【2SK3373东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSV ）2SK3373开关稳压器和DC】,IC型号2SK3373_06,2SK3373_06 PDF资料,2SK3373

2SK3373

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSV ）

2SK3373

开关稳压器和DC / DC转换器应用

电机驱动应用

导通电阻低的漏极 - 源极，R

DS （ ON）

= 2.9毫欧（典型值）。

高正向转移导纳： | Y

fs

| = 1.7 S（典型值）。

低漏电流：I

DSS

= 100

μA

（最大值）（Ⅴ

DS

= 500 V)

增强模型： V

th

= 2.0 4.0 V（V

DS

= 10 V，I

D

= 1 mA）的

单位：mm

绝对最大额定值

（大

=

25°C)

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

GS

=

20 kΩ)

栅源电压

DC

漏电流

（注1 ）

脉冲（T

=

100

μs)

（注1 ）

漏极功耗（TC

=

25°C)

单脉冲雪崩能量

（注2 ）

雪崩电流

重复雪崩能量（注3 ）

通道温度

存储温度范围

符号

V

DSS

V

DGR

V

GSS

I

D

I

DP

I

DP

P

D

E

AS

I

AR

E

AR

T

ch

T

英镑

脉冲（T

=

1毫秒）

等级

500

±30

2

5

12

20

112

2

150

55

to150

W

mJ

A

mJ

°C

A

单位

V

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-7J1B

重量：0.58克（典型值）。

注意：

重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化

温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的

经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性

方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。

热特性

特征

耐热性，信道到外壳

耐热性，信道至环境

符号

R

TH（ CH-C ）

R

第（章-a）的

最大

6.25

125

单位

° C / W

注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。

注2 ： V

DD

=

90 V，T

ch

=

25 ° C（初始），L

=

48.4毫亨，R

G

=

25

Ω,

I

AR

=

2 A

注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度

此晶体管是静电感应装置。小心轻放。

1

2006-11-06

2SK3373

电气特性（Ta

=

25°C)

特征

栅极漏电流

漏源击穿电压

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

总栅极电荷

（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

t

f

t

关闭

Q

g

Q

gs

Q

gd

V

DD

400 V, V

GS

=

10 V，I

D

=

2 A

符号

I

GSS

V

（ BR ） GSS

I

DSS

V

（ BR ） DSS

V

th

R

DS （ ON）

Y

fs

C

国际空间站

C

RSS

C

OSS

t

r

t

on

10 V

V

GS

0V

50

Ω

I

D

=

1 A

V

OUT

V

DS

=

10 V, V

GS

=

0 V，F

=

1兆赫

测试条件

V

GS

= ±25

V, V

DS

=

0 V

I

G

= ±10 μA,

V

DS

=

0 V

V

DS

=

500 V, V

GS

=

0 V

I

D

=

10毫安，V

GS

=

0 V

V

DS

=

10 V，I

D

=

1毫安

V

GS

=

10 V，I

D

=

1 A

V

DS

=

10 V，I

D

=

1 A

民

±30

500

2.0

0.8

V

DD

200 V

典型值。

2.9

1.7

380

40

120

15

25

20

80

9

5

4

最大

±10

100

4.0

3.2

ns

nC

pF

单位

μA

V

μA

V

Ω

S

R

L

=

200

Ω

税

＆ LT ;

1%, t

w

=

10

μs

=

源极 - 漏极额定值和特性

（大

=

25°C)

特征

连续漏反向电流（注1 ）

脉冲漏极电流反向

正向电压（二极管）

反向恢复时间

反向恢复电荷

（注1 ）

符号

I

DR

I

DRP

I

DRP

V

DSF

t

rr

Q

rr

t

=

1毫秒

t

=

100

μs

I

DR

=

2 A，V

GS

=

0 V

I

DR

=

2 A，V

GS

=

0 V,

dI

DR

/ DT

=

100 A / μs的

测试条件

民

典型值。

1000

3.5

最大

2

5

12

1.5

单位

A

V

ns

μC

记号

K3373

产品型号（或缩写代码）

LOT号

A线指示

铅（Pb ） - 免费包或

铅（Pb ） -free完成。

2

2006-11-06

2SK3373

I

D

– V

DS

2.0

常见的来源

Tc

=

25°C

脉冲测试

5

10

8

6

4

5.5

1.2

10

8

I

D

– V

DS

7

6.5

常见的来源

Tc

=

25°C

脉冲测试

1.6

漏电流I

D

(A)

