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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第114页 > 2SK3572-Z
数据表
MOS场效应
2SK3572
开关
N沟道功率MOS FET
描述
的2SK3572是N沟道MOS FET器件，具有一个
低通态电阻和开关特性优良，
设计用于低电压高电流的应用，如
直流/直流转换器与同步整流器。
5
订购信息
产品型号
2SK3572
2SK3572-S
2SK3572-ZK
2SK3572-Z
包
TO-220AB
TO-262
TO-263
TO-220SMD
记
特点
4.5 V驱动器可用
低通态电阻
R
DS(on)1
= 5.7 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A)
低栅电荷
Q
G
= 32 NC TYP 。 （V
DD
= 16 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 80 A)
内置栅极保护二极管
表面贴装器件提供
记
TO- 220SMD包产生仅在日本。
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（脉冲）
记
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
20
±20
±80
±300
1.5
52
150
-55到+150
V
V
A
A
W
W
°C
°C
总功率耗散（T
A
= 25°C)
总功率耗散（T
C
= 25°C)
通道温度
储存温度
记
PW
≤
10
S，占空比
≤
1%
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件D16258EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期2002年9月NS CP （ K）
日本印刷
商标
5
表示主要修改点。
2002
2SK3572
电气特性（T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
V
DD
= 16 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 80 A
I
F
= 80 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 80 A，V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A /
s
测试条件
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V，I
D
= 40 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 40 A
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 10 V，I
D
= 40 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
1.5
15
4.4
7.4
1700
700
250
16
14
50
12
32
7.1
7.7
1.0
42
34
5.7
9.9
分钟。
典型值。
马克斯。
10
±10
2.5
单位
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试电路1开关时间
测试电路2栅极电荷
D.U.T.
D.U.T.
R
L
V
GS
PG 。
R
G
电波表
V
GS
0
10%
V
GS
90%
I
G
= 2毫安
50
R
L
V
DD
V
DD
PG 。
90%
V
DS
90%
10%
10%
V
GS
0
τ
τ
= 1
s
占空比
≤
1%
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
2
数据表D16258EJ2V0DS
2SK3572
典型特征（T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
120
60
总功耗对比
外壳温度
P
T
- 总功耗 - W
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度 -
°C
T
C
- 外壳温度 -
°C
正向偏置安全工作区
1000
R
DS （ ON）
廉资讯科技教育
I
D（脉冲）
PW = 10
s
I
D
- 漏电流 - 一个
100
I
D（ DC）的
10
DC
功耗廉资讯科技教育
1
T
C
= 25°C
单脉冲
0.1
0.1
1
10
100
100
s
1毫秒
10毫秒
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
100
r
日（T ）
- 瞬态热阻 -
° C / W
单脉冲
R
第（章-a）的
= 83.3C / W
10
R
TH（ CH-C ）
= 2.4 ° C / W
1
0.1
0.01
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
数据表D16258EJ2V0DS
3
2SK3572
漏电流与
漏源极电压
350
脉冲
300
V
的s
= 10 V
正向传递特性
1000
V
DS
= 10 V
脉冲
I
D
- 漏电流 - 一个
250
200
150
100
50
0
0
1
2
3
4
5
6
4.5 V
I
D
- 漏电流 - 一个
100
T
ch
= 150°C
75°C
25°C
55°C
10
1
0.1
0.01
0
1
2
3
4
5
6
7
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
GATE截止电压主场迎战
通道温度
3
正向转移导纳主场迎战
漏电流
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
100
V
DS
= 10 V
脉冲
V
GS （ OFF ）
- 栅极截止电压 - V
2.5
2
1.5
1
0.5
0
-50
0
50
V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
10
T
ch
=
55°C
25°C
75°C
150°C
1
0.1
0.1
1
10
100
100
150
T
ch
- 通道温度 -
°C
I
D
- 漏电流 - 一个
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
25
脉冲
20
V
GS
= 4.5 V
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
漏电流
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
20
脉冲
15
15
10
I
D
= 40 A
5
10
10 V
5
0
1
10
100
1000
0
0
5
10
15
20
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
4
数据表D16258EJ2V0DS
2SK3572
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
通道温度
14
12
10
V
GS
= 4.5 V
8
6
4
2
0
-50
0
50
100
150
10 V
I
D
= 40 A
脉冲
电容与漏源极电压
10000
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
C
国际空间站
1000
C
OSS
C
RSS
100
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
10
0.1
1
10
100
T
ch
- 通道温度 - C
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
开关特性
1000
动态输入/输出特性
20
10
V
DD
= 16 V
10 V
16
V
GS
8
100
t
f
10
t
r
t
D（关闭）
12
6
t
D（上）
8
4
4
V
DS
0
0
10
20
I
D
= 83 A
2
1
0.1
1
10
100
0
30
40
I
D
- 漏电流 - 一个
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
源极到漏极二极管
正向电压
1000
脉冲
1000
反向恢复时间对比
漏电流
100
V
GS
= 10 V
0V
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
100
10
1
10
0.1
的di / dt = 100 A / μs的
V
GS
= 0 V
1
0.1
1
10
100
0.01
0
0.5
1
1.5
V
F（ S- D）的
- 源极到漏极电压 - V
I
D
- 漏电流 - 一个
数据表D16258EJ2V0DS
5
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
V
DD
= 10 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
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推荐型号
211399-1
2DI30A120
2SC6078
2SD2531
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25LC160D-E/SN
2021-400
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