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数据表
MOS场效应
2SK3479
开关
N沟道功率MOS FET
描述
的2SK3479是N沟道MOS场效应晶体管
设计用于高电流的开关应用。
订购信息
产品型号
2SK3479
2SK3479-S
2SK3479-ZJ
2SK3479-Z
TO-220AB
TO-262
TO-263
TO-220SMD
特点
超低导通电阻:
R
DS(on)1
= 11 mΩ以下。 (V
GS
= 10 V,I
D
= 42 A)
R
DS(on)2
= 13 mΩ以下。 (V
GS
= 4.5 V,I
D
= 42 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 11000 pF的典型。
内置栅极保护二极管
TO- 220SMD包仅产
在日本。
(TO-220AB)
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
漏源极电压(V
GS
= 0 V)
门源电压(V
DS
= 0 V)
漏电流( DC ) (T
C
= 25°C)
漏电流(脉冲)
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
100
±20
±83
±332
125
1.5
150
-55到+150
65
422
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
( TO- 263 , TO- 220SMD )
(TO-262)
总功率耗散(T
C
= 25°C)
总功率耗散(T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
Note2
Note2
I
AS
E
AS
注意事项1 。
PW
10
S,占空比
1%
2.
起始物为
ch
= 25 ° C,R
G
= 25
,
V
GS
= 20
0 V
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证实,这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
文档编号
D15077EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期2001年7月NS CP ( K)
日本印刷
2000, 2001
2SK3479
电气特性(T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F( S- D)的
t
rr
Q
rr
V
DD
= 80 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 83 A
I
F
= 83 A,V
GS
= 0 V
I
F
= 83 A,V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A /
s
测试条件
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V,I
D
= 42 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 42 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 42 A
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 50 V,I
D
= 42 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 0
1.5
37
74
8.8
10
11000
1100
540
27
18
140
13
210
26
60
1.0
85
280
11
13
分钟。
典型值。
马克斯。
10
±10
2.5
单位
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
PG 。
V
GS
= 20
0 V
50
测试电路2开关时间
D.U.T.
L
V
DD
PG 。
R
G
V
GS
R
L
V
DD
V
DS
90%
90%
10%
10%
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
90%
BV
DSS
I
AS
I
D
V
DD
V
DS
V
GS
0
τ
τ
= 1
s
占空比
1%
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
起始物为
ch
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
PG 。
50
R
L
V
DD
2
数据表D15077EJ1V0DS
2SK3479
典型特征(T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
120
胸苷 - 百分比额定功率 - %
总功耗对比
外壳温度
150
P
T
- 总功耗 - W
100
80
60
40
20
125
100
75
50
25
0
20
40
60
80
100
120 140 160
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
C
- 外壳温度 -
C
T
C
- 外壳温度 - C
正向偏置安全工作区
1000
I
D(脉冲)
I
D
- 漏电流 - 一个
100
0
d
s
ITE V)
1
m
即时通讯10
I
D( DC)的
L=
s
10
n)
Po
S
(o
m
DS
V
G
李直流我们
s
M R
R成为
ITE迪
(
ss
d
ip
at
io
n
10
PW
=
10
s
10
1
T
C
= 25C
单脉冲
0.1
0.1
1
10
100
1000
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
r
日(T )
- 瞬态热阻 - C / W
100
R
第(章-a)的
= 83.3C / W
10
1
R
TH( CH-C )
= 1 ° C / W
0.1
单脉冲
0.01
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
数据表D15077EJ1V0DS
3
2SK3479
正向传递特性
1000脉冲
300
250
I
D
- 漏电流 - 一个
漏电流与
漏源极电压
100
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
=10 V
200
150
100
50
4.5 V
10
T
A
=
40C
25C
75C
150C
1
0.1
1
2
3
4
V
DS
= 10 V
5
6
0
脉冲
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
正向转移导纳主场迎战
漏电流
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
20
脉冲
16
100 V
DS
= 10 V
脉冲
10
T
A
= 150C
75C
25C
40C
12
I
D
= 83 A
8
42 A
1
0.1
4
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0
5
10
15
20
I
D
- 漏电流 - 一个
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
50
脉冲
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
GATE截止电压主场迎战
通道温度
3.0
V
GS ( OFF )
- 栅极截止电压 - V
40
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
50
V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
30
20
V
GS
= 4.5 V
10
10 V
1
10
100
1000
0
0
50
100
150
I
D
- 漏电流 - 一个
T
ch
- 通道温度 - C
4
数据表D15077EJ1V0DS
2SK3479
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
通道温度
25
脉冲
20
V
GS
= 4.5 V
10 V
10
I
SD
- 二极管正向电流 - 一个
源极到漏极二极管
正向电压
1000
脉冲
100
V
GS
= 10 V
0V
15
10
5
I
D
= 42 A
50
0
50
100
150
1
0
0.1
0
0.5
1.0
1.5
T
ch
- 通道温度 - C
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
电容与
漏源极电压
100000
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
开关特性
1000
t
D(上)
, t
r
, t
D(关闭)
, t
f
- 开关时间 - NS
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
t
f
t
D(关闭)
100
t
D(上)
10
V
DD
= 50 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 0
1
0.1
t
r
10000
C
国际空间站
1000
C
OSS
C
RSS
1
10
100
100
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
反向恢复时间对比
漏电流
1000
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
的di / dt = 100 A /
s
V
GS
= 0 V
I
D
- 漏电流 - 一个
动态输入/输出特性
160
16
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
120
V
DD
= 80 V
50 V
20 V
12
100
80
V
GS
8
10
40
V
DS
0
50
100
150
I
D
= 83 A
200
4
1
0.1
1.0
10
100
0
250
I
F
- 漏电流 - 一个
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
数据表D15077EJ1V0DS
5
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    -
    -
    -
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电话:0755-82561519
联系人:李先生
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联系人:李
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联系人:林
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16+
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联系人:刘先生
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