBO
T
a
V
CB
= 20
V
10
安全工作区
单脉冲
T
C
=
25°C
I
CP
I
C
0.1
t
=
1s
t
=
10毫秒
10
4
10
3
10
2
10
2
10
10
1
0
40
80
120
160
200
1
集电极电流I
C
(A)
10
3
1
I
CBO
(T
a
)
I
CBO
(T
a
=
25°C)
I
首席执行官
(T
a
)
I
首席执行官
(T
a
=
25°C)
0.01
0
40
80
120
160
0.001
1
10
100
1
000
环境温度T
a
(°C)
环境温度T
a
(°C)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
SJD00001BED
3
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本政府主管部门获得的
如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表characteris-
抽搐和产品的应用电路示例。它既不保证不侵权的好知识
识产权权利或本公司或第三方,也不授予任何许可拥有的任何其他权利。
( 3 )我们不为权利所产生出使用的第三方拥有的侵权责任
产品或如在本材料中描述的技术。
(4)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般
电子设备(如办公设备,通讯设备,测量仪器
ments和家用电器) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备,
燃烧设备,生命支持系统和安全装置),其中卓越的品质和
可靠性是必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 5 )在本材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不
通知进行修改和/或改进。在您的设计,采购,或使用的最后阶段
的产品,因此,要求的最先进的最新产品标准提前,以确保
最新的规格满足您的要求。
( 6 )在设计你的装备,符合保障的价值,特别是对马克西 -
妈妈等级,工作电源电压的范围内,和热辐射特性。其它 -
明智的,我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,考虑到审议
分解,失效模式,可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上,如冗余设计,火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤,火灾,社会的损害,例如,通过使用
产品。
(7 )在使用的量防潮包装是必需的产品,观察的条件(包括
保质期的时间,让站在非密封件)同意在规格表后,
单独交流。
( 8 )该材料可不能转载或复制全部或部分,未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年七月
功率晶体管
2SA0794
(2SA794)
, 2SA0794A
(2SA794A)
PNP硅外延平面型
对于低频输出驱动
补充2SC1567 , 2SC1567A
φ
3.16
±0.1
3.8
±0.3
单位:mm
8.0
+0.5
–0.1
3.2
±0.2
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压
(发射极开路)
2SA0794
2SA0794A
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
等级
100
120
100
120
5
0.5
1
1.2
150
55
to
+150
V
A
A
W
°C
°C
V
单位
V
0.75
±0.1
4.6
±0.2
0.5
±0.1
0.5
±0.1
2.3
±0.2
3
1.76
±0.1
1
2
集电极 - 发射极电压2SA0794
(基地开)
2SA0794A
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 发射极电压
(基地开)
2SA0794
2SA0794A
V
EBO
h
FE1 *
h
FE2
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(共同的基础,输入开路)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
I
E
= 1 A,
I
C
=
0
V
CE
= 10
V,I
C
= 150
mA
V
CE
= 5
V,I
C
= 500
mA
I
C
= 500
妈,我
B
= 50
mA
I
C
= 500
妈,我
B
= 50
mA
V
CB
= 10
V,I
E
=
50毫安,女
=
200兆赫
V
CB
= 10
V,I
E
=
0, f
=
1兆赫
符号
V
首席执行官
条件
I
C
= 100 A,
I
B
=
0
100
120
5
90
50
100
0.2
0.85
120
20
30
0.4
1.20
V
V
兆赫
pF
220
V
典型值
最大
单位
V
发射极 - 基极电压(集电极开路)
正向电流传输比
注) 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * :等级分类
h
FE1
Q
90 155
R
130至220
注)括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期: 2003年2月
SJD00001BED
16.0
±1.0
高集电极 - 发射极电压(基本开)V
首席执行官
最适用于低频的驱动级和40瓦到100瓦
输出放大器器
TO- 126B封装,无需保温板功能的安装
灰到散热器
1.9
±0.1
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
TO- 126B -A1套餐
3.05
±0.1
特点
11.0
±0.5
1
2SA0794 , 2SA0794A
P
C
T
a
1.6
1.2
I
C
V
CE
T
C
=
25°C
18
马口
B
= 20
mA
16
mA
14
mA
12
mA
10
mA
8
mA
6
mA
4
mA
2
mA
I
C
I
B
1.2
V
CE
= 10
V
T
C
=
25°C
集电极耗散功率P
C
(W)
1.0
1.0
集电极电流I
C
(A)
0.8
0.8
0.6
0.4
0.4
0.2
0
0
40
80
120
160
0
集电极电流I
C
(A)
1.2
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2
4
6
8
10
12
0
0
2
4
6
8 10 12 14
环境温度T
a
(
°C
)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
基极电流I
B
(MA )
I
C
V
BE
V
CE
= 10
V
T
a
=
125°C
75°C
25°C
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
基射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
I
C
/ I
B
=
10
V
BE ( SAT )
I
C
I
C
/ I
B
=
10
0.6
0.5
集电极电流I
C
(A)
1
1
T
C
= 25°C
100°C
25°C
0.4
0.3
T
C
=
100°C
25°C
25°C
0.2
0.1
0.1
0.1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.01
0.01
0.1
1
0.01
0.01
0.1
1
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
h
FE
I
C
200
V
CE
= 10
V
f
T
I
E
V
CB
= 10
V
f
=
200兆赫
T
C
