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初步数据表
NPN硅晶体管RF
2SC5507
NPN硅射频晶体管低电流,
低噪声,高增益放大
FLAT - LEAD 4引脚薄型SUPER MINI- MOLD
特点
低噪声和高增益,低集电极电流
NF = 1.2分贝,G
a
= 16 dB典型值。 @f = 2千兆赫,V
CE
= 2 V,I
C
= 2毫安
最大稳定功率增益:味精= 22 dB典型值。 @f = 2千兆赫,V
CE
= 2 V,I
C
= 5毫安
f
T
= 25 GHz的技术
扁平引脚4引脚薄型超小型模具( T = 0.59毫米)
订购信息
产品型号
2SC5507
2SC5507-T2
QUANTITY
宽松的产品( 50个)
胶带产品( 3千件/卷)
包装风格
8毫米宽压纹带卷
1针(发射器) , 2针(集电极)饲料孔方向
备注
如需订购样品评价,咨询公司销售代表(以50个单位提供) 。
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
评级
15
3.3
1.5
12
39
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
T
j
T
英镑
T
A
= +25 ° C(自由空气)
热阻
结到外壳热阻
结到环境阻力
符号
R
第j个-C
R
日J-一
价值
240
650
单位
° C / W
° C / W
由于这款产品采用高频技术,避免过多的静电,等等。
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。
一号文件P13864EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期1999年3月 CP ( K)
日本印刷
1999
2SC5507
电气特性(T
A
= +25 °C)
参数
DC特性
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
射频特性
反向传输电容
增益带宽积
噪声系数
插入功率增益
最大稳定功率增益
1 dB输出功率
压缩点
在三阶输出功率
截取点
C
re
注2
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
CBO
I
EBO
h
FE
注1
V
CB
= 5 V,I
E
= 0
V
EB
= 1 V,I
C
= 0
V
CE
= 2 V,I
C
= 5毫安
50
70
100
100
100
nA
nA
V
CB
= 2 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
V
CE
= 3 V,I
C
= 10 mA时, F = 2 GHz的
V
CE
= 2 V,I
C
= 2毫安, F = 2千兆赫,Z
S
= Z
选择
V
CE
= 2 V,I
C
= 5毫安, F = 2 GHz的
V
CE
= 2 V,I
C
= 5毫安, F = 2 GHz的
V
CE
= 2 V,I
C
= 5毫安
注4
20
14
0.08
25
1.2
17
22
5
0.12
1.5
pF
GHz的
dB
dB
dB
DBM
f
T
NF
|S
21e
|
2
味精
注3
P
-1
, F = 2 GHz的
OIP
3
V
CE
= 2 V,I
C
= 5毫安
注4
, F = 2 GHz的
15
注意事项1 。
脉冲测量PW
350
S,占空比
2%
2.
用电容表(自动平衡电桥法)时,发射基地的电容测量
发射极连接到防护销
S
21
3.
味精=
S
12
4.
