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2SC5772
NPN硅外延
VHF / UHF宽带放大器
REJ03G0755-0200
（上ADE- 208-1390 ）
初步
Rev.2.00
Aug.10.2005
特点
高增益带宽积
f
T
= 9 GHz的典型值。
高功率增益，低噪声系数;
PG = 13 dB典型值。 ， NF = 1.1 dB典型值。在f = 900 MHz的
概要
瑞萨封装代码： PLSP0003ZB -A
（包名称： MPAK ）
3
1
2
1.发射器
2.基
3.收集
注：标记为“ FR- 」 。
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
Pc
Tj
评级
15
9
1.5
75
700*
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
储存温度
TSTG
*
当使用铝陶瓷板（25 ×60× 0.7mm）的
此数据表包含初步的规范进行新产品的开发。这可能部分有所变动
恕不另行通知。
Rev.2.00 2005年8月10日第1页12
2SC5772
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
集电极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极输出电容
反向传输电容
增益带宽积
S
21
参数
功率增益
噪声系数
符号
V
（ BR ） CBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
COB
CRE
f
T
|S
21
|
2
PG
NF
民
15
—
—
—
80
—
—
6
—
9.5
—
典型值
—
—
—
—
120
0.9
0.7
9
11.8
13
1.1
最大
—
1
1
10
160
1.5
—
—
—
—
1.9
单位
V
A
mA
A
pF
pF
GHz的
dB
dB
dB
测试条件
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
V
CB
= 12 V，I
E
= 0
V
CE
= 9 V ，R
BE
=
∞
V
EB
= 1.5 V，I
C
= 0
V
CE
= 5 V，I
C
= 20毫安
V
CB
= 5 V，I
E
= 0
F = 1 MHz的
V
CB
= 5 V，I
E
= 0
F = 1 MHz的
V
CE
= 5 V，I
C
= 20毫安
F = 1 GHz的
V
CE
= 5 V，I
C
= 20毫安
F = 1 GHz的
V
CE
= 5 V，I
C
= 20毫安
F = 900兆赫
V
CE
= 5 V，I
C
= 5毫安
F = 900兆赫
Rev.2.00 2005年8月10日第2页12
2SC5772
主要特点
集电极耗散功率曲线
直流电流Transfet比率与
集电极电流
200
当使用铝陶瓷板
S = 25毫米×60毫米， t为0.7毫米
PC（毫瓦）
1000
800
直流电流传输比
h
FE
集电极耗散功率
V
CE
= 5 V
100
3V
400
200
0
0
50
100
150
200
1
2
5
10
20
50
100
环境温度
的Ta （℃）
集电极电流
I
C
（MA ）
集电极输出电容与
集电极 - 基极电压
增益带宽积主场迎战
集电极电流
（PF ）
4.0
I
E
= 0
F = 1 MHz的
3.2
（千兆赫）
f
T
增益带宽Prodfuct
20
C
ob
16
集电极输出电容
2.4
12
V
CE
= 5 V
8
1.6
0.8
4
3V
0
0.1
0
1
2
5
10
20
50
100
0.2
0.5
1
2
5
10
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
集电极电流
I
C
（MA ）
功率增益与集电极电流
20
F = 900兆赫
16
V
CE
= 5 V
12
3V
8
4
5
噪声系数与集电极电流
F = 900兆赫
NF（ dB）的
（ dB）的
PG
3
V
CE
= 3 V
噪声系数
功率增益
2
5V
1
4
0
1
0
2
5
10
20
50
100
1
2
5
10
20
50
100
集电极电流
I
C
（MA ）
集电极电流
I
C
（MA ）
Rev.2.00 2005年8月10日第3页12
2SC5772
S
21
参数与集电极电流
20
F = 1 GHz的
|S
21
|
2
（ dB）的
16
V
CE
= 5 V
12
S
21
参数
8
3V
4
0
1
2
5
10
20
50
100
集电极电流I
C
（MA ）
Rev.2.00 2005年8月10日第4页12
2SC5772
S21中参数与频率的关系
90°
2
.4
3
.2
4
5
10
0
.2
.4
.6 .8 1
1.5 2
3 45
10
–10
–.2
–5
–4
–3
–.4
–.6
–.8
–1.5
–2
–120°
–90°
–60°
–1
180°
0°
150°
30°
120°
S11参数与频率的关系
.8
.6
1
1.5
规模： 8 / DIV 。
60°
–150°
–30°
条件： V
CE
= 3 V ，Z
O
= 50
100 2000兆赫（ 100兆赫步骤）
( I
C
= 50 mA）的
( I
C
= 30 mA）的
( I
C
= 10 mA）的
条件： V
CE
= 3 V ，Z
O
= 50
100 2000兆赫（ 100兆赫步骤）
( I
C
= 50 mA）的
( I
C
= 30 mA）的
( I
C
= 10 mA）的
S12参数与频率的关系
90°
120°
S22参数与频率的关系
.8
.6
.4
3
1
1.5
2
规模： 0.08 / DIV 。
60°
150°
30°
.2
4
5
10
180°
0°
0
.2
.4
.6 .8 1
1.5 2
3 45
10
–10
–.2
–150°
–30°
–.4
–120°
–90°
–60°
–.6
–.8
–1.5
–2
–1
–5
–4
–3
条件： V
CE
= 3 V ，Z
O
= 50
100 2000兆赫（ 100兆赫步骤）
( I
C
= 50 mA）的
( I
C
= 30 mA）的
( I
C
= 10 mA）的
条件： V
CE
= 3 V ，Z
O
= 50
100 2000兆赫（ 100兆赫步骤）
( I
C
= 50 mA）的
( I
C
= 30 mA）的
( I
C
= 10 mA）的
Rev.2.00 2005年8月10日第5页12
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推荐型号
28M0XC
26PCAFG2G
2767-4CH
2-103361-2
25PT12AI
2680RT12
22-28-2090
2SJ348
2SA1702
2SC4027T
24LC128T-I/MNY
2SD2033D
2SD1105
24AA65-E/P
2SA900
2SC1307
2SK118GR
27C256-20IL
2SK3647-01
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