=
25°C
160
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
50
I
E
=
0
f
=
1兆赫
T
C
=
25°C
40
正向电流传输比H
FE
1 000
过渡频率f
T
(兆赫)
T
C
=
100°C
25°C
100
25°C
120
30
80
20
40
10
10
0.01
0.1
1
0
1
10
100
0
1
10
100
集电极电流I
C
(A)
发射极电流I
E
(MA )
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
2
SJD00001BED
2SA0794 , 2SA0794A
I
首席执行官
T
a
10
5
V
CE
=
20 V
10
4
I
CBO
T
a
V
CB
= 20
V
10
安全工作区
单脉冲
T
C
=
25°C
I
CP
I
C
0.1
t
=
1s
t
=
10毫秒
10
4
10
3
10
2
10
2
10
10
1
0
40
80
120
160
200
1
集电极电流I
C
(A)
10
3
1
I
CBO
(T
a
)
I
CBO
(T
a
=
25°C)
I
首席执行官
(T
a
)
I
首席执行官
(T
a
=
25°C)
0.01
0
40
80
120
160
0.001
1
10
100
1
000
环境温度T
a
(°C)
环境温度T
a
(°C)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
SJD00001BED
3
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本政府主管部门获得的
如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表characteris-
抽搐和产品的应用电路示例。它既不保证不侵权的好知识
识产权权利或本公司或第三方,也不授予任何许可拥有的任何其他权利。
( 3 )我们不为权利所产生出使用的第三方拥有的侵权责任
产品或如在本材料中描述的技术。
(4)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般
电子设备(如办公设备,通讯设备,测量仪器
ments和家用电器) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备,
燃烧设备,生命支持系统和安全装置),其中卓越的品质和
可靠性是必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 5 )在本材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不
通知进行修改和/或改进。在您的设计,采购,或使用的最后阶段
的产品,因此,要求的最先进的最新产品标准提前,以确保
最新的规格满足您的要求。
( 6 )在设计你的装备,符合保障的价值,特别是对马克西 -
妈妈等级,工作电源电压的范围内,和热辐射特性。其它 -
明智的,我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,考虑到审议
分解,失效模式,可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上,如冗余设计,火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤,火灾,社会的损害,例如,通过使用
产品。
(7 )在使用的量防潮包装是必需的产品,观察的条件(包括
保质期的时间,让站在非密封件)同意在规格表后,
单独交流。
( 8 )该材料可不能转载或复制全部或部分,未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年七月
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA794 2SA794A
描述
·带
TO- 126封装
.Complement
键入2SC1567 / 1567A
集电极 - 发射极电压V
首席执行官
应用
For
低频输出驱动
=优化
对于低驱动级
频率和40W到100W的输出
扩音器
钉扎
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
描述
·
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
参数
2SA794
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SA794A
2SA794
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SA794A
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
-120
-5
-0.5
-1
1.2*
150
-55~+150
V
A
A
W
发射极开路
-120
-100
V
条件
价值
-100
V
单位
*
无散热片
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
2SA794
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
2SA794A
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BESAT
h
FE-1
h
FE-2
C
OB
f
T
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
直流电流增益
集电极输出电容
跃迁频率
I
E
= -1μA ,我
C
=0
I
C
= -500mA ,我
B
=-50mA
I
C
= -500mA ,我
B
=-50mA
I
C
= -150mA ; V
CE
=-10V
I
C
= -500mA ; V
CE
=-5V
I
E
=0 ; V
CB
=-10V;f=1MHz
V
CB
=-10V;I
E
=50mA;f=200MHz
I
C
= -100μA ,我
B
=0
条件
2SA794 2SA794A
-100
典型值。
最大
单位
V
-120
-5
-0.2
-0.85
90
50
20
120
pF
兆赫
-0.4
-1.2
220
V
V
V
h
FE-1
分类
Q
90-155
R
130-220
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA794 2SA794A
图2外形尺寸
3
查看更多2SA794APDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SA794A
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
2SA794A
PANASONIC
21+
20000
TO-126
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
2SA794A
PANASONIC
21+
12540
TO-126
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
2SA794A
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9068
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881239445 复制

电话:0755-83264115
联系人:朱生
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋中12楼A座
2SA794A
FSC
12+
10000
TO-126
全新原装,绝对正品,公司现货供应
查询更多2SA794A供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!