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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第140页 > 2SK3365
数据表
MOS场效应
2SK3365
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
描述
该2SK3365是N沟道MOS场效应晶体管
专为DC / DC转换器应用的笔记本
计算机。
订购信息
产品型号
2SK3365
2SK3365-Z
包
TO-251
TO-252
特点
低导通电阻
R
DS(on)1
= 14毫欧（最大值）（V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A)
R
DS(on)2
= 21毫欧（最大值）（V
GS
= 4.5 V，I
D
= 15 A)
R
DS(on)3
= 29毫欧（最大值）（V
GS
= 4.0 V，I
D
= 15 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 1300 PF（ TYP 。 ）
内置栅极保护二极管
绝对最大额定值（T
A
= 25 °C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
记
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
P
T
T
ch
T
英镑
30
±20
±30
±120
36
1.0
150
-55到+ 150
V
V
A
A
W
W
°C
°C
总功率耗散（T
C
= 25 °C)
总功率耗散（T
A
= 25 °C)
通道温度
储存温度
记
PW
≤
10
S，占空比
≤
1 %
热阻
渠道情况
渠道环境
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
3.48
125
° C / W
° C / W
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
文档编号
D14255EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1999年9月NS CP （ K）
日本印刷
1999
2SK3365
电气特性（T
A
= 25 °C)
特征
漏极至源极导通电阻
符号
R
DS(on)1
R
DS(on)2
R
DS(on)3
栅极到源截止电压
正向转移导纳
漏极漏电流
门源漏电流
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS （ OFF ）
| y
fs
|
I
DSS
I
GSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
I
F
= 30 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 30 A，V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A /
s
I
D
= 30 A，V
DD
= 24 V, V
GS
= 10 V
I
D
= 15 A，V
GS （ ON）
= 10 V, V
DD
= 15 V,
R
G
= 10
测试条件
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 15 A
V
GS
= 4.0 V，I
D
= 15 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V，I
D
= 15 A
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
1300
405
190
37
500
75
95
25
4.5
7.0
1.0
35
32
1.5
8.0
分钟。
典型值。
11.5
15.2
18
2.0
16.0
10
±10
马克斯。
14
21
29
2.5
单位
m
m
m
V
S
A
A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试电路1开关时间
D.U.T.
R
L
V
GS
V
GS
电波表
测试电路2栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
PG 。
90 %
90 %
I
D
PG 。
R
G
R
G
= 10
0
I
D
10 %
V
GS （上）
90 %
R
L
V
DD
V
DD
50
V
GS
0
τ
τ
= 1
s
占空比
≤
1 %
D
电波表
I
0
10 %
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
10 %
t
f
2
数据表D14255EJ1V0DS00
2SK3365
典型特征（T
A
= 25 °C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
70
总功耗对比
外壳温度
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
P
T
- 总功耗 - W
100
80
60
40
20
60
50
40
30
20
10
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
C
- 外壳温度 -
C
T
C
- 外壳温度 -
C
正向偏置安全工作区
T
C
= 25C
单脉冲
=
10
漏电流与
漏源极电压
120
V
GS
=10 V
100
脉冲
100
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D（ DC）的
= 30 A
0
1m
s
s
I
D
- 漏电流 - 一个
d
ITE
IM V ）
)
L
10
on
=
S(
R
D
V
GS
t
(a
I
D（脉冲）
= 120 A
PW
80
60
40
20
4.5 V
10
Po
we
R D所
100
ms
国际空间站
m
IPA
s
TIO
nL
im
i
10
摊晒
4.0 V
1
1
10
100
0
1
2
3
4
V
DS -
漏源极电压 - V
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
正向传递特性
1000
100
I
D
- 漏电流 - 一个
10
1
0.1
0.01
T
A
= 25C
25C
50C
1
2
3
4
5
脉冲
6
7
T
A
= 150C
75C
0.001
0
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
数据表D14255EJ1V0DS00
3
2SK3365
瞬态热阻与脉冲宽度
1 000
r
日（T ）
- 瞬态热阻 -
° C / W
R
TH（ CH -A ）
= 125
° C / W
100
10
R
TH（ CH -C ）
= 3.48
° C / W
1
单脉冲
0.1
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
100
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
T
ch
=
50C
25C
25C
10
T
ch
= 75C
150C
1
V
DS
= 10 V
脉冲
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
正向转移导纳主场迎战
漏电流
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
50
脉冲
40
30
20
I
D
= 15 A
10
0.1
0.1
1
10
100
0
5
10
15
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
100
V
GS （ OFF ）
- 门源截止电压 - V
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
门源截止电压主场迎战
通道温度
2.5
V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
2
脉冲
80
V
GS
= 4.0 V
4.5 V
60
1.5
40
1
0.5
0
20
0
0.1
10 V
1
10
100
1000
50
0
50
100
150
I
D
- 漏电流 - 一个
T
ch
- 通道温度 -
C
4
数据表D14255EJ1V0DS00
2SK3365
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
通道温度
30
I
SD
- 二极管正向电流 - 一个
源极到漏极二极管的正向电压
脉冲
V
GS
= 4.0 V
4.5 V
20
10 V
100
V
GS
= 10 V
0V
10
1
10
0.1
0.01
0
0
I
D
= 15 A
50
0
50
100
150
0.4
0.8
1.2
1.6
T
ch
- 通道温度 -
C
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
电容与漏极TO
源极电压
10000
开关特性
