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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第399页 > 2SK3125
2SK3125
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSVI ）
2SK3125
DC-DC转换器，继电器驱动器和
电机驱动应用
单位：mm
·
·
·
·
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 5.3毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 60 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
100
μA （最大值） （V
DS
= 30 V)
增强模型： V
th
=
1.5~3.0
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20千瓦）
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
30
30
±20
70
210
150
955
70
15
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-16H1A
重量： 3.65克（典型值）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
符号
R
TH（ CH-C ）
最大
0.833
单位
° C / W
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ： V
DD
=
25 V ，T
ch
=
25℃ ，L-
=
140
mH的，
R
G
=
25
W,
I
AR
=
70 A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
1
2002-08-23
2SK3125
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
th
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
I
D
=
30 A
V
OUT
R
L
=
0.5
W
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
30 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V，I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V，I
D
=
30 A
V
DS
=
10 V，I
D
=
30 A
民
30
1.5
30
典型值。
5.3
60
4600
1400
2300
25
最大
±10
100
3.0
7.0
pF
单位
mA
mA
V
V
mW
S
10 V
ns
开启时间
开关时间
下降时间
t
on
V
GS
0V
40
4.7
9
t
f
V
DD
~
15 V
-
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
ms
=
150
nC
打开-O FF时间
总栅极电荷
（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
425
130
90
40
V
DD
~
24 V, V
GS
=
10 V，I
D
=
70 A
-
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
连续漏反向电流（注1 ）
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
（注1 ）
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
=
70 A，V
GS
=
0 V
I
DR
=
70 A，V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
50 A / MS
民
典型值。
150
225
最大
70
210
-1.7
单位
A
A
V
ns
nC
记号
东芝
K3125
※
TYPE
※
批号
一个月（从字母A启动）
YEAR
（最后公元数）
2
2002-08-23
2SK3125
I
D
-
V
DS
100
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
8
60
4
6
10
100
5
4.5
10
8
80 6
5
4.5
I
D
-
V
DS
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
80
4.25
(A)
(A)
I
D
I
D
60
4
漏电流
40
3.75
3.5
漏电流
40
V
OU
3.5
20
VGS
=
3.25 V
0
0
20
VGS
=
3.25 V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1
2
3
4
5
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
-
V
GS
1.2
V
DS
-
V
GS
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
(A)
80
V
DS
漏源电压
(V)
100
1.0
0.8
漏电流
I
D
60
0.6
ID
=
70 A
40
25
Tc
= -55°C
常见的来源
VDS
=
10 V
脉冲测试
3
4
5
6
0.4
20
100
0.2
30
15
2
4
6
8
10
12
0
0
1
2
0
0
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
Y
fs
-
I
D
1000
100
R
DS （ ON）
-
I
D
Y
fs
(S)
正向转移导纳
100
Tc
= -55°C
100
25
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
（ mW）的
10
VGS
=
10, 15 V
10
常见的来源
VDS
=
10 V
脉冲测试
10
100
1000
1
1
1
1
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
10
100
漏电流
I
D
(A)
漏电流
I
D
(A)
3
2002-08-23
2SK3125
R
DS （ ON）
-
Tc
20
常见的来源
VGS
=
10 V
脉冲测试
1000
I
DR
-
V
DS
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(W)
16
I
DR
(A)
100
10
5
3
VGS
=
0 V,
-1
V
8
ID
=
15, 30 A
70
反向漏电流
12
10
1
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
4
0
-80
-40
0
40
80
120
160
壳温度
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
V
th
TC =
5
50
动态输入/输出特性
常见的来源
