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首字符2的型号第140页
> 2SK1520
2SK1519 ， 2SK1520
硅N沟道MOS FET
REJ03G0948-0300
（上一个： ADE- 208-1288 ）
Rev.3.00
2006年4月27日
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
内置的快速恢复二极管（T
rr
= 120纳秒）
适用于电机控制，开关稳压器， DC-DC变换器
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004ZF -A
（包名称： TO- 3PL ）
D
G
1.门
2.漏
3.源
1
S
2
3
Rev.3.00 2006年4月27日第1页6
2SK1519 ， 2SK1520
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
2SK1519
2SK1520
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
评级
450
500
±30
30
120
30
200
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在T
C
= 25
°
C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏极至源极
击穿电压
2SK1519
2SK1520
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅压漏2SK1519
当前
2SK1520
门源截止电压
静态漏源2SK1519
态电阻
2SK1520
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注： 3.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
450
500
±30
—
—
2.0
—
—
15
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.11
0.12
25
5800
1550
170
65
170
415
200
1.1
120
最大
—
—
±10
250
3.0
0.15
0.16
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 360 V, V
GS
= 0
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 15 A，V
GS
= 10 V *
3
I
D
= 15 A，V
DS
= 10 V *
3
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
I
D
= 15 A，V
GS
= 10 V,
R
L
= 2
I
F
= 30 A，V
GS
= 0
I
F
= 30 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
Rev.3.00 2006年4月27日第2页6
2SK1519 ， 2SK1520
主要特点
功率与温度降额
300
最高安全工作区
1,000
300
REA
S A
n)
10
THI
o
在研发
DS （
10
s
0
离子
PW
大鼠泰德B
s
E I
1
m
=
欧普LIM
DC
10
s
is
Op
ms
er
(1
ATI
Sh
on
OT ）
(T
C
=
25
°
C
)
通道耗散P沟（W）的
漏电流I
D
(A)
100
30
10
3
1
0.3
0.1
200
100
TA = 25
°
C
1
3
10
30
2SK1519
2SK1520
100
300
1,000
0
50
100
150
案例温度T
C
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
50
6V
10 V
5V
脉冲测试
50
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
40
40
30
4.5 V
20
30
20
T
C
= 75°C
25°C
–25°C
10
V
GS
= 4 V
10
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
10
脉冲测试
8
I
D
= 50 A
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
5
脉冲测试
2
1
0.5
漏极至源极饱和电压V
DS （ ON）
(V)
6
4
20 A
2
10 A
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
0.2
0.1
0.05
2
5
10
20
50
100
200
V
GS
= 10 V, 15 V
0
2
4
6
8
10
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.3.00 2006年4月27日第3页6
2SK1519 ， 2SK1520
静态漏源导通状态
电阻与温度
0.5
V
GS
= 10 V
脉冲测试
I
D
= 50 A
0.3
20 A
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
正向转移导纳
与漏电流
正向转移导纳
y
fs
(S)
100
50
V
DS
= 10 V
脉冲测试
T
C
= –25°C
25°C
75°C
0.4
20
10
5
0.2
10 A
0.1
2
1
0.5
0
–40
0
40
80
120
160
1
2
5
10
20
50
案例温度T
C
(°C)
体漏二极管反向
恢复时间
1,000
10,000
的di / dt = 100 A / μs的，V
GS
= 0
脉冲测试
电容C （PF ）
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
西塞
反向恢复时间吨RR （ NS ）
500
200
100
50
1,000
科斯
100
CRSS
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
10
20
10
0.5
1
2
5
10
20
50
0
10
20
30
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
1,000
V
DD
= 100 V
250 V
400 V
V
GS
V
DS
开关特性
栅极至源极电压V
GS
(V)
20
1,000
500
t
D（关闭）
开关时间t（ NS ）
800
16
600
12
200
100
50
t
r
t
f
400
8
t
D（上）
200
V
DD
= 400 V
250 V
100 V
80
160
240
I
D
= 30 A
脉冲测试
320
400
4
20
10
0.5
V
GS
= 10 V ， PW = 2
s
.
值班< 1 ％ ，V
DD
= 30 V
.
1
2
5
10
20
50
0
0
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流I
D
(A)
Rev.3.00 2006年4月27日第4 6
2SK1519 ， 2SK1520
反向漏电流 -
源极到漏极电压
50
反向漏电流I
DR
(A)
脉冲测试
40
30
20
10 V
GS
= 0, –5 V
10 V
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压V
SD
(V)
归瞬态热阻抗
γ
S
(t)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
3
T
C
= 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
θch -C
(t) =
γ
S
(t)
θch -C
θch -C
= 0.625 ° C / W ，T
C
= 25°C
P
DM
PW
D = PW
T
0.02
0.03
0.01
LSE
吨PU
笑
1
T
100
1m
10 m
100 m
0.01
10
1
10
脉冲宽度PW （S ）
开关时间测试电路
输入电压监视器
波形
90%
VOUT监控
D.U.T
VIN
10%
10%
90%
t
D（上）
t
r
90%
t
D（关闭）
t
f
10%
R
L
50
VIN
10 V
V
DD
.
= 30 V
.
