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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第399页 > 2SA838
晶体管
2SA838
PNP硅外延平面型
用于高频放大
补充2SC1359
5.0±0.2
单位：mm
4.0±0.2
q
高转换频率f
T
.
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
–30
–20
–5
–30
250
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mW
C
C
13.5±0.5
5.1±0.2
s
特点
0.45
–0.1
1.27
+0.2
0.45
–0.1
1.27
+0.2
1 2 3
2.3±0.2
2.54±0.15
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
JEDEC ： TO- 92
EIAJ ： SC- 43A
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
跃迁频率
噪声系数
反向传输阻抗
共发射极反向传输
电容
(Ta=25C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE *
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
NF
Z
rb
C
re
条件
V
CB
= -10V ，我
E
= 0
V
CE
= -20V ，我
B
= 0
V
EB
= -5V ，我
C
= 0
V
CE
= -10V ，我
C
= -1mA
I
C
= -10mA ，我
B
= -1mA
V
CE
= -10V ，我
C
= -1mA
V
CB
= -10V ，我
E
= 1mA时， F = 200MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 1mA时， F = 5MHz时
V
CE
= -10V ，我
C
= -1mA ， F = 2MHz的
V
CE
= -10V ，我
C
= -1mA ，
F = 10.7MHz的
150
70
– 0.1
– 0.7
300
2.8
22
1.2
4.0
50
2.0
民
典型值
最大
– 0.1
–100
–10
220
V
V
兆赫
dB
pF
单位
A
A
*
h
FE
等级分类
B
70 ~ 140
C
110 ~ 220
h
FE
秩
1
晶体管
P
C
- TA
500
–30
Ta=25C
450
–25
2SA838
I
C
— V
CE
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
–100
–30
–10
–3
–1
Ta=75C
25C
V
CE （ SAT ）
— I
C
I
C
/I
B
=10
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
350
300
250
200
150
100
50
0
0
40
80
120
160
200
集电极电流I
C
（MA ）
400
–20
I
B
=–250A
–200A
–15
–150A
–10
–100A
–50A
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
– 0.1 – 0.3
–25C
–5
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–1
–3
–10
–30
–100
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
h
FE
— I
C
–120
6
C
ob
— V
CB
集电极输出电容C
ob
（PF ）
V
CE
=–10V
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
C
re
— V
CE
共发射极反向传输电容C
re
（PF ）
5
I
C
=–1mA
f=10.7MHz
Ta=25C
4
正向电流传输比H
FE
–100
Ta=75C
–80
5
25C
–25C
4
3
–60
3
2
–40
2
–20
1
1
0
– 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
0
– 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
0
–1
–3
–10
–30
–100
集电极电流I
C
（MA ）
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
f
T
— I
E
600
V
CB
=–10V
Ta=25C
24
PG - 我
C
V
CE
=–10V
f=100MHz
Ta=25C
5
NF - 我
E
V
CB
=–10V
f=100MHz
Ta=25C
4
过渡频率f
T
（兆赫）
500
20
400
16
噪声系数NF （ dB）的
–1
–3
–10
–30
–100
功率增益PG （分贝）
3
300
12
2
200
8
100
4
1
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
0
– 0.1 – 0.3
0
0.1
0.3
1
3
10
发射极电流I
E
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
发射极电流I
E
（MA ）
2
晶体管
2SC1359
NPN硅外延平面型
用于高频放大
补充2SA838
单位：mm
5.0±0.2
4.0±0.2
s
特点
q
q
最适合的FM / AM收音机射频放大。
高转换频率f
T
.
