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2SK3211 （L） 2SK3211 （S）
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
ADE - 208-761A （ Z）
第2位。版
1999年2月
特点
低导通电阻
R
DS
= 60毫欧（典型值） 。
高速开关
4 V栅极驱动器可以从5 V电源驱动
2SK3211
概要
LDPAK
4
4
D
1
1
2
3
G
2
3
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
注意：
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
1
I
DR
I
AP
*
3
E
AR
*
3
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
评级
200
±20
25
100
25
25
41
100
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
1. PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
3.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
≥
50
2
2SK3211
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
符号最小值
200
±20
—
—
1.0
—
—
18
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
60
65
30
2420
790
340
20
230
590
330
0.95
230
最大
—
—
±10
10
2.5
75
85
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 25 A，V
GS
= 0
I
F
= 25 A，V
GS
= 0
DIF / DT = 50 A /
s
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 15 A，V
GS
= 10 V*
4
I
D
= 15 A，V
GS
= 4 V*
4
I
D
= 15 A，V
DS
= 10 V *
4
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 15 A，V
GS
= 10 V
R
L
= 2
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
栅源击穿电压
门源漏电流
零门voltege漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向
恢复时间
注意：
4.脉冲测试
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
3
2SK3211
主要特点
功率与温度降额
40
最高安全工作区
PW
DC
Op
100
P沟（W）的
I
D
(A)
30
10
3
1
0.3
0.1
0.03
30
=1
10
0m
10
0
er
ATI
散热通道
漏电流
s
s(
1s
ho
on
t)
(T
c=
25
°
C)
1m
s
s
20
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
10
0
0.01
50
100
150
TC （ ℃）
200
1
外壳温度
TA = 25℃
2
5
10 20
50 100 200
V
DS
(V)
500
漏源极电压
典型的输出特性
50
10 V
4V
脉冲测试
6V
3.5 V
20
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
(A)
30
3V
20
I
D
漏电流
(A)
40
16
12
漏电流
8
TC = 75℃
–25°C
10
V
GS
=2.5 V
4
25°C
0
2
4
6
漏源极电压
8
V
DS
(V)
10
0
1
2
3
栅极至源极电压
4
5
V
GS
(V)
4
2SK3211
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电压
V
DS （上
) (V)
脉冲测试
2.0
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(
m
)
2.5
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
500
脉冲测试
200
100
50
V
GS
= 4 V
10 V
1.5
1.0
I
D
= 15 A
10 A
0.5
5A
20
10
1
2
10
5
漏电流
50
20
I
D
(A)
100
0
12
4
8
栅极至源极电压
16
20
V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(
m
)
正向转移导纳| Y
fs
| (S)
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
250
脉冲测试
200
正向转移导纳主场迎战
漏电流
50
TC = -25°C
20
75 °C
10
5
2
1
0.5
0.1
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.3
1
3
10
30
漏电流I
D
(A)
100
25 °C
150
V
GS
= 4 V
5,10,15 A
100
5,10,15 A
50
10 V
0
–40
0
40
80
120
160
案例温度T
c
(°C)
5
2SK3211 （L） 2SK3211 （S）
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
ADE - 208-761A （ Z）
第2位。版
1999年2月
特点
低导通电阻
R
DS
= 60毫欧（典型值） 。
高速开关
4 V栅极驱动器可以从5 V电源驱动
2SK3211
概要
LDPAK
4
4
D
1
1
2
3
G
2
3
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
注意：
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
1
I
DR
I
AP
*
3
E
AR
*
3
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
评级
200
±20
25
100
25
25
41
100
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
1. PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
3.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
≥
50
2
2SK3211
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
符号最小值
200
±20
—
—
1.0
—
—
18
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
60
65
30
2420
790
340
20
230
590
330
0.95
230
最大
—
—
±10
10
2.5
75
85
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 25 A，V
GS
= 0
I
F
= 25 A，V
GS
= 0
DIF / DT = 50 A /
s
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 200 V, V
GS
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I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 15 A，V
GS
= 10 V*
4
I
D
= 15 A，V
GS
= 4 V*
4
I
D
= 15 A，V
DS
= 10 V *
4
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 15 A，V
GS
= 10 V
R
L
= 2
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
栅源击穿电压
门源漏电流
零门voltege漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向
恢复时间
注意：
4.脉冲测试
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
3
2SK3211
主要特点
功率与温度降额
40
最高安全工作区
PW
DC
Op
100
P沟（W）的
I
D
(A)
30
10
3
1
0.3
0.1
0.03
30
=1
10
0m
10
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er
ATI
散热通道
漏电流
s
s(
1s
ho
on
t)
(T
c=
25
°
C)
1m
s
s
20
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
10
0
0.01
50
100
150
TC （ ℃）
200
1
外壳温度
TA = 25℃
2
5
10 20
50 100 200
V
DS
(V)
500
漏源极电压
典型的输出特性
50
10 V
4V
脉冲测试
6V
3.5 V
20
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
(A)
30
3V
20
I
D
漏电流
(A)
40
16
12
漏电流
8
TC = 75℃
–25°C
10
V
GS
=2.5 V
4
25°C
0
2
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漏源极电压
8
V
DS
(V)
10
0
1
2
3
栅极至源极电压
4
5
V
GS
(V)
4
2SK3211
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电压
V
DS （上
) (V)
脉冲测试
2.0
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(
m
)
2.5
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
500
脉冲测试
200
100
50
V
GS
= 4 V
10 V
1.5
1.0
I
D
= 15 A
10 A
0.5
5A
20
10
1
2
10
5
漏电流
50
20
I
D
(A)
100
0
12
4
8
栅极至源极电压
16
20
V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(
m
)
正向转移导纳| Y
fs
| (S)
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
250
脉冲测试
200
正向转移导纳主场迎战
漏电流
50
TC = -25°C
20
75 °C
10
5
2
1
0.5
0.1
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.3
1
3
10
30
漏电流I
D
(A)
100
25 °C
150
V
GS
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5,10,15 A
100
5,10,15 A
50
10 V
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–40
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80
120
160
案例温度T
c
(°C)
5
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20021121-00012D4LF
2020-6624-20
2DF0T47
22NB015G
2113
2AM-ARV-92
27134PDLA
24C01C-I/P
2-2106124-7
2SD1011
28720
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
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    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SK3211L
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    -
    -
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更多配单专家
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联系人：朱咸华
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