功率晶体管
2SA0794
(2SA794)
, 2SA0794A
(2SA794A)
PNP硅外延平面型
对于低频输出驱动
补充2SC1567 , 2SC1567A
φ
3.16
±0.1
3.8
±0.3
单位:mm
8.0
+0.5
–0.1
3.2
±0.2
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压
(发射极开路)
2SA0794
2SA0794A
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
等级
100
120
100
120
5
0.5
1
1.2
150
55
to
+150
V
A
A
W
°C
°C
V
单位
V
0.75
±0.1
4.6
±0.2
0.5
±0.1
0.5
±0.1
2.3
±0.2
3
1.76
±0.1
1
2
集电极 - 发射极电压2SA0794
(基地开)
2SA0794A
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 发射极电压
(基地开)
2SA0794
2SA0794A
V
EBO
h
FE1 *
h
FE2
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(共同的基础,输入开路)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
I
E
= 1 A,
I
C
=
0
V
CE
= 10
V,I
C
= 150
mA
V
CE
= 5
V,I
C
= 500
mA
I
C
= 500
妈,我
B
= 50
mA
I
C
= 500
妈,我
B
= 50
mA
V
CB
= 10
V,I
E
=
50毫安,女
=
200兆赫
V
CB
= 10
V,I
E
=
0, f
=
1兆赫
符号
V
首席执行官
条件
I
C
= 100 A,
I
B
=
0
民
100
120
5
90
50
100
0.2
0.85
120
20
30
0.4
1.20
V
V
兆赫
pF
220
V
典型值
最大
单位
V
发射极 - 基极电压(集电极开路)
正向电流传输比
注) 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * :等级分类
秩
h
FE1
Q
90 155
R
130至220
注)括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期: 2003年2月
SJD00001BED
16.0
±1.0
高集电极 - 发射极电压(基本开)V
首席执行官
最适用于低频的驱动级和40瓦到100瓦
输出放大器器
TO- 126B封装,无需保温板功能的安装
灰到散热器
1.9
±0.1
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
TO- 126B -A1套餐
3.05
±0.1
■
特点
11.0
±0.5
1
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本政府主管部门获得的
如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表characteris-
抽搐和产品的应用电路示例。它既不保证不侵权的好知识
识产权权利或本公司或第三方,也不授予任何许可拥有的任何其他权利。
( 3 )我们不为权利所产生出使用的第三方拥有的侵权责任
产品或如在本材料中描述的技术。
(4)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般
电子设备(如办公设备,通讯设备,测量仪器
ments和家用电器) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备,
燃烧设备,生命支持系统和安全装置),其中卓越的品质和
可靠性是必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 5 )在本材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不
通知进行修改和/或改进。在您的设计,采购,或使用的最后阶段
的产品,因此,要求的最先进的最新产品标准提前,以确保
最新的规格满足您的要求。
( 6 )在设计你的装备,符合保障的价值,特别是对马克西 -
妈妈等级,工作电源电压的范围内,和热辐射特性。其它 -
明智的,我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,考虑到审议
分解,失效模式,可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上,如冗余设计,火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤,火灾,社会的损害,例如,通过使用
产品。
(7 )在使用的量防潮包装是必需的产品,观察的条件(包括
保质期的时间,让站在非密封件)同意在规格表后,
单独交流。
( 8 )该材料可不能转载或复制全部或部分,未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年七月
功率晶体管
2SA0794
(2SA794)
, 2SA0794A
(2SA794A)
PNP硅外延平面型
对于低频输出驱动
补充2SC1567 , 2SC1567A
φ
3.16
±0.1
3.8
±0.3
单位:mm
8.0
+0.5
–0.1
3.2
±0.2
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压
(发射极开路)
2SA0794
2SA0794A
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
等级
100
120
100
120
5
0.5
1
1.2
150
55
to
+150
V
A
A
W
°C
°C
V
单位
V
0.75
±0.1
4.6
±0.2
0.5
±0.1
0.5
±0.1
2.3
±0.2
3
1.76
±0.1
1
2
集电极 - 发射极电压2SA0794
(基地开)
2SA0794A
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 发射极电压
(基地开)
2SA0794
2SA0794A
V
EBO
h
FE1 *
h
FE2
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(共同的基础,输入开路)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
I
E
= 1 A,
I
C
=
0
V
CE
= 10
V,I
C
= 150
mA
V
CE
= 5
V,I
C
= 500
mA
I
C
= 500
妈,我
B
= 50
mA
I
C
= 500
妈,我
B
= 50
mA
V
CB
= 10
V,I
E
=
50毫安,女
=
200兆赫
V
CB
= 10
V,I
E
=
0, f
=
1兆赫
符号
V
首席执行官
条件
I
C
= 100 A,
I
B
=
0
民
100
120
5
90
50
100
0.2
0.85
120
20
30
0.4
1.20
V
V
兆赫
pF
220
V
典型值
最大
单位
V
发射极 - 基极电压(集电极开路)
正向电流传输比
注) 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * :等级分类
秩
h
FE1
Q
90 155
R
130至220
注)括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期: 2003年2月
SJD00001BED
16.0
±1.0
高集电极 - 发射极电压(基本开)V
首席执行官
最适用于低频的驱动级和40瓦到100瓦
输出放大器器
TO- 126B封装,无需保温板功能的安装
灰到散热器
1.9
±0.1
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
TO- 126B -A1套餐
3.05
±0.1
■
特点
11.0
±0.5
1
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本政府主管部门获得的
如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表characteris-
抽搐和产品的应用电路示例。它既不保证不侵权的好知识
识产权权利或本公司或第三方,也不授予任何许可拥有的任何其他权利。
( 3 )我们不为权利所产生出使用的第三方拥有的侵权责任
产品或如在本材料中描述的技术。
(4)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般
电子设备(如办公设备,通讯设备,测量仪器
ments和家用电器) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备,
燃烧设备,生命支持系统和安全装置),其中卓越的品质和
可靠性是必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 5 )在本材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不
通知进行修改和/或改进。在您的设计,采购,或使用的最后阶段
的产品,因此,要求的最先进的最新产品标准提前,以确保
最新的规格满足您的要求。
( 6 )在设计你的装备,符合保障的价值,特别是对马克西 -
妈妈等级,工作电源电压的范围内,和热辐射特性。其它 -
明智的,我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,考虑到审议
分解,失效模式,可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上,如冗余设计,火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤,火灾,社会的损害,例如,通过使用
产品。
(7 )在使用的量防潮包装是必需的产品,观察的条件(包括
保质期的时间,让站在非密封件)同意在规格表后,
单独交流。
( 8 )该材料可不能转载或复制全部或部分,未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年七月