VOUT
Rev.3.00 2006年4月27日第5 6
2SK1519 ， 2SK1520
硅N沟道MOS FET
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
内置的快速恢复二极管（T
rr
= 120纳秒）
适用于电机控制，开关稳压器， DC-DC变换器
概要
TO-3PL
D
G
1
2
3
S
1.门
2.漏
3.源
2SK1519 ， 2SK1520
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
2SK1519
2SK1520
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在T
C
= 25°C
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
符号
V
DSS
评级
450
500
±30
30
120
30
200
150
-55到+150
V
A
A
A
W
°C
°C
单位
V
2
2SK1519 ， 2SK1520
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏极至源极
击穿电压
符号最小值
2SK1519 V
（ BR ） DSS
2SK1520
V
（ BR ） GSS
I
GSS
450
500
±30
—
—
—
—
—
—
±10
250
V
A
A
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 360 V, V
GS
= 0
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0
V
GS （ OFF ）
2.0
—
—
| YFS |
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
15
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.11
0.12
25
5800
1550
170
65
170
415
200
1.1
120
3.0
0.15
0.16
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 30 A，V
GS
= 0
I
F
= 30 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
I
D
= 15 A，V
GS
= 10 V,
R
L
= 2
I
D
= 15 A，V
DS
= 10 V *
1
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
V
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 15 A，V
GS
= 10 V *
1
典型值
—
最大
—
单位
V
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
栅源击穿
电压
门源漏电流
零栅极电压
漏电流
2SK1519我
DSS
2SK1520
门源截止电压
静态漏源2SK1519
DS （ ON）
导通状态电阻
2SK1520
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体向前漏二极管
电压
体漏二极管反向
恢复时间
注意：
1.脉冲测试
3
2SK1519 ， 2SK1520
功率与温度降额
300
通道耗散P沟（W）的
1,000
300
漏电流I
D
(A)
100
30
10
3
1
0.3
TA = 25°C
0.1
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
1
3
30
10
100 300 1,000
漏极至源极电压V
DS
(V)
最高安全工作区
200
100
a
是
10
is
上）
th
在研发
DS （
10
s
0
离子
PW
大鼠泰德B
s
E I
1
m
=
欧普LIM
DC
10
s
is
Op
ms
er
(1
ATI
Sh
on
OT ）
(T
C
=
25
°C
)
2SK1519
2SK1520
典型的输出特性
50
6V
10 V
40
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
5V
40
脉冲测试
50
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
30
4.5 V
20
30
20
T
C
= 75°C
25°C
–25°C
10
V
GS
= 4 V
10
0
4
16
8
12
漏极至源极电压V
DS
(V)
20
0
2
6
8
4
栅极至源极电压V
GS
(V)
10
4
2SK1519 ， 2SK1520
漏极至源极饱和电压V
DS （ ON）
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
10
脉冲测试
8
I
D
= 50 A
5
脉冲测试
2
1
0.5
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
6
4
20 A
2
10 A
0.2
0.1
0.05
2
5
50 100
20
10
漏电流I
D
(A)
200
V
GS
= 10 V, 15 V
0
2
6
8
4
栅极至源极电压V
GS
(V)
10
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
静态漏源导通状态
电阻与温度
正向转移导纳
yfs
(S)
0.5
V
GS
= 10 V
脉冲测试
I
D
= 50 A
0.3
20 A
100
50
正向转移导纳
与漏电流
V
DS
= 10 V
脉冲测试
T
C
= –25°C
25°C
75°C
0.4
20
10
5
0.2
10 A
0.1
2
1
0.5
0
–40
0
80
120
40
案例温度T
C
(°C)
160
1
2
10
5
20
漏电流I
D
(A)
50
5
查看更多
2SK1520
PDF信息
推荐型号
2-1437358-7
292CNS-T1040Z
2SA1733KP
225TTA050M
2010063000
2SA1324
225TTA350M
24AA640-ESN
254981
2SD1754
2-104355-0
27C64-15E/TS
2SK3365
206-417SN
22-28-2174
2SK2807-01L
2N3694
2-1102340-2
2SC2274E
22-28-3175
供货商
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厂家
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封装
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2SK1520
-
-
-
-
终端采购配单精选
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司
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电话：0755-83209937
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2SK1520
-
-
-
-
终端采购配单精选
深圳市鹏顺兴科技有限公司
QQ：
电话：0755-23063133/23042311
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2SK1520
-
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-
-
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HECC GROUP CO，LIMITED
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电话：755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890
联系人：Sante Zhang/Mollie
地址：總部地址：UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
深圳地址：深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯
2SK1520
-
-
-
-
终端采购配单精选
深圳市壹芯创科技有限公司
QQ：
电话：0755-82780082
联系人：杨小姐
地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室
2SK1520
-
-
-
-
终端采购配单精选
更多配单专家
深圳市高尚微科技有限公司
QQ：
电话：0755-82794459
联系人：陈
地址：深圳市福田区华强电子世界3号楼2楼32C161房间
2SK1520
HITACHI/日立
17+
31518
TO-3PL
原装现货 优势出货
深圳市金鑫弈科技有限公司
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德国显周集团有限公司
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