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数据表
硅功率晶体管
2SD2165
NPN硅外延型晶体管
低频功率放大器和低速开关
该2SD2165特别开发了一个功率晶体管
FE
。此晶体管是理想的简化了驱动器的电路和
降低功耗,因为,其H
FE
是一样高的
达林顿晶体管,但它是一个单一的晶体管。
此外,这种晶体管设有一个小的树脂模
保温包,从而促进高密度安装和
安装成本的降低。
封装图(单位:mm )
特点
FE
低V
CE ( SAT )
:
h
FE
1300 TYP 。 (V
CE
= 5.0 V,I
C
= 1.0 A)
V
CE ( SAT )
0.3 V TYP 。 (我
C
= 3.0 A,I
B
= 30 mA)的
模具包,不需要绝缘板或
绝缘套管
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
基极电流(DC)的
总功耗
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C( DC )
I
C(脉冲)
I
B( DC )
P
T
(T
C
= 25°C)
P
T
(T
A
= 25°C)
T
j
T
英镑
评级
100
100
7.0
6.0
10
1.0
30
2.0
150
55
+150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
电极连接
1.基地
2.收集
3.辐射源
PW
300
S,占空比
10%
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件D13178EJ2V0DS00 (第2版)
发布日期2002年4月 CP ( K)
日本印刷
2002
1998
2SD2165
电气特性(T
A
= 25°C)
°
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
集电极饱和电压
基本饱和电压
增益带宽积
集电极电容
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
条件
V
CB
= 60 V,I
E
= 0 A
V
EB
= 7.0 V,I
C
= 0 A
V
CE
= 5.0 V,I
C
= 1.0 A
V
CE
= 5.0 V,I
C
= 3.0 A
I
C
= 3.0 A,I
B
= 30毫安
I
C
= 3.0 A,I
B
= 30毫安
V
CE
= 5.0 V,I
C
= 0.1 A
V
CB
= 10 V,I
E
= 0 , F = 1.0 MHz的
110
50
800
500
1,300
1,000
0.3
0.5
1.2
V
V
兆赫
pF
分钟。
典型值。
马克斯。
10
10
3,200
单位
A
A
脉冲测试PW
350
S,占空比
2%
h
FE1
分类
记号
h
FE1
M
800 1600
L
1000 2000
K
1600至3200
2
数据表D13178EJ2V0DS
2SD2165
典型特征(T
A
= 25°C)
°
总功耗P
T
(W)
案例温度T
C
(
°
C)
降额的dT ( % )
案例温度T
C
(
°
C)
单脉冲
集电极电流I
C
(A)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
瞬态热阻R
(t)
(
°
C / W )
无需散热器
具有无穷散热器
脉冲宽度PW (S )
数据表D13178EJ2V0DS
3
2SD2165
脉冲测试
集电极电流I
C
(A)
直流电流增益
FE
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
基本饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
集电极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
集电极电流I
C
(A)
增益带宽乘积F
T
(兆赫)
集电极电流I
C
(A)
集电极电容C
ob
(PF )
集电极基极电压V
CB
(V)
4
数据表D13178EJ2V0DS
2SD2165
[备忘录]
数据表D13178EJ2V0DS
5
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