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数据表

MOS场效应

2SK3113B

开关

N沟道功率MOS FET

描述

该2SK3113B是N沟道MOS FET器件，具有低栅极电荷和出色的开关

特征，并设计用于高电压应用，例如开关电源， AC适配器。

特点

低通态电阻

DS （ ON）

= 4.4

MAX 。（V

= 10 V，I

= 1.0 A)

低栅电荷

= 7.9 NC TYP 。（V

= 450 V, V

= 10 V，I

= 2.0 A)

栅极电压等级：

±30

雪崩能力评级

<R>

订购信息

产品型号

2SK3113B-S15-AY

记

铅电镀

填料

管70的P /管

包

的TO- 251 （ MP-3 -a）的典型值。 0.39克

的TO- 251 （ MP-3 -b）的典型值。 0.34克

TO- 252 （ MP - 3ZK ）（典型值）。 0.27克

2SK3113B(1)-S27-AY

2SK3113B-ZK-E1-AY

2SK3113B-ZK-E2-AY

纯Sn （锡）

管75的P /管

带2500 P /卷

记

无铅（此产品不含Pb在外部电极）。

绝对最大额定值（T

= 25°C)

漏源极电压（V

= 0 V)

门源电压（V

= 0 V)

漏电流（ DC ）（T

= 25°C)

漏电流（脉冲）

Note1

(TO-251)

600

DSS

GSS

D（ DC）的

D（脉冲）

Note2

°C

(TO-252)

±30

±2.0

±8.0

1.0

150

-55到+150

2.0

2.7

总功率耗散（T

= 25°C)

总功率耗散（T

= 25°C)

通道温度

储存温度

单雪崩电流

单雪崩能量

Note3

英镑

注意事项1 。

≤

S，占空比

≤

装在40毫米× 40毫米× 1.6毫米玻璃环氧树脂板

起始物为

= 25 ° C，V

= 150 V ，R

= 25

Ω,

= 20

→

0 V

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一号文件D18061EJ3V0DS00 （第3版）

发布日期2007年NS月

日本印刷

2006

标记<R>表示主要修改点。

"场：修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。

2SK3113B

电气特性（T

= 25°C)

特征

零栅极电压漏极电流

栅极漏电流

门放电截止电压

正向转移导纳

记

符号

DSS

GSS

GS （ OFF ）

| y

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

测试条件

= 600 V, V

= 0 V

= ±30 V, V

= 0 V

= 10 V，I

= 1毫安

= 10 V，I

= 1.0 A

= 10 V，I

= 1.0 A

= 10 V

= 0 V

F = 1 MHz的

= 150 V，I

= 1.0 A

= 10 V

= 10

= 450 V

= 10 V

= 2.0 A

= 2.0 A，V

= 0 V

= 2.0 A，V

= 0 V

的di / dt = 50A /

分钟。

典型值。

马克斯。

100

±10

单位

2.5

0.5

0.9

3.2

290

10.5

4.8

15.8

10.5

7.9

2.7

3.2

0.8

190

500

3.5

漏极至源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

记

4.4

F（ S- D）的

记

脉冲

测试电路1雪崩能力

D.U.T.

= 25

PG 。

= 20

→

0 V

DSS

起始物为

= 1

占空比

≤

电波表

测试电路2开关时间

PG 。

D.U.T.

电波表

10%

90%

0 10%

10%

D（上）

D（关闭）

关闭

测试电路3栅极电荷

D.U.T.

= 2毫安

PG 。

数据表D18061EJ3V0DS

2SK3113B

典型特征（T

= 25°C)

正向偏置的降额因子

安全工作区

胸苷 - 百分比额定功率 - ％

100

总功耗对比

外壳温度

- 总功耗 - W

80 100 120 140 160

- 外壳温度 -

°C

40 60

80 100 120 140 160

- 通道温度 -

°C

正向偏置安全工作区

100

TC = 25 ℃，单脉冲

D（脉冲）

PW = 10

μs

100

μs

- 漏电流 - 一个

D（ DC）的

1毫秒

DS （ ON）

有限

（在V

= 10 V)

功耗有限公司

10毫秒

0.1

0.01

100

1000

- 漏极至源极电压 - V

瞬态热阻与脉冲宽度

1000

第（章-a）的

- 瞬态热阻 -

° C / W

第（章-a）的

= 125°C / W

100

TH（ CH-C ）

= 6.25 ° C / W

0.1

单脉冲

0.01

100

10 m

100 m

100

1000

PW - 脉冲宽度 - S

数据表D18061EJ3V0DS

2SK3113B

漏电流与

漏源极电压

4.5

脉冲

= 10 V

3.5

2.5

1.5

0.5

正向传递特性

100

- 漏电流 - 一个

= 125°C

75°C

25°C

= 10 V

脉冲

0.1

0.01

- 漏极至源极电压 - V

- 栅极至源极电压 - V

GATE截止电压主场迎战

通道温度

| y

| - 正向转移导纳 - S

正向转移导纳主场迎战

漏电流

= 10 V

脉冲

25°C

GS （ OFF ）

- 栅极截止电压 - V

4.5

3.5

2.5

1.5

0.5

-50

100

150

= 10 V

= 1毫安

125°C

0.1

75°C

0.01

0.1

- 通道温度 -

°C

- 漏电流 - 一个

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 -

脉冲

漏极至源极导通状态

电阻与漏极电流

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 -

6.0

5.5

5.0

4.5

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

0.01

0.1

20 V

脉冲

= 10 V

8.0

7.0

6.0

5.0

4.0

3.0

2.0

= 2.0 A

1.0 A

- 栅极至源极电压 - V

- 漏电流 - 一个

数据表D18061EJ3V0DS

2SK3113B

漏极至源极导通电阻与

通道温度

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 -

= 2.0 A

1.0 A

-50

100

150

源极到漏极二极管

正向电压

100

- 二极管正向电流 - 一个

= 10 V

0.1

脉冲

0.01

0.0

0.5

1.0

= 10 V

脉冲

- 通道温度 - C

F（ S- D）的

- 源极到漏极电压 - V

电容与漏极TO

源极电压

1000

开关特性

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

国际空间站

100

D（上）

, t

D（关闭）

, t

- 开关时间 - NS

= 150 V

= 10 V

= 10

OSS

100

D（关闭）

D（上）

0.1

RSS

= 0 V

F = 1 MHz的

0.1

100

- 漏极至源极电压 - V

- 漏电流 - 一个

REVWESE恢复时间 -

漏电流

1000

动态输入/输出特性

600

300

200

100

= 2.0 A

- 漏极至源极电压 - V

TRR - 反向恢复时间 - NS

500

400

100

0.1

- 漏电流 - 一个

- 门恰克 - 数控

数据表D18061EJ3V0DS

- 栅极至源极电压 - V

的di / dt = 50A / μs的

= 0 V

= 450 V

300 V

150 V