ID
=
70 A
Tc
=
25°C
脉冲测试
25
4
40
20
漏源电压
3
30
VDS
20
VDD
=
24 V
10
VGS
0
0
6
12
15
2
10
1
常见的来源
VDS
=
10 V
ID
=
1毫安
脉冲测试
-40
0
40
80
120
160
5
0
-80
40
80
120
160
0
200
壳温度
(°C)
总栅极电荷Q
g
（ NC ）
P
D
-
Tc
200
(W)
漏极功耗
P
D
150
100
50
0
0
40
80
120
160
200
壳温度
(°C)
4
2002-08-23
栅极阈值电压V
GS
(V)
栅极阈值电压V
th
(V)
V
DS
(V)
2SK3125
r
th
-
t
w
10
归瞬态热阻抗
r
日（T ）
/R
TH（ CH-C ）
1
税
=
0.5
0.2
0.1
PDM
t
T
单脉冲
0.01
税
=
t/T
RTH （ CH-C ）
=
0.833°C/W
1m
10 m
100 m
1
10
0.1
0.05
0.02
0.01
10
m
100
m
脉冲宽度
t
w
(S)
1000
安全工作区
1000
E
AS
– T
ch
ID MAX（脉冲）
*
100
ms
*
100
ID最多
（连续）
（兆焦耳）
雪崩能量E
AS
800
(A)
1毫秒
*
600
漏电流
I
D
直流操作
Tc
=
25°C
10
*
单一不重复的脉冲
Tc
=
25°C
曲线必须降低
线性地增加
温度。
1
VDSS最大
10
100
400
200
0
25
50
75
100
125
150
1
0.1
通道温度（初始）T
ch
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
15 V
-15
V
B
VDSS
I
AR
V
DD
V
DS
测试电路
R
G
=
25
W
V
DD
=
25 V，L
=
140
mH
Ε
AS
=
电波表
1
B VDSS
÷
×
L
×
I2
×
B
2
-
VDD
÷
è
VDSS
5
2002-08-23
2SK3125
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSVI ）
2SK3125
DC-DC转换器，继电器驱动器和
电机驱动应用
单位：mm
·
·
·
·
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 5.3毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 60 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
100
μA （最大值） （V
DS
= 30 V)
增强模型： V
th
=
1.5~3.0
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20千瓦）
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
30
30
±20
70
210
150
955
70
15
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-16H1A
重量： 3.65克（典型值）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
符号
R
TH（ CH-C ）
最大
0.833
单位
° C / W
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ： V
DD
=
25 V ，T
ch
=
25℃ ，L-
=
140
mH的，
R
G
=
25
W,
I
AR
=
70 A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
1
2002-08-23
2SK3125
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
th
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
I
D
=
30 A
V
OUT
R
L
=
0.5
W
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
30 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V，I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V，I
D
=
30 A
V
DS
=
10 V，I
D
=
30 A
民
30
1.5
30
典型值。
5.3
60
4600
1400
2300
25
最大
±10
100
3.0
7.0
pF
单位
mA
mA
V
V
mW
S
10 V
ns
开启时间
开关时间
下降时间
t
on
V
GS
0V
40
4.7
9
t
f
V
DD
~
15 V
-
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
ms
=
150
nC
打开-O FF时间
总栅极电荷
（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
425
130
90
40
V
DD
~
24 V, V
GS
=
10 V，I
D
=
70 A
-
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
连续漏反向电流（注1 ）
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
（注1 ）
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
=
70 A，V
GS
=
0 V
I
DR
=
70 A，V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
50 A / MS
民
典型值。
150
225
最大
70
210
-1.7
单位
A
A
V
ns
nC
记号
东芝
K3125
※
TYPE
※
批号
一个月（从字母A启动）
YEAR
（最后公元数）
2
2002-08-23
2SK3125
I
D
-
V
DS
100
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
8
60
4
6
10
100
5
4.5
10
8
80 6
5
4.5
I
D
-
V
DS
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
80
4.25
(A)
(A)
I
D
I
D
60
4
漏电流
40
3.75
3.5
漏电流
40
V
OU
3.5
20
VGS
=
3.25 V
0
0
20
VGS
=
3.25 V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1
2
3
4
5
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
-
V
GS
1.2
V
DS
-
V
GS
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
(A)
80
V
DS
漏源电压
(V)
100
1.0
0.8
漏电流
I
D
60
0.6
ID
=
70 A
40
25
Tc
= -55°C