漏电流I

D

(A)

3

6

2

5.5

1

VGS

=

4 V

5

4.5

50

0.8

5

0.4

4.5

VGS

=

4 V

0

2

4

6

8

10

0

10

20

30

40

漏源电压

V

DS

(V)

漏源电压

V

DS

(V)

I

D

V

GS

5

常见的来源

VDS

=

20 V

脉冲测试

10

V

DS

V

GS

常见的来源

Tc

=

25°C

脉冲测试

4

V

DS

(V)

8

漏电流I

D

(A)

25

2

100

1

Tc

= 55°C

漏源电压

3

6

ID

=

2 A

4

1

2

0.5

0

2

4

6

8

10

0

4

8

12

16

20

栅源电压

V

GS

(V)

栅源电压

V

GS

(V)

Y

fs

I

D

10

R

DS （ ON）

I

D

30

常见的来源

Tc

=

25°C

(S)

常见的来源

脉冲测试

25

Tc

= 55°C

100

1

正向转移导纳

Y

fs

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

(Ω)

5

3

VDS

=

20 V

脉冲测试

10

5

3

VGS

=

10 V

0.5

0.3

0.2

0.1

0.3

0.5

1

3

5

10

1

0.5

0.1

0.3

0.5

1

3

5

10

漏电流I

D

(A)

漏电流I

D

(A)

3

2006-11-06

2SK3373

RDS （ ON）

Tc

(Ω)

10

常见的来源

VGS

=

10 V

脉冲测试

10

常见的来源

Tc

=

25°C

3脉冲测试

IDR

VDS

漏源导通电阻R

DS （ ON）

8

反向漏电流I

DR

(A)

1

6

ID

=

2 A

0.5

1

0.3

10

0.1

3

0.03

1

4

2

VGS

=

0,

1

V

0.6

0.8

1.0

1.2

0

80

40

0

40

80

160

0.01

0

0.2

0.4

外壳温度

TC （ ℃）

漏源电压

V

DS

(V)

电容 - VDS

1000

西塞

5

500

300

V

th

Tc

常见的来源

VDS

=

10 V

ID

=

1毫安

脉冲测试

V

th

(V)

栅极阈值电压

4

（PF ）

电容C

100

50

30

科斯

3

2

10

常见的来源

5 VGS

=

0 V

f

=

1兆赫

Tc

=

25°C

2

0.1

0.3 0.5

1

CRSS

1

3

5

10

30 50

100

0

80

40

0

40

80

120

160

漏源电压

V

DS

(V)

壳温度（ ° C）

P

D

Tc

2.0

500

动态输入/输出特性

常见的来源

ID

=

2 A

Tc

=

25°C

脉冲测试

200

100

300

VDD

=

400 V

12

20

漏极功耗P

D

(W)

V

DS

(V)

1.6

400

VDS

16

漏源电压

0.8

200

8

0.4

100

VGS

4

0

40

80

120

160

200

0

4

8

12

16

0

20

外壳温度

TC （ ℃）

总栅极电荷Q

g

（ NC ）

4

2006-11-06

栅源电压

1.2

V

GS

(V)

2SK3373

r

th

t

w

归瞬态热阻抗

RTH （ T） / Rth的（ CH-C ）

3

1

税

=

0.5

0.3

0.2

0.1

0.05

0.02

0.03

0.01

10

μ

100

μ

1m

10 m

100 m

单脉冲

PDM

t

T

税

=

t/T

RTH （ CH-C ）

=

6.25°C/W

1

10

脉冲宽度

t

w

(S)

安全工作区

30

ID MAX（脉冲）

*

200

E

AS

T

ch

雪崩能量E

AS

（兆焦耳）

10

ID MAX（脉冲）

*

100

μs

*

1毫秒

*

160

漏电流I

D

(A)

3我最大（连续）

D

120

1

直流操作

Tc

=

25°C

80

0.3

40

0.1

*:

单一不重复的脉冲

Tc

=

25°C

00.3曲线必须降低

线性地增加

温度。

00.1

10

1

0

25

50

75

100

125

150

通道温度（初始）总胆固醇（ ° C）

VDSS最大

100

1000

漏源电压

V

DS

(V)

15 V

15

V

B

VDSS

I

AR

V

DD

V

DS

波形

测试电路

R

G

=

25

Ω

V

DD

=

90 V，L

=

48.4毫亨

Ε

AS

=

1

B VDSS

L

I2

B

2

VDD

VDSS

5

2006-11-06