2N5400, 2N5401
首选设备
放大器晶体管
PNP硅
特点
无铅包可用*
http://onsemi.com
集热器
3
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗
@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
器件总功耗
@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
625
5.0
P
D
1.5
12
T
J
, T
英镑
-55到+150
瓦
毫瓦/°C的
°C
12
3
mW
毫瓦/°C的
TO92
CASE 29
风格1
2N5400 2N5401
120
130
5.0
600
150
160
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
辐射源
2
BASE
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（去甲不
MAL运行条件下），同时无效。如果这些限制是EX-
超过容许，设备功能操作不暗示，可能会损坏和可靠性
能力可能受到影响。
标记图
2N
540x
AYWWG
G
热特性
特征
热阻，
结到环境
热阻，
结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
*有关我们的无铅策略的更多信息
和焊接的详细信息，请下载
安森美半导体焊接与安装
技术参考手册， SOLDERRM / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年12月 - 第1版
出版订单号：
2N5400/D
2N5400, 2N5401
0.9
0.8
V，电压（V ）
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.1
0.2 0.3 0.5
2.0 3.0 5.0
10
20 30
I
C
，集电极电流（毫安）
1.0
50
100
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
θ
V，温度系数（毫伏/
°
C)
1.0
T
J
= 25°C
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.1
q
VB
对于V
BE （ SAT ）
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0
10
20 30
I
C
，集电极电流（毫安）
50
100
q
VC
对于V
CE （ SAT ）
T
J
= - 55 ° C至135°C的
图4. “开”电压
图5.温度系数
10.2 V
V
in
10
ms
输入脉冲
t
r
, t
f
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
0.25
mF
100
R
B
5.1 k
V
in
100
1N914
3.0 k
R
C
V
OUT
C，电容（pF ）
V
BB
+8.8 V
V
CC
30 V
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.2
0.3
2.0 3.0
5.0 7.0
0.5 0.7 1.0
V
R
，反向电压（伏）
C
IBO
T
J
= 25°C
C
敖包
显示的值是我
C
@ 10毫安
10
20
图6.开关时间测试电路
图7的电容
1000
700
500
300
T， TIME （ NS ）
200
100
70
50
30
20
2000
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
r
@ V
CC
= 120 V
t
r
@ V
CC
= 30 V
T， TIME （ NS ）
1000
700
500
300
200
100
70
50
30
50
100
200
20
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
100
200
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
f
@ V
CC
= 30 V
t
s
@ V
CC
= 120 V
t
f
@ V
CC
= 120 V
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 1.0 V
V
CC
= 120 V
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
10
0.2 0.3 0.5
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图8.导通时间
图9.开启，关闭时间
http://onsemi.com
4
2N5400, 2N5401
订购信息
设备
2N5400
2N5400G
2N5400RLRP
2N5400RLRPG
2N5401
2N5401G
2N5401RL1
2N5401RL1G
2N5401RLRA
2N5401RLRAG
2N5401RLRM
2N5401RLRMG
2N5401ZL1
2N5401ZL1G
包
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
航运
5000单位/散装
5000单位/散装
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
5000单位/散装
5000单位/散装
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
2000磁带&弹药盒
2000磁带&弹药盒
2000磁带&弹药盒
2000磁带&弹药盒
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装规范
系统蒸发散宣传册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
5
2N5401
首选设备
放大器晶体管
PNP硅
特点
无铅包可用*
http://onsemi.com
集热器
3
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗
@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
器件总功耗
@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
625
5.0
P
D
1.5
12
T
J
, T
英镑
-55到+150
瓦
毫瓦/°C的
°C
12
3
mW
毫瓦/°C的
TO92
CASE 29
风格1
2N5400 2N5401
120
130
5.0
600
150
160
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
辐射源
2
BASE
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（去甲不
MAL运行条件下），同时无效。如果这些限制是EX-
超过容许，设备功能操作不暗示，可能会损坏和可靠性
能力可能受到影响。
标记图
热特性
特征
热阻，
结到环境
热阻，
结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
2N54xx
YWW
Y
WW
=年
=工作周
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅策略的更多信息
和焊接的详细信息，请下载
安森美半导体焊接与安装
技术参考手册， SOLDERRM / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年5月 - 第1版
出版订单号：
2N5401/D
2N5401
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(1)
(I
C
= 1.0 MADC ，我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 100
MADC ，
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 120伏，我
E
= 0)
(V
CB
= 120伏，我
E
= 0, T
A
= 100°C)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 3.0伏，我
C
= 0)
基本特征
（注1 ）
直流电流增益
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
基射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
小信号特性
电流增益 - 带宽积
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
小信号电流增益
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
噪声系数
(I
C
= 250
MADC ，
V
CE
= 5.0伏，R
S
= 1.0千瓦， F = 1.0千赫）
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2.0%.
f
T
100
C
敖包
h
fe
40
NF
200
8.0
dB
300
6.0
pF
兆赫
h
FE
50
60
50
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
1.0
1.0
0.2
0.5
VDC
240
VDC
2N5401
2N5401
I
EBO
V
（ BR ） CEO
2N5400
2N5401
V
（ BR ） CBO
2N5400
2N5401
V
（ BR ） EBO
I
CBO
50
50
50
NADC
160
5.0
VDC
150
VDC
VDC
符号
民
最大
单位
订购信息
设备
2N5401
2N5401RL1
2N5401RLRA
2N5401RLRAG
2N5401RLRM
2N5401ZL1
包
TO92
TO92
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
航运
5000单位/散装
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
2000磁带&弹药盒
2000磁带&弹药盒
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装规范
系统蒸发散宣传册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
2N5401
0.9
0.8
V，电压（V ）
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.1
0.2 0.3 0.5
2.0 3.0 5.0
10
20 30
I
C
，集电极电流（毫安）
1.0
50
100
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
θ
V，温度系数（毫伏/
°
C)
1.0
T
J
= 25°C
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.1
q
VB
对于V
BE （ SAT ）
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0
10
20 30
I
C
，集电极电流（毫安）
50
100
q
VC
对于V
CE （ SAT ）
T
J
= - 55 ° C至135°C的
图4. “开”电压
图5.温度系数
10.2 V
V
in
10
ms
输入脉冲
t
r
, t
f
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
0.25
mF
100
R
B
5.1 k
V
in
100
1N914
3.0 k
R
C
V
OUT
C，电容（pF ）
V
BB
+8.8 V
V
CC
30 V
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.2
0.3
2.0 3.0
5.0 7.0
0.5 0.7 1.0
V
R
，反向电压（伏）
C
IBO
T
J
= 25°C
C
敖包
显示的值是我
C
@ 10毫安
10
20
图6.开关时间测试电路
图7的电容
1000
700
500
300
T， TIME （ NS ）
200
100
70
50
30
20
2000
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
r
@ V
CC
= 120 V
t
r
@ V
CC
= 30 V
T， TIME （ NS ）
1000
700
500
300
200
100
70
50
30
50
100
200
20
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
100
200
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
f
@ V
CC
= 30 V
t
s
@ V
CC
= 120 V
t
f
@ V
CC
= 120 V
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 1.0 V
V
CC
= 120 V
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
10
0.2 0.3 0.5
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图8.导通时间
图9.开启，关闭时间
http://onsemi.com
4
QQ：2881677436 复制