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
30
20
5
30
400
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mW
C
C
13.5±0.5
5.1±0.2
0.45
–0.1
1.27
+0.2
0.45
–0.1
1.27
+0.2
1 2 3
2.3±0.2
2.54±0.15
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
JEDEC ： TO- 92
EIAJ ： SC- 43A
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
正向电流传输比
跃迁频率
噪声系数
反向传输阻抗
共发射极反向传输电容
(Ta=25C)
符号
I
CBO
h
FE *
f
T
NF
Z
rb
C
re
条件
V
CB
= 10V ，我
E
= 0
V
CB
= 10V ，我
E
= -1mA
V
CB
= 10V ，我
E
= -1mA ， F = 200MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= -1mA ， F = 5MHz时
V
CB
= 10V ，我
E
= -1mA ， F = 2MHz的
V
CE
= 10V ，我
C
= 1mA时， F = 10.7MHz的
70
150
250
2.8
22
0.9
4
50
1.5
民
典型值
最大
0.1
220
兆赫
dB
pF
单位
A
*
h
FE
等级分类
B
70 ~ 140
C
110 ~ 220
h
FE
秩
1
晶体管
P
C
- TA
500
12
Ta=25C
450
10
I
B
=100A
12.5
2SC1359
I
C
— V
CE
15.0
V
CE
=10V
Ta=25C
I
C
— I
B
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
集电极电流I
C
（MA ）
350
300
250
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
8
80A
集电极电流I
C
（MA ）
18
400
10.0
6
60A
7.5
4
40A
5.0
2
20A
2.5
0
0
6
12
0
0
20
40
60
80
100
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极电流I
B
(
A
)
I
B
— V
BE
120
V
CE
=10V
Ta=25C
100
50
60
I
C
— V
BE
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
30
10
3
1
0.3
V
CE
=10V
V
CE （ SAT ）
— I
C
I
C
/I
B
=10
集电极电流I
C
（MA ）
基极电流I
B
（MA ）
80
40
Ta=75C
30
25C
–25C
60
Ta=75C
25C
40
20
0.1
0.03
0.01
0.1
–25C
20
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.3
1
3
10
30
100
基极至发射极电压V
BE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
h
FE
— I
C
240
V
CE
=10V
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0.1
0
– 0.1 – 0.3
f
T
— I
E
60
V
CB
=10V
6V
Z
rb
— I
E
反向传输阻抗Z
rb
(
)
Ta=25C
V
CB
=10V
f=2MHz
Ta=25C
正向电流传输比H
FE
200
过渡频率f
T
（兆赫）
50
160
Ta=75C
25C
40
120
–25C
80
30
20
40
10
0.3
1
3
10
30
100
–1
–3
–10
–30
–100
0
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
集电极电流I
C
（MA ）
发射极电流I
E
（MA ）
发射极电流I
E
（MA ）
2
晶体管
C
re
— V
CE
共发射极反向传输电容C
re
（PF ）
3.0
f=10.7MHz
Ta=25C
2.5
20
24
2SC1359
PG - 我
E
f=100MHz
V
CB
=10V
Ta=25C
12
V
CB
=6V
f=100MHz
R
g
=50
Ta=25C
NF - 我
E
10
2.0
I
C
=3mA
1.5
1mA
16
噪声系数NF （ dB）的
–1
–3
–10
–30
–100
功率增益PG （分贝）
8
12
6
1.0
8
4
0.5
4
2
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
0
– 0.1 – 0.3
0
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
集电极到发射极电压V
CE
(V)
发射极电流I
E
（MA ）
发射极电流I
E
（MA ）
b
ie
— g
ie
24
0
b
re
— g
re
反向传输纳B
re
（女士）
向前转移纳B
fe
（女士）
y
ie
=g
ie
+ JB
ie
V
CE
=10V
y
re
=g
re
+ JB
re
V
CE
=10V
f=10.7MHz
0
= 0.1毫安
b
fe
— g
fe
f=10.7MHz
58
10.7
-1mA 100
输入纳B
ie
（女士）
20
–4mA
16
I
E
=–1mA
– 0.1
I
E
=–1mA
–20
58
–2mA
100
–7mA
100
–2mA
58
– 0.2
–40
12
– 0.3
58
–60
I
E
=–4mA
100
58
8
f=10.7MHz
66
– 0.4
100
–80
– 0.5
–100
y
fe
=g
fe
+ JB
fe
V
CE
=10V
0
20
40
60
80
100
0
0
8
16
24
32
40
– 0.6
– 0.5
–120
– 0.4
– 0.3
– 0.2
– 0.1
10
输入电导G
ie
（女士）
反向传输电导G
re
（女士）
正向传输导
g
fe
（女士）
b
oe
— g
oe
1.2
y
oe
=g
oe
+ JB
oe
V
CE
=10V
输出纳B
oe
（女士）
1.0
0.8
I
E
=–1mA
100
0.6
58
0.4
0.2
f=10.7MHz
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
输出电导G
oe
（女士）
3
晶体管
2SA838
PNP硅外延平面型
用于高频放大
补充2SC1359
5.0±0.2
单位：mm
4.0±0.2
q
高转换频率f
T
.
