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2SK2855
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型
2SK2855
UHF频带放大器应用
(注)本文档中列出的东芝产品用于高
电信频功率放大器equipment.These东芝
产品既不打算,也没有必要对任何其他use.Do不能使用
除了高频本文档中列出的这些东芝的产品
电信设备功率放大器。
以毫米单位
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
(注1 )
T
ch
T
英镑
等级
10
±6
1.0
0.5
150
55~150
单位
V
V
A
W
°C
°C
注意:
在重负载下连续使用(高如应用程序
温度/电流/电压和在显著变化
JEDEC
温度等)可能会导致此产品在减少
JEITA
SC62
可靠性显著即使工作条件(即工作
东芝
25K1D
温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
注1 :TC = 25 ℃,当安装在1.6毫米玻璃环氧树脂印刷电路板
记号
产品型号(或缩写代码)
U
T
A线指示
铅(Pb ) - 免费包或
铅(Pb ) -free完成。
LOT号
1
2
3
1.门
2.源
3.排水
注意事项:
该器件对静电放电敏感。
请赚到足够的工具和设备接地,当你处理。
1
2007-11-01
2SK2855
电气特性
( TA = 25°C )
特征
输出功率
漏EF网络效率
漏源击穿电压
排水截止电流
阈值电压
栅极 - 源极漏电流
符号
P
O
η
D
V
( BR ) DSS
I
DSS
V
th
I
GSS
测试条件
V
DS
= 6V , F = 849MHz
PI = 23dBmW
V
DS
= 6V , F = 849MHz
PI = 23dBmW ,P
O
= 31dBmW
V
GS
= 0, I
D
= 1μA
V
DS
= 6V, V
GS
= 0
V
DS
= 6V ,我
D
= 500μA
V
GS
= 6V, V
DS
= 0
分钟。
31
55
10
1.0
典型值。
1.4
马克斯。
100
1.8
±100
单位
dBmW
%
V
nA
V
nA
注2:这些特性值是使用东芝指定的测量工具测量。
射频输出功率测试夹具
2
2007-11-01
2SK2855
注3 :这些仅是典型的曲线和设备不一定保证在这些曲线。
3
2007-11-01
2SK2855
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品,不得使用或嵌入到任何下游产品,其中
制造,使用和/或出售的任何可适用的法律,法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
4
2007-11-01
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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