2SK3647-01
FUJI功率MOSFET
200304
超级FAP -G系列
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
N沟道硅功率MOSFET
外形图
(mm)
应用
开关稳压器
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
非重复性雪崩电流
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
马克斯。功耗
符号
V
DS
V
DSX * 5
I
D
Tc=25°C
Ta=25°C
评级
100
70
±41
±5.2 **
单位
V
V
A
A
A
V
A
mJ
KV / μs的
KV / μs的
W
脚印图案
±164
I
D（ PULS ]
V
GS
±30
当量
I
AS * 2
41
E
AS * 1
204.7
dV
DS
/ DT
*4
20
dv / dt的
*3
5
°C
P
D
Tc=25
150
G：门
°C
Ta=25
2.4 **
工作和存储
T
ch
+150
°C
-55到+150
温度范围
T
英镑
°C
S1 ：源
**表面安装千毫米
2
，T = 1.6毫米FR- 4印刷电路板（漏极焊盘面积： 500毫米
2
)
* 1 L = 146μH ， VCC = 48V ，总胆固醇= 25 ° C，看到雪崩能量图
* 2总胆固醇<150 ℃，
=
< -I
D
， -di / DT = 50A / μs的， Vcc的< BV
DSS
，总胆固醇< 150 ° C * 4 V
DS
< 100V * 5 V
GS
= -30V * 6 T = 60秒F = 60Hz的
*3 I
F
=
=
=
=
电路原理图
D：漏
S2 ：源
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
= 250A
V
GS
=0V
A
I
D
= 250
V
DS
=V
GS
V
DS
=100V V
GS
=0V
V
DS
=80V V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 15A V
GS
=10V
I
D
= 15A V
DS
=25V
V
DS
=75V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 48V我
D
=15A
V
GS
=10V
R
GS
=10
V
CC
=50V
I
D
=30A
V
GS
=10V
L = 146μH牛逼
ch
=25°C
I
F
= 30A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 30A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
10
34
18
1110
280
22
16
23
31
16
32
13
9
1.10
0.1
0.38
分钟。
100
3.0
典型值。
马克斯。
5.0
25
250
100
44
1665
420
33
24
35
47
24
48
20
14
1.65
单位
V
V
A
nA
m
S
pF
9
ns
nC
41
A
V
s
C
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
R
第（章-a）的
2
**
测试条件
渠道情况
渠道环境
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
0.833
87.0
52.0
单位
° C / W
° C / W
° C / W
**表面安装千毫米，T = 1.6毫米FR- 4印刷电路板（漏极焊盘面积： 500毫米
2
)
1
2SK3647-01
特征
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
FUJI功率MOSFET
200
5
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
表面安装
千毫米， t为1.6毫米的FR-4印刷电路板
2
175
4
150
（漏极焊盘面积： 500毫米）
2
125
3
PD [ W]
100
PD [ W]
0
25
50
75
100
125
150
75
2
50
1
25
0
0
0
25
50
75
100
125
150
TC [
°
C]
TC [
°
C]
600
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E
AS
= F （首发TCH） ： VCC = 48V
I
AS
=17A
典型的输出特性
ID = F （ VDS ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
120
20V
500
100
10V
400
80
E
AS
[兆焦耳]
ID [ A]
I
AS
=25A
300
I
AS
=41A
200
60
8V
7.5V
40
100
20
7.0V
6.5V
6.0V
VGS=5.5V
10
12
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
2
4
6
8
开始总胆固醇[
°
C]
VDS [V]的
典型的传输特性
ID = F （ VGS ）为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
100
100
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
10
10
ID [ A]
1
1
0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.1
0.1
GFS [S]
1
10
100
VGS电压[V]的
ID [ A]
2
2SK3647-01
FUJI功率MOSFET
典型的漏源导通电阻
0.18
RDS （ ON） = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
100
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 15A ， VGS = 10V
VGS =
6.5V7.0V 7.5V 8V
0.15 6.0V
80
RDS （上）
]
0.12
10V
0.09
RDS （上） [M
]
60
马克斯。
40
典型值。
0.06
20V
20
0.03
0.00
0
20
40
60
80
100
120
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
ID [ A]
TCH [
°
C]
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
栅极阈值电压与总胆固醇
VGS （ TH） = F （ TCH） ： VDS = VGS ， ID = 1毫安
14
12
马克斯。
10
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 30A ，总胆固醇= 25°C
VGS （ TH） [V]
4.5
VGS电压[V]的
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
分钟。
