数据表
硅功率晶体管
2SD2165
NPN硅外延型晶体管
低频功率放大器和低速开关
该2SD2165特别开发了一个功率晶体管
高
FE
。此晶体管是理想的简化了驱动器的电路和
降低功耗,因为,其H
FE
是一样高的
达林顿晶体管,但它是一个单一的晶体管。
此外,这种晶体管设有一个小的树脂模
保温包,从而促进高密度安装和
安装成本的降低。
封装图(单位:mm )
特点
高
FE
低V
CE ( SAT )
:
h
FE
1300 TYP 。 (V
CE
= 5.0 V,I
C
= 1.0 A)
V
CE ( SAT )
0.3 V TYP 。 (我
C
= 3.0 A,I
B
= 30 mA)的
模具包,不需要绝缘板或
绝缘套管
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
基极电流(DC)的
总功耗
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C( DC )
I
C(脉冲)
I
B( DC )
P
T
(T
C
= 25°C)
P
T
(T
A
= 25°C)
T
j
T
英镑
评级
100
100
7.0
6.0
10
记
1.0
30
2.0
150
55
+150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
电极连接
1.基地
2.收集
3.辐射源
记
PW
≤
300
S,占空比
≤
10%
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一号文件D13178EJ2V0DS00 (第2版)
发布日期2002年4月 CP ( K)
日本印刷
2002
1998