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2SK3342
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型( π - MOSV )
2SK3342
开关稳压器和DC- DC转换器应用
电机驱动应用
低漏源导通电阻
高正向转移导纳
低漏电流
增强型
: R
DS ( ON)
= 0.8
(典型值)。
: |Y
fs
| = 4.5 S(典型值)。
单位:mm
: I
DSS
= 100
μA
(最大值) (Ⅴ
DS
= 250 V)
: V
th
= 1.5~3.5 V (V
DS
= 10 V,I
D
= 1 mA)的
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流
DC
(注1 )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
250
250
±20
4.5
18
20
51
4.5
2.0
150
55~150
单位
V
V
V
A
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
脉冲(注1 )
JEDEC
JEITA
东芝
SC-64
2-7B1B
漏极功耗(TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
(注2 )
雪崩电流
重复雪崩能量(注3 )
通道温度
存储温度范围
注意:
重量:0.58克(典型值)。
在重负载下连续使用(高如应用程序
温度/电流/电压和温度的显著变化等)
可能会导致该产品的可靠性降低显著即使
的操作条件(即工作温度/电流/电压等)是
内的绝对最大额定值。请设计适当的可靠性
经审查东芝半导体可靠性手册( “处理
注意事项“ /降级的概念和方法)和个人可靠性数据(即
可靠性测试报告和估计的故障率,等)。
热特性
特征
耐热性,信道到外壳
耐热性,信道至
环境
符号
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
最大
6.25
125
单位
C / W
C / W
JEDEC
JEITA
东芝
2-7J1B
注1 :确保通道温度不超过150 ℃。
注2 : V
DD =
50 V ,T
ch
= 25 ° C(初始) , L = 4.28 mH的,R
G
= 25
,
I
AR
= 4.5 A
注3 :重复评价:脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
重量:0.58克(典型值)。
1
2007-01-16
2SK3342
电气特性
( TA = 25°C )
特征
栅极漏电流
漏截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
符号
I
GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
th
R
DS ( ON)
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
tr
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V , F = 1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 250 V, V
GS
= 0 V
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0 V
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
V
GS
= 10 V,I
D
= 2.5 A
V
DS
= 10 V,I
D
= 2.5 A
250
1.5
2.0
典型值。
0.8
4.5
440
35
120
15
最大
±10
100
3.5
1.0
pF
单位
μA
μA
V
V
S
开启时间
开关时间
下降时间
t
on
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
100 V, V
GS
= 10 V,I
D
= 4.5 A
20
ns
15
关断时间
总栅极电荷(栅源
加栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )费
60
10
6
4
nC
源极 - 漏极额定值和特性
( TA = 25°C )
特征
连续漏电流反向
(注1 )
脉冲漏极电流反向
(注1 )
正向电压(二极管)
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
= 4.5 A,V
GS
= 0 V
I
DR
= 4.5 A,V
GS
= 0 V
dI
DR
/ DT
=
100 A /
μs
典型值。
110
0.47
最大
4.5
18
2.0
单位
A
A
V
ns
μC
记号
K3342
产品型号(或缩写代码)
LOT号
A线指示
铅(Pb ) - 免费包或
铅(Pb ) -free完成。
2
2007-01-16
2SK3342
I
D
– V
DS
10
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
8
10
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
15
I
D
– V
DS
8
10
5.5
8
10
15
8
5.5
5
I
D
(A)
6
I
D
(A)
6
5
漏电流
4
4.5
2
VGS
=
4V
0
0
2
4
6
8
10
漏电流
4
4.5
2
VGS
=
4V
0
0
10
20
30
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
8
常见的来源
VDS
=
10 V
脉冲测试
10
V
DS
– V
GS
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
(V)
V
DS
漏源电压
8
I
D
(A)
6
6
漏电流
4
4
ID
=
4.5 A
2
100
25
0
0
2
4
Ta
= 55°C
6
8
10
2
2
0
1
0
4
8
12
16
20
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
|Y
fs
| – I
D
10
常见的来源
VDS
=
10 V
脉冲测试
Ta
= 55°C
10
R
DS ( ON)
– I
D
正向转移导纳
Y
fs
(S)
25
漏源导通电阻
RD
S( ON)的
(Ω)
100
1
1
15
VGS
=
10 V
0.1
0.1
1
10
0.1
0.1
1
10
漏电流
I
D
(A)
漏电流
I
D
(A)
3
2007-01-16
2SK3342
R
DS ( ON)
Tc
3.0
常见的来源
VDS
=
10 V
脉冲测试
100
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
I
DR
V
DS
漏源导通电阻
RD
S( ON)的
(Ω)
2.0
反向漏电流I
DR
(A)
ID
=
4.5A
10
2
1
2.5
1.5
1.0
1
5
10
0.5
3
1
VGS
=
0V
1.0
1.5
2.0
0
100
50
0
50
100
150
200
0.1
0
0.5
壳温度( ° C)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
1000
5
常见的来源
VDS
=
10 V
ID
=
1mA
脉冲测试
V
th
Tc
(V)
V
th
栅极阈值电压
500
300
西塞
4
(PF )
电容C
3
100
科斯
2
50
CRSS
30
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1MHZ
Tc
=
25°C
0.3 0.5
1
3
5
10
30
1
10
0.1
0
100
50
0
50
100
150
200
漏源电压
V
DS
(V)
壳温度( ° C)
P
D
Tc
40
250
动态输入/输出
特征
25
常见的来源
ID
=
4.5 A
Tc
=
25°C
脉冲测试
200
20
漏极功耗
P
D
(W)
30
V
DS
漏源电压
50V
VDD
=
200V
100V
20
100
10
10
50
VGS
5
0
0
40
80
120
160
200
0
0
0
5
10
15
20
壳温度( ° C)
总栅极电荷Q
g
( NC )
4
2007-01-16
栅源电压
150
15
V
GS
(V)
(V)
VDS
2SK3342
c
安全工作区
100
80
E
AS
– T
ch
10
100
μs
*
ID MAX(连续)
1毫秒
*
雪崩能量E
AS
(兆焦耳)
ID MAX(脉冲)
*
60
漏电流I
D
(A)
1
40
0.1
*:
单一不重复的脉冲
Tc
=
25°C
曲线必须降低
线性地增加
温度。
1
10
20
0.01
VDSS最大
100
1000
0
25
50
75
100
125
150
通道温度(初始)总胆固醇( ° C)
漏源电压
V
DS
(V)
15 V
15
V
B
VDSS
I
AR
V
DD
V
DS
波形
测试电路
R
G
=25 Ω
V
DD =
50 V,L = 4.28mH
Ε
AS
=
1
B VDSS
L
I2
B
2
VDD
VDSS
5
2007-01-16
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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