8
6
4
2
0
0
10
VCC = 50V
20
30
40
50
TCH [
°
C]
QG [ NC ]
10
1
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
反向二极管的典型正向特性
IF = F （ VSD ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
100
10
0
西塞
10
C [ nF的]
科斯
10
-1
IF [ A]
1
CRSS
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
0.1
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
VDS [V]的
VSD [V]的
3
2SK3647-01
典型的开关特性与ID
10
3
FUJI功率MOSFET
T = F（ ID ） ： VCC = 48V ， VGS = 10V ， RG = 10Ω
100
90
tf
热敏电阻与漏极焊盘面积
T = 1.6毫米FR- 4 PCB
第r （ CH-A ） 〔
°
C / W]
80
70
60
50
40
30
20
10
10
2
TD （关闭）
T [ NS ]
TD （上）
10
1
tr
10
0
0
-1
10
10
0
10
1
10
2
0
1000
2000
3000
2
4000
5000
ID [ A]
漏极焊盘面积[MM ]
10
3
最大雪崩电流脉宽
I
AV
= F （T
AV
） ：首发总胆固醇= 25
°
C,Vcc=48V
雪崩电流I
AV
[A]
10
2
单脉冲
10
1
10
0
10
-1
10
-8
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
AV
[秒]
10
1
最大瞬态热阻抗
第i （ CH-C ）= F（T）为：D = 0
10
0
第i （ CH-C ） [℃ / W]
10
-1
10
-2
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
吨[秒]
http://www.fujielectric.co.jp/denshi/scd/
4
1.Scope
2.Construction
3.Applications
4.Outview
此规定富士功率MOSFET 2SK3647-01
N沟道增强型功率MOSFET
切换
TFP套餐
Outview看到12/21页
5.Absolute最大额定值在Tc = 25 ℃（除非另有说明）
°
描述
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
符号
V
DS
V
DSX
I
D
I
DP
V
GS
特征
100
70
±
30
±
5.2
±
120
±
30
30
278
20
5
75
2.4
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
V
A
mJ
KV / μs的
KV / μs的
W
W
°C
°C
2
备注
VGS=-30V
* 1 ， TA = 25℃
非重复性雪崩电流I
AS
最大雪崩能量
这种材料和本文所述的信息的属性
富士电气有限公司。他们应既不转载，复制，
借出，或披露任何方式进行使用任何
第三方或用于制造无目的
快递富士电机有限公司的书面同意。
E
AS
dV
DS
/ DT
dv / dt的
P
D
T
ch
T
英镑
2
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
最大功率耗散
工作和存储
温度范围
L=371H
Vcc=48V
VDS<=100V
*2
* 1 ， TA = 25℃
* 1表面安装千毫米，T = 1.6毫米FR- 4印刷电路板（漏极焊盘面积： 500毫米）
*2 I
F
≤-I
D
,-di/dt=50A/s,Vcc≤BV
DSS
,Tch≤150°C
在Tc 6.Electrical特征= 25 ℃（除非另有规定）
°
静态评级
描述
漏源
击穿电压BV
DSS
栅极阈值
电压V
GS
（ TH ）
零栅极电压
漏电流I
DSS
栅极 - 源
漏电流
漏源
在国家阻抗R
DS
（上）
I
GSS
符号
条件
I
D
=250A
V
GS
=0V
I
D
=250A
V
DS
=V
GS
V
DS
=100V
T
ch
=25°C
VGS=0V
VDS=80V
T
ch
=125°C
V
GS
=0V
V
GS
=±30V
V
DS
=0V
I
D
=15A
V
GS
=10V
-
34
44
10
100
nA
m
3.0
-
-
-
-
-
5.0
25
A
250
V
100
-
-
V
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
富士电气有限公司。
MS5F5160
DWG.NO.
3 / 21
H04-004-03
动态评分
描述
前锋
跨克
fs
输入电容
输出电容
反向传输
电容的Crss
TD （上）
开启时间
tr
TD （关闭）
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
这种材料和本文所述的信息的属性
富士电气有限公司。他们应既不转载，复制，
借出，或披露任何方式进行使用任何
第三方或用于制造无目的
快递富士电机有限公司的书面同意。
符号
条件
I
D
=15A
V
DS
=25V
V
DS
=75V
V
GS
=0V
f=1MHz
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
9
-
-
18
1110
280
22
-
1665
420
33
S
西塞
科斯
pF
-
V
cc
=48V
V
GS
=10V
I
D
=15A
R
GS
=10
V
cc
=50V
I
D
=30A
V
GS
=10V
-
-
-
-
-
-
-
16
23
31
16
32
13
9
24
35
47
24
48
20
14
nC
ns
tf
Q
G
Q
GS
Q
GD
栅极 - 漏极电荷
反向二极管
描述
雪崩能力
I
AV
二极管正向
上的电压V
SD
反向恢复
时间trr
反向恢复
电荷Qrr
符号
条件
L=100H
Tch=25°C
30
-
-
A
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
参见图1和图2
I
F
=30A
V
GS
=0V
I
F
=30A
V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μ s
T
ch
=25°C
T
ch
=25°C
-
1.10
1.65
V
-
100
-
ns
-
0.38
-
C
7.Thermal电阻
描述
渠道情况
渠道环境
渠道环境
RTH （ CH -C ）
RTH （ CH -A ）
第r （ CH-A ）* 1
2
2
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
1.667
87.0
52.0
单位
° C / W
° C / W
° C / W
* 1表面安装千毫米，T = 1.6毫米FR- 4印刷电路板（漏极焊盘面积： 500毫米）
富士电气有限公司。
MS5F5160
DWG.NO.
4 / 21
H04-004-03
QQ：2881677436 复制