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
t
r
1000
t
f
100
t
D（上）
t
D（关闭）
1000
C
国际空间站
10
V
DD
= 15 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
1
10
100
I
D
- 漏电流 - 一个
C
OSS
100
0.01
C
RSS
0.1
1
10
100
1
0.1
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
反向恢复时间对比
漏电流
1000
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
30
V
DD
= 24 V
15 V
6V
V
GS
V
DS
12
10
8
6
100
20
10
10
4
2
1
0.1
1
10
100
0
10
20
30
40
0
I
F
- 二极管电流 - 一个
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
的di / dt = 100 A /
s
V
GS
= 0 V
动态输入/输出特性
40
I
D
= 30 A
14
数据表D14255EJ1V0DS00
5
SMD型
MOS场效应
2SK3365
IC
MOSFET
特点
超低导通电阻：
R
DS(on)1
= 14 m
R
DS(on)2
= 21m
R
DS(on)3
= 29m
MAX 。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A)
MAX 。 （V
GS
= 4.5 V，I
D
= 15A)
+0.2
9.70
-0.2
TO-252
+0.15
1.50
-0.15
单位：mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
MAX 。 （V
GS
= 4 V，I
D
= 15A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 1300 pF的典型。
内置栅极保护二极管
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
0.127
最大
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
1门
2漏
3源
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
功耗
T
A
=25
T
C
=25
通道温度
储存温度
* PW
10秒，占空比1 ％
T
ch
T
英镑
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
dp
*
P
D
等级
30
20
30
120
1.0
36
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
排水截止电流
栅极漏电流
水道截止电压
正向转移导纳
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
Y
fs
Testconditons
V
DS
=30V,V
GS
=0
V
GS
= 20V,V
DS
=0
V
DS
=10V,I
D
=1mA
V
DS
=10V,I
D
=15A
V
GS
=10V,I
D
=15A
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
=4.5V,I
D
=15A
V
GS
=4.0V,I
D
=15A
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
r
t
关闭
tf
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
DD
= 24V, V
GS
= 10 V，I
D
= 30A
I
D
=15A,V
GS （ ON）
=10V,R
G
=10 ,V
DD
=15V
V
DS
=10V,V
GS
=0,f=1MHZ
1.5
8.0
2.0
16.0
11.5
15.2
18
1300
405
190
37
500
75
95
25
4.5
7.0
14
21
29
民
典型值
最大
10
10
2.5
单位
A
A
V
S
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
3
.8
0
www.kexin.com.cn
1
SMD型
IC
晶体管
MOSFET
产品speci fi cation
2SK3365
特点
超低导通电阻：
R
DS(on)1
= 14 m
R
DS(on)2
= 21m
R
DS(on)3
= 29m
MAX 。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A)
MAX 。 （V
GS
= 4.5 V，I
D
= 15A)
+0.2
9.70
-0.2
TO-252
+0.15
1.50
-0.15
单位：mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
MAX 。 （V
GS
= 4 V，I
D
= 15A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 1300 pF的典型。
内置栅极保护二极管
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
0.127
最大
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
1门
2漏
3源
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
功耗
T
A
=25
T
C
=25
通道温度
储存温度
* PW
10秒，占空比1 ％
T
ch
T
英镑
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
dp
*
P
D
等级
30
20
30
120
1.0
36
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
排水截止电流
栅极漏电流
水道截止电压
正向转移导纳
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
Y
fs
Testconditons
V
DS
=30V,V
GS
=0
V
GS
= 20V,V
DS
=0
V
DS
=10V,I
D
=1mA
V
DS
=10V,I
D
=15A
V
GS
=10V,I
D
=15A
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
=4.5V,I
D
=15A
V
GS
=4.0V,I
D
=15A
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
r
t
关闭
tf
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
DD
= 24V, V
GS
= 10 V，I
D
= 30A
I
D
=15A,V
GS （ ON）
=10V,R
G
=10 ,V
DD
=15V
V
DS
=10V,V
GS
=0,f=1MHZ
1.5
8.0
2.0
16.0
11.5
15.2
18
1300
405
190
37
500
75
95
25
4.5
7.0
14
21
29
民
典型值
最大
10
10
2.5
单位
A
A
V
S
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
3
.8
0
1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1
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2SK1520
2-104355-0
27C64-15E/TS
206-417SN
22-28-2174
2SK2807-01L
2N3694
2-1102340-2
2SC2274E
22-28-3175
2SJ532-E
2-103328-1
2N6225
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    HECC GROUP CO，LIMITED
    QQ： 点击这里给我发消息
    电话：755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890
    联系人：Sante Zhang/Mollie
    地址：總部地址：UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址：深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    2SK3365
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

    电话：0755-82780082
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