2SK3192
■
电气特性（续）
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
栅极电荷负载
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
热阻（沟道-c）的
热阻（沟道-a）的
符号
V
DSF
t
rr
Q
rr
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
条件
I
DR
=
30 A，V
GS
=
0
L
=
230
H,
V
DD
=
100 V
I
DR
=
15 A ， di / dt的
=
100 A / μs的
V
DD
=
100 V，I
D
=
15 A
V
GS
=
10 V
260
1.6
95
34
12
1.25
41.7
民
典型值
最大
1.5
单位
V
ns
C
nC
nC
nC
° C / W
° C / W
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
安全工作区
10
3
非重复脉冲
T
C
=
25°C
I
DP
I
D
10
DC
1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
t
=
100
s
P
D
T
a
120
(1)
(1) T
C
=
T
a
（2）不带散热片
P
D
=
3 W
I
D
V
DS
30
V
GS
=
10 V
25
T
C
=
25°C
100
10
2
功耗P
D
(W)
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
80
20
5V
15
60
40
10
4.5 V
20
(2)
10
1
1
10
10
2
10
3
5
4V
3V
0
2
4
6
8
10
12
14
0
0
50
100
150
0
漏源电压V
DS
(V)
环境温度T
a
(
°C
)
漏源电压V
DS
(V)
V
GS
I
D
50
100
R
DS （ ON）
I
D
30
Y
fs
I
D
正向转移导纳
Y
fs
(S)
V
DS
=
10 V
T
C
=
25°C
25
漏源电阻R
DS （ ON）
(m)
V
DS
=
10 V
T
C
=
25°C
V
GS
=
10 V
T
C
=
25°C
80
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
40
20
30
60
15
20
40
10
10
20
5
0
0
2
4
6
8
10
0
0
10
20
30
0
0
5
10
15
20
25
30
35
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
2
SJG00029BED
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府（如果有）的主管当局获得的
下"Foreign交易所在这种材料中描述和控制的产品或技术信息
外贸Law"是要出口或带出日本。
（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示有代表性的特点和
该产品的应用电路的例子。它既不保证不侵犯知识产权
或拥有本公司或第三方，也没有授予任何许可的任何其他权利。
（ 3 ）我们不为权利所因使用该技术的第三方拥有的侵权责任
在本材料中描述的信息。
（4）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般elec-
TRONIC设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器及住户
持设备） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备， combus-
化设备，生命支持系统和安全装置），其中出色的质量和可靠性
必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类
体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不另行通知
修改和/或改进。在您的设计，采购，或者使用的产品的最后阶段，
因此，要求最先进的最新产品标准提前，以确保最新的规范
系统蒸发散满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，顺应保证值，尤其是最大额定的
荷兰国际集团，工作电源电压，以及热辐射特性的范围内。否则，我们不会
对于可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到发病的代价
分解和破坏模式，可能发生对半导体产品。在这样的制度措施
作为冗余设计，阻止火灾或防止毛刺的蔓延，建议为了防止
物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括货架寿命
和时间量，让站在密封的物品）约定，当规格表被单独
交换。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2003年九月
2SK3192
■
电气特性（续）
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
栅极电荷负载
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
热阻（沟道-c）的
热阻（沟道-a）的
符号
V
DSF
t
rr
Q
rr
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
条件
I
DR
=
30 A，V
GS
=
0
L
=
230
H,
V
DD
=
100 V
I
DR
=
15 A ， di / dt的
=
100 A / μs的
V
DD
=
100 V，I
D
=
15 A
V
GS
=
10 V
260
1.6
95
34
12
1.25
41.7
民
典型值
最大
1.5
单位
V
ns
C
nC
nC
nC
° C / W
° C / W
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
安全工作区
10
3
非重复脉冲
T
C
=
25°C
I
DP
I
D
10
DC
1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
t
=
100
s
P
D
T
a
120
(1)
(1) T
C
=
T
a
（2）不带散热片
P
D
=
3 W
I
D
V
DS
30
V
GS
=
10 V
25
T
C
=
25°C
100
10
2
功耗P
D
(W)
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
80
20
5V
15
60
40
10
4.5 V
20
(2)
10
1
1
10
10
2
10
3
5
4V
3V
0
2
4
6
8
10
12
14
0
0
50
100
150
0
漏源电压V
DS
(V)
环境温度T
a
(
°C
)
漏源电压V
DS
(V)
V
GS
I
D
50
100
R
DS （ ON）
I
D
30
Y
fs
I
D
正向转移导纳
Y
fs
(S)
V
DS
=
10 V
T
C
=
25°C
25
漏源电阻R
DS （ ON）
(m)
V
DS
=
10 V
T
C
=
25°C
V
GS
=
10 V
T
C
=
25°C
80
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
40
20
30
60
15
20
40
10
10
20
5
0
0
2
4
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0
10
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0
0
5
10
15
20
25
30
35
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
2
SJG00029BED
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府（如果有）的主管当局获得的
下"Foreign交易所在这种材料中描述和控制的产品或技术信息
外贸Law"是要出口或带出日本。
（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示有代表性的特点和
该产品的应用电路的例子。它既不保证不侵犯知识产权
或拥有本公司或第三方，也没有授予任何许可的任何其他权利。
（ 3 ）我们不为权利所因使用该技术的第三方拥有的侵权责任
在本材料中描述的信息。
（4）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般elec-
TRONIC设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器及住户
持设备） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备， combus-
化设备，生命支持系统和安全装置），其中出色的质量和可靠性
必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类
体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不另行通知
修改和/或改进。在您的设计，采购，或者使用的产品的最后阶段，
因此，要求最先进的最新产品标准提前，以确保最新的规范
系统蒸发散满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，顺应保证值，尤其是最大额定的
荷兰国际集团，工作电源电压，以及热辐射特性的范围内。否则，我们不会
对于可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到发病的代价
分解和破坏模式，可能发生对半导体产品。在这样的制度措施
作为冗余设计，阻止火灾或防止毛刺的蔓延，建议为了防止
物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括货架寿命
和时间量，让站在密封的物品）约定，当规格表被单独
交换。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2003年九月
QQ：2881677436 复制
