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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SD2531
描述
ULOW
集电极饱和电压 -
: V
CE （ SAT ）
= 1.0 （最大） @我
C
= 2.5A
高
电源Dissipation-
: P
C
= 25W @ T
C
= 25
℃
应用
·设计
对于功率放大器的应用
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
60
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
60
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
7
V
I
C
集电极电流连续
4
A
I
B
基极电流连续
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
1
A
2
W
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
T
J
结温
25
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SD2531
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安;我
B
= 0
60
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2.5A ;我
B
= 0.25A
1.0
V
V
BE
（上）
基射极电压上
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 5V
1.0
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 60V ;我
E
= 0
100
μA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 7V ;我
C
= 0
100
μA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 5V
100
320
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 3A ; V
CE
= 5V
20
f
T
电流增益带宽积
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 5V
3
兆赫
C
OB
输出电容
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; F
TEST
= 1.0MHz的
35
pF
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
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2SK3572-Z
28F016S5
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2SB1643
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    2SD2531
    -
    -
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深圳市金嘉锐电子有限公司
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2SD2531
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2SD2531
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