INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4467
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4467
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4467
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
2SC4467
硅NPN三重扩散平面晶体管
（补键入2SA1694 ）
s
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
T
英镑
2SC4467
160
120
6
8
3
80(Tc=25°C)
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
应用：
音频和通用
(Ta=25°C)
2SC4467
10
最大
10
最大
120
民
50
民
1.5
最大
20
典型值
200
典型值
V
pF
20.0min
4.0max
s
电气特性
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
V
CE
（SAT）
f
T
C
OB
h
FE
秩
条件
V
CB
=160V
V
EB
=6V
I
C
=50mA
V
CE
= 4V ，我
C
=3A
I
C
= 3A ，我
B
=0.3A
V
CE
= 12V，我
E
=–0.5A
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
外形尺寸
MT-100(TO3P)
5.0
±0.2
15.6
±0.4
9.6
2.0
1.8
4.8
±0.2
2.0
±0.1
单位
A
A
19.9
±0.3
4.0
V
a
b
3.2
±0.1
兆赫
2
3
1.05
+0.2
-0.1
0.65
+0.2
-0.1
1.4
O（ 50 100 ） ， P（ 70 to140 ） ， Y（ 90 180 ）
5.45
±0.1
B
C
E
s
典型的开关特性（共发射极）
V
CC
(V)
40
R
L
()
10
I
C
(A)
4
V
BB1
(V)
10
V
BB2
(V)
–5
I
B1
(A)
0.4
I
B2
(A)
–0.4
t
on
(
s)
0.13
典型值
t
英镑
(
s)
3.50
典型值
t
f
(
s)
0.32
典型值
5.45
±0.1
重量：约6.0克
一。型号
B 。批号
I
C
– V
权证
特征
（典型值）
350m
V
CE
（SAT） - 我
B
特征
（典型值）
OL讲师 - é MIT TE R 5在uration武LT年龄V
权证（S AT）
( V )
3
I
C
– V
Bé
温度特性
（典型值）
8
( V
CE
= 4 V )
A
8
0m
20
15
0m
A
A
10
0mA
75mA
C 0 L L权证T O服务铜R R简T I
C
( A )
2
50米一
醇L E （C T） R C ü R R鄂西北我
C
( A)
6
6
4
4
MP ）
20mA
2
CAS
C (
2
（CAS
I
B
=10mA
I
C
= 8A
0
2A
0. 5 0. 6 0. 7 0. 8
4A
0.9 1.0
0
0
0
0
1
2
3
4
0
0 . 1 0 .2 0 .3 0 .4
0.5
–30C
25C
125
（案例
1
ê特
MP ）
ê特
温度
)
1 .0
1.5
COL L E CT或 - EM它吨呃武L T AG电子V
权证
(V )
巴发E C-UR EN T I
B
( A)
巴发E - ê米I T与R V OL吨AG电子V
Bé
( V)
h
F ê
– I
C
特征
（典型值）
(V
权证
=4 V )
200
D C ú R R简吨盖N·H
FE
h
F ê
– I
C
温度特性
（典型值）
( V
权证
= 4 V)
200
1 25 C
DC C-UR 鄂西北嘎我N·H
F ê
瞬态热阻
θ
-a
（℃ / W）的
3
θ
的J - 一
- T特征
典型值
100
100
2 5 C
–3 0 C
1
50
50
0. 5
20
0. 02
0.1
0 .5
1
5
8
20
0.02
0. 3
0. 1
0. 5
1
5
8
1
10
时间t（ ms）的
10 0
10 0 0
醇L E克拉 铜RRE NT I
C
(A )
C 0 LL ê CT 铜R R鄂西北我
C
( A)
f
T
– I
E
特征
（典型值）
(V
权证
=12 V )
40
20
安全工作区
（单脉冲）
80
10
m
s
电脑 - 钽降额
铜吨-O FF量F r é Q ü简和Y F
T
（ M·H
Z
)
30
合作LLE CT R C ü R R简T I
C
( A )
M我们R D所I S的I P A T I O 4 N P一XIM ü米P 2 O
C
( W )
10
5
100ms
60
W
第i个
典型值
DC
In
鳍
ITE
he
20
40
at
si
1
nk
0 .5
无需散热器
自然冷却
10
20
无需散热器
0
–0.02
–0 . 1
–1
EM I T吨ER ú RRE NT I
E
(A)
–8
0 .1
5
10
50
10 0
2 00
3.5
0
0
25
50
75
100
1 25
1 50
山口升EC T或 - 他们我TT é 卷吨AG电子V
权证
( V)
上午B I E N t个率T e米PE R A吨ü 吨（ C）
107
2SC4467
无铅电镀产品
2SC4467
Pb
硅NPN三重扩散平面晶体管
描述
·采用TO- 3PN封装
·补键入2SA1694
应用
·音频和通用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
3
2
1
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
160
120
6
8
3
单位
V
V
V
A
A
T
c
=25
℃
80
150
-55~150
W
℃
℃
第1/2页
2006 Thinki半导体有限公司。
http://www.thinkisemi.com/
2SC4467
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 50毫安，我
B
=0
I
C
= 3A ，我
B
=0.3A
V
CB
= 160V ;我
E
=0
V
EB
= 6V ;我
C
=0
I
C
= 3A ; V
CE
=4V
I
E
=0 ; V
CB
=10V,f=1MHz
I
C
= 0.5A ; V
CE
=12V
50
200
20
民
120
1.5
10
10
180
pF
兆赫
典型值。
最大
单位
V
V
A
A
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=4A;R
L
=10C
I
B1
=- I
B2
=0.4A
V
CC
=40V
0.13
3.50
0.32
As
As
As
h
FE
分类
O
50-100
P
70-140
Y
90-180
机械尺寸
TO-3PN
单位：毫米
第2/2页
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