常见的来源
VDS
=
10 V
脉冲测试
3
4
5
6
0.4
20
100
0.2
30
15
2
4
6
8
10
12
0
0
1
2
0
0
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
Y
fs
-
I
D
1000
100
R
DS （ ON）
-
I
D
Y
fs
(S)
正向转移导纳
100
Tc
= -55°C
100
25
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
（ mW）的
10
VGS
=
10, 15 V
10
常见的来源
VDS
=
10 V
脉冲测试
10
100
1000
1
1
1
1
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
10
100
漏电流
I
D
(A)
漏电流
I
D
(A)
3
2002-08-23
2SK3125
R
DS （ ON）
-
Tc
20
常见的来源
VGS
=
10 V
脉冲测试
1000
I
DR
-
V
DS
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(W)
16
I
DR
(A)
100
10
5
3
VGS
=
0 V,
-1
V
8
ID
=
15, 30 A
70
反向漏电流
12
10
1
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
4
0
-80
-40
0
40
80
120
160
壳温度
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
V
th
TC =
5
50
动态输入/输出特性
常见的来源
ID
=
70 A
Tc
=
25°C
脉冲测试
25
4
40
20
漏源电压
3
30
VDS
20
VDD
=
24 V
10
VGS
0
0
6
12
15
2
10
1
常见的来源
VDS
=
10 V
ID
=
1毫安
脉冲测试
-40
0
40
80
120
160
5
0
-80
40
80
120
160
0
200
壳温度
(°C)
总栅极电荷Q
g
（ NC ）
P
D
-
Tc
200
(W)
漏极功耗
P
D
150
100
50
0
0
40
80
120
160
200
壳温度
(°C)
4
2002-08-23
栅极阈值电压V
GS
(V)
栅极阈值电压V
th
(V)
V
DS
(V)
2SK3125
r
th
-
t
w
10
归瞬态热阻抗
r
日（T ）
/R
TH（ CH-C ）
1
税
=
0.5
0.2
0.1
PDM
t
T
单脉冲
0.01
税
=
t/T
RTH （ CH-C ）
=
0.833°C/W
1m
10 m
100 m
1
10
0.1
0.05
0.02
0.01
10
m
100
m
脉冲宽度
t
w
(S)
1000
安全工作区
1000
E
AS
– T
ch
ID MAX（脉冲）
*
100
ms
*
100
ID最多
（连续）
（兆焦耳）
雪崩能量E
AS
800
(A)
1毫秒
*
600
漏电流
I
D
直流操作
Tc
=
25°C
10
*
单一不重复的脉冲
Tc
=
25°C
曲线必须降低
线性地增加
温度。
1
VDSS最大
10
100
400
200
0
25
50
75
100
125
150
1
0.1
通道温度（初始）T
ch
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
15 V
-15
V
B
VDSS
I
AR
V
DD
V
DS
测试电路
R
G
=
25
W
V
DD
=
25 V，L
=
140
mH
Ε
AS
=
电波表
1
B VDSS
÷
×
L
×
I2
×
B
2
-
VDD
÷
è
VDSS
5
2002-08-23
2SK3125
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSVI ）
2SK3125
DC-DC转换器，继电器驱动器和
电机驱动应用
单位：mm
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 5.3毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 60 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 100
μA
（最大值） （Ⅴ
DS
= 30 V)
增强模型： V
th
= 1.5~3.0 V (V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
30
30
±20
70
210
150
955
70
15
150
55~150
单位
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-16H1A
重量： 3.65克（典型值）。
注意：
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
符号
R
TH（ CH-C ）
最大
0.833
单位
° C / W
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ： V
DD
=
25 V ，T
ch
=
25℃ ，L-
=
140
μH,
R
G
=
25
Ω,
I
AR
=
70 A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
1
2006-11-16
2SK3125
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
th
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
I
D
=
30 A
V
OUT
R
L
=
0.5
Ω
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
30 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V，I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V，I
D
=
30 A
V
DS
=
10 V，I
D
=
30 A
民
30
1.5
30
典型值。
5.3
60
4600
1400
2300
25
最大
±10
100
3.0
7.0
pF
单位
μA
μA
V
V
mΩ
S
10 V
ns
开启时间
开关时间
下降时间
t
on
V
GS
0V
40
4.7
Ω
t
f
V
DD
15 V
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
μs
=
150
nC
打开-O FF时间
总栅极电荷
（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
425
130
90
40
V
DD
24 V, V
GS
=
10 V，I
D
=
70 A
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
连续漏反向电流（注1 ）
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
（注1 ）
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
=