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
–30
–20
–5
–30
250
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mW
C
C
13.5±0.5
5.1±0.2
s
特点
0.45
–0.1
1.27
+0.2
0.45
–0.1
1.27
+0.2
1 2 3
2.3±0.2
2.54±0.15
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
JEDEC ： TO- 92
EIAJ ： SC- 43A
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
跃迁频率
噪声系数
反向传输阻抗
共发射极反向传输
电容
(Ta=25C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE *
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
NF
Z
rb
C
re
条件
V
CB
= -10V ，我
E
= 0
V
CE
= -20V ，我
B
= 0
V
EB
= -5V ，我
C
= 0
V
CE
= -10V ，我
C
= -1mA
I
C
= -10mA ，我
B
= -1mA
V
CE
= -10V ，我
C
= -1mA
V
CB
= -10V ，我
E
= 1mA时， F = 200MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 1mA时， F = 5MHz时
V
CE
= -10V ，我
C
= -1mA ， F = 2MHz的
V
CE
= -10V ，我
C
= -1mA ，
F = 10.7MHz的
150
70
– 0.1
– 0.7
300
2.8
22
1.2
4.0
50
2.0
民
典型值
最大
– 0.1
–100
–10
220
V
V
兆赫
dB
pF
单位
A
A
*
h
FE
等级分类
B
70 ~ 140
C
110 ~ 220
h
FE
秩
1
晶体管
P
C
- TA
500
–30
Ta=25C
450
–25
2SA838
I
C
— V
CE
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
–100
–30
–10
–3
–1
Ta=75C
25C
V
CE （ SAT ）
— I
C
I
C
/I
B
=10
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
350
300
250
200
150
100
50
0
0
40
80
120
160
200
集电极电流I
C
（MA ）
400
–20
I
B
=–250A
–200A
–15
–150A
–10
–100A
–50A
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
– 0.1 – 0.3
–25C
–5
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–1
–3
–10
–30
–100
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
h
FE
— I
C
–120
6
C
ob
— V
CB
集电极输出电容C
ob
（PF ）
V
CE
=–10V
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
C
re
— V
CE
共发射极反向传输电容C
re
（PF ）
5
I
C
=–1mA
f=10.7MHz
Ta=25C
4
正向电流传输比H
FE
–100
Ta=75C
–80
5
25C
–25C
4
3
–60
3
2
–40
2
–20
1
1
0
– 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
0
– 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
0
–1
–3
–10
–30
–100
集电极电流I
C
（MA ）
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
f
T
— I
E
600
V
CB
=–10V
Ta=25C
24
PG - 我
C
V
CE
=–10V
f=100MHz
Ta=25C
5
NF - 我
E
V
CB
=–10V
f=100MHz
Ta=25C
4
过渡频率f
T
（兆赫）
500
20
400
16
噪声系数NF （ dB）的
–1
–3
–10
–30
–100
功率增益PG （分贝）
3
300
12
2
200
8
100
4
1
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
0
– 0.1 – 0.3
0
0.1
0.3
1
3
10
发射极电流I
E
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
发射极电流I
E
（MA ）
2
晶体管
2SA838
PNP硅外延平面型
用于高频放大
补充2SC1359
5.0±0.2
单位：mm
4.0±0.2
q
高转换频率f
T
.
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
–30
–20
–5
–30
250
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mW
C
C
13.5±0.5
5.1±0.2
s
特点
0.45
–0.1
1.27
+0.2
0.45
–0.1
1.27
+0.2
1 2 3
2.3±0.2
2.54±0.15
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
JEDEC ： TO- 92
EIAJ ： SC- 43A
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
跃迁频率
噪声系数
反向传输阻抗
共发射极反向传输
电容
(Ta=25C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE *
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
NF
Z
rb
C
re
条件
V
CB
= -10V ，我
E
= 0
V
CE
= -20V ，我
B
= 0
V
EB
= -5V ，我
C
= 0
V
CE
= -10V ，我
C
= -1mA
I
C
= -10mA ，我
B
= -1mA
V
CE
= -10V ，我
C
= -1mA
V
CB
= -10V ，我
E
= 1mA时， F = 200MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 1mA时， F = 5MHz时
V
CE
= -10V ，我
C
= -1mA ， F = 2MHz的
V
CE
= -10V ，我
C
= -1mA ，
F = 10.7MHz的
150
70
– 0.1
– 0.7
300
2.8
22
1.2
4.0
50
2.0
民
典型值
最大
– 0.1
–100
–10
220
V
V
兆赫
dB
pF
单位
A
A
*
h
FE
等级分类
B
70 ~ 140
C
110 ~ 220
h
FE
秩
1
晶体管
P
C
- TA
500
–30
Ta=25C
450
–25
2SA838
I
C
— V
CE
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
–100
–30
–10
–3
–1
Ta=75C
25C
V
CE （ SAT ）
— I
C
I
C
/I
B
=10
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
350
300
250
200
150
100
50
0
0
40
80
120
160
200
集电极电流I
C
（MA ）
400
–20
I
B
=–250A
–200A
–15
–150A
–10
–100A
–50A
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
– 0.1 – 0.3
–25C
–5
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–1
–3
–10
–30
–100
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
h
FE
— I
C
–120
6
C
ob
— V
CB
集电极输出电容C
ob
（PF ）
V
CE
=–10V
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
C
re
— V
CE
共发射极反向传输电容C
re
（PF ）
5
I
C
=–1mA
f=10.7MHz
Ta=25C
4
正向电流传输比H
FE
–100
Ta=75C
–80
5
25C
–25C
4
3
–60
3
2
–40
2
–20
1
1
0
– 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
0
– 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
0
–1
–3
–10
–30
–100
集电极电流I
C
（MA ）
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
f
T
— I
E
600
V
CB
=–10V
Ta=25C
24
PG - 我
C
V
CE
=–10V
f=100MHz
Ta=25C
5
NF - 我
E
V
CB
=–10V
f=100MHz
Ta=25C
4
过渡频率f
T
（兆赫）
500
20
400
16
噪声系数NF （ dB）的
–1
–3
–10
–30
–100
功率增益PG （分贝）
3
300
12
2
200
8
100
4
1
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
0
– 0.1 – 0.3
0
0.1
0.3
1
3
10
发射极电流I
E
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
发射极电流I
E
（MA ）
2
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227LMU450M2DF
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2-1437664-6
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