集电极电流时, P
-1
输出
h
FE
分类
记号
h
FE
FB
T78
50至100
2
初步数据表P13864EJ1V0DS00
2SC5507
典型特征(T
A
= +25 °C)
热/ DC特性
总功耗对比
环境温度,外壳温度
250
总功耗P
T
( mW)的
集电极电流与直流基准电压
50
V
CE
= 2 V
集电极电流I
C
(MA )
200
P
T
-T
A
:自由空气
P
T
-T
A
:安装在陶瓷板上
(15 mm
×
15mm时, t为0.6毫米)
P
T
-T
C
:当外壳温度
为特定网络版
40
150
30
100
20
50
10
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
环境温度T
A
(C ) ,外壳温T
C
(°C)
DC基极电压V
BE
(V)
集电极电流与集电极到发射极电压
25
300
A
280
A
260
A
240
A
220
A
200
A
180
A
160
A
140
A
120
A
100
A
80
A
60
A
40
A
I
B
= 20
A
直流电流增益与集电极电流
200
100
直流电流增益
FE
V
CE
= 2 V
集电极电流I
C
(MA )
20
15
10
10
5
1
0.001
0
1
2
3
4
5
0.01
0.1
1
10
100
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
电容/女
T
特征
反向传输电容主场迎战集电极基极电压
反向传输电容C
re
(PF )
增益带宽积与集电极电流
30
增益带宽乘积F
T
(千兆赫)
0.30
F = 1 MHz的
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
V
CE
= 3 V
F = 2 GHz的
25
20
15
10
5
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
1
10
集电极电流I
C
(MA )
100
集电极基极电压V
CB
(V)
初步数据表P13864EJ1V0DS00
3
2SC5507
增益特性
插入功率增益,最大可用功率增益,
最大稳定功率增益与频率的关系
插入功率增益| S
21e
|
2
( dB)的
最大可用功率增益MAG (分贝)
最大稳定功率增益MSG(分贝)
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0.1
1.0
频率f( GHz)的
10.0
|S
21e
|
2
味精
MAG
V
CE
= 2 V
I
C
= 5毫安
插入功率增益,最大稳定功率增益
与集电极电流
插入功率增益| S
21e
| ( dB)的
最大稳定功率增益MSG(分贝)
插入功率增益,最大可用功率增益,
最大稳定功率增益与集电极电流
插入功率增益| S
21e
|
2
( dB)的
最大可用功率增益MAG (分贝)
最大稳定功率增益MSG(分贝)
30
25
20
|S
21e
|
2
15
10
5
0
味精
F = 1 GHz的
V
CE
= 2 V
30
25
味精
20
15
10
5
0
|S
21e
|
2
MAG
F = 2 GHz的
V
CE
= 2 V
2
1
10
集电极电流I
C
(MA )
100
1
10
集电极电流I
C
(MA )
100
输出特性
输出功率,集电极电流与输入功率
10
F = 1 GHz的
V
CE
= 2 V
输出功率P
OUT
( dBm的)
输出功率,集电极电流与输入功率
25
10
F = 2 GHz的
V
CE
= 2 V
集电极电流I
C
(MA )
输出功率P
OUT
( dBm的)
25
P
OUT
集电极电流I
C
(MA )
P
OUT
20
5
5
20
0
15
0
15
–5
I
C
–10
10
–5
I
C
10
5
–10
5
–15
–30
0
–25
–20
–15
–10
–5
输入功率P
in
( dBm的)
–15
–30
0
–25
–20
–15
–10
–5
输入功率P
in
( dBm的)
4
初步数据表P13864EJ1V0DS00
2SC5507
噪声特性
噪声系数,相关增益与集电极电流
6
5
噪声系数NF ( dB)的
噪声系数,相关增益与集电极电流
30
6
5
噪声系数NF ( dB)的
30
F = 1.5 GHz的
V
CE
= 2 V
25
20
15
NF
10
5
0
G
a
F = 1.0 GHz的
V
CE
= 2 V
相关增益G
a
( dB)的
4
3
2
1
0
NF
20
15
10
5
0
4
3
2
1
0
G
a
1
10
集电极电流I
C
(MA )
100
1
10
集电极电流I
C
(MA )
100
噪声系数,相关增益与集电极电流
6
5
噪声系数NF ( dB)的
噪声系数,相关增益与集电极电流
30
6
5
噪声系数NF ( dB)的
F = 2.0 GHz的
V
CE
= 2 V
30
F = 2.5 GHz的
V
CE
= 2 V
25
20
15
NF
10
5
0
相关增益G
a
( dB)的
4
3
2
1
0
G
a
20
15
10
NF
5
0
4
3
2
1
0
G
a
1
10
集电极电流I
C
(MA )
100
1
10
集电极电流I
C
(MA )
100
初步数据表P13864EJ1V0DS00
相关增益G
a
( dB)的
25
相关增益G
a
( dB)的
25
5
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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