70 A，V
GS
=
0 V
I
DR
=
70 A，V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
50 A / μs的
民
典型值。
150
225
最大
70
210
1.7
单位
A
A
V
ns
nC
记号
东芝
K3125
产品型号（或缩写代码）
LOT号
2
2006-11-16
2SK3125
I
D
V
DS
100
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
8
60
4
6
10
100
5
4.5
10
8
80 6
5
4.5
I
D
V
DS
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
80
4.25
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
60
4
40
3.75
3.5
40
V
OU
3.5
20
VGS
=
3.25 V
0
0
20
VGS
=
3.25 V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1
2
3
4
5
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
V
GS
1.2
V
DS
V
GS
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
80
V
DS
(V)
漏源电压
100
1.0
0.8
60
0.6
ID
=
70 A
40
25
Tc
= 55°C
0.4
20
100
0
0
常见的来源
VDS
=
10 V
脉冲测试
3
4
5
6
0.2
30
15
2
4
6
8
10
12
1
2
0
0
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
Y
fs
I
D
1000
100
R
DS （ ON）
I
D
正向转移导纳
Y
fs
(S)
100
Tc
= 55°C
100
25
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(mΩ)
10
VGS
=
10, 15 V
10
1
1
常见的来源
VDS
=
10 V
脉冲测试
10
100
1000
1
1
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
10
100
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
3
2006-11-16
2SK3125
R
DS （ ON）
Tc
20
常见的来源
VGS
=
10 V
脉冲测试
1000
I
DR
V
DS
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
16
I
DR
(A)
100
10
5
3
8
ID
=
15, 30 A
70
反向漏电流
12
10
1
VGS
=
0 V,
1
V
4
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
80
40
0
40
80
120
160
壳温度（ ° C）
漏源电压
V
DS
(V)
V
th
TC =
5
50
动态输入/输出特性
常见的来源
ID
=
70 A
Tc
=
25°C
脉冲测试
25
4
V
DS
(V)
40
20
栅极阈值电压
VDS
20
6
10
VDD
=
24 V
2
1
常见的来源
VDS
=
10 V
ID
=
1毫安
脉冲测试
40
0
40
80
120
160
10
VGS
0
0
5
0
80
40
80
120
160
0
200
壳温度（ ° C）
总栅极电荷Q
g
（ NC ）
P
D
Tc
200
漏极功耗P
D
(W)
150
100
50
0
0
40
80
120
160
200
壳温度（ ° C）
4
2006-11-16
栅极阈值电压
漏源电压
3
30
12
15
V
GS
(V)
V
th
(V)
2SK3125
r
th
t
w
10
归瞬态热阻抗
r
日（T ）
/R
TH（ CH-C ）
1
税
=
0.5
0.2
0.1
PDM
t
T
单脉冲
0.01
税
=
t/T
RTH （ CH-C ）
=
0.833°C/W
1m
10 m
100 m
1
10
0.1
0.05
0.02
0.01
10
μ
100
μ
脉冲宽度
t
w
(S)
1000
安全工作区
1000
E
AS
– T
ch
ID MAX（脉冲）
*
100
μs
*
雪崩能量E
AS
（兆焦耳）
800
漏电流I
D
(A)
100
ID最多
（连续）
1毫秒
*
600
直流操作
Tc
=
25°C
10
*
单一不重复的脉冲
Tc
=
25°C
曲线必须降低
线性地增加
温度。
1
400
200
VDSS最大
10
100
0
25
50
75
100
125
150
1
0.1
通道温度（初始）T
ch
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
15 V
15
V
B
VDSS
I
AR
V
DD
V
DS
测试电路
R
G
=
25
Ω
V
DD
=
25 V，L
=
140
μH
电波表
Ε
AS
=
1
B VDSS
L
I2
B
2
VDD
VDSS
5
2006-11-16
查看更多2SK3125PDF信息
推荐型号
212X1012N220RA
2SA104
2-1393130-7
2SC4505T100P
227LMU450M2DF
212T10N320FD1
26-61-5030
23969-05
2N6987UJANTX
262645
223MPW400K
2SD1275R
2SA838
2256-52L
20021121-00006C8LF
23FD3755-F
2-1437664-6
2N1017
2N3440CSM4
2SD1270P
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    2SK3125
    -
    -
    -
    -
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联系人：张女士
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TOSHIBA
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联系人：陈小姐 付先生
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联系人：陈佳隆
地址：深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
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21000
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联系人：朱成平
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联系人：李
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TOSHIBA/东芝
2407+
1500
to263L
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