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数据表
MOS场效应
2SK3109
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
描述
的2SK3109是N沟道MOS场效应管装置，其
设有通态电阻和优良的低
切换特性，并且设计用于高电压
应用，如直流/直流转换器。
订购信息
产品型号
2SK3109
2SK3109-S
2SK3109-ZJ
包
TO-220AB
TO-262
TO-263
特点
栅极电压等级± 30 V
低通态电阻
R
DS （ ON）
= 0.4
MAX 。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 5.0 A)
低输入电容
C
国际空间站
= 400 pF的典型。 （V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V)
雪崩额定能力
内置栅极保护二极管
表面贴装器件提供
绝对最大额定值（T
A
= 25 °C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25 °C)
漏电流（脉冲）
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
200
±30
±10
±30
1.5
50
150
55
+150
10
35
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
总功率耗散（T
A
= 25 °C)
总功率耗散（T
C
= 25 °C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
Note2
Note2
I
AS
E
AS
注意事项1 。
PW
≤
10
S，占空比
≤
1 %
2.
起始物为
ch
= 25 ° C，V
DD
= 100 V ，R
G
= 25
,
V
GS
= 20 V→0 V
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证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件D13332EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2000年1月NS CP （ K）
日本印刷
商标
5
表示主要修改点。
1998, 2000
2SK3109
电气特性（T
A
= 25 °C)
特征
漏极漏电流
栅极漏电流
栅极到源截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| y
fs
|
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
测试条件
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V，I
D
= 5.0 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 5.0 A
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 100 V
I
D
= 5.0 A
V
GS （ ON）
= 10 V
R
G
= 10
V
DD
= 160 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 10 A
I
F
= 10 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 10 A，V
GS
= 0 V
的di / dt = 50A /
s
2.5
1.5
0.32
400
110
55
12
34
40
20
18
3.5
10
1.0
250
1.0
0.4
分钟。
典型值。
马克斯。
100
±10
4.5
单位
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
5
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
C
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
PG
V
GS
= 20
→
0 V
BV
DSS
V
DS
V
GS
0
50
L
V
DD
测试电路2开关时间
D.U.T.
R
L
PG 。
R
G
V
DD
I
D
90 %
90 %
V
GS
V
GS
电波表
0
10 %
V
GS
（上）
90 %
I
AS
I
D
V
DD
I
D
I
D
电波表
0 10 %
10 %
τ
τ
= 1
s
占空比
≤
1 %
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
起始物为
ch
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
50
R
L
V
DD
PG 。
2
数据表D13332EJ1V0DS00
2SK3109
5
典型特征（T
A
= 25 °C)
漏电流与
漏源极电压
35
脉冲
30
I
D
- 漏电流 - 一个
100
正向传递特性
V
DS
= 10 V
脉冲
V
GS
= 30 V
10
I
D
- 漏电流 - 一个
25
20
V
GS
= 10 V
15
10
5
0
0
10
20
30
40
50
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
1
T
ch
= 125
C
75
C
25
C
-25
C
0.1
0.01
0.001
0
4
8
12
16
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
门源截止电压主场迎战
通道温度
正向转移导纳主场迎战
漏电流
|y
fs
| - 正向转移导纳 - S
V
GS （ OFF ）
- 门源截止电压 - V
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
50
V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
10
T
ch
=
25
C
25 C
75 C
125 C
1
V
DS
= 10 V
脉冲
0.1
0
50
100
150
0.01
0.01
0.1
1
I
D
- 漏电流 - 一个
10
100
T
ch
- 通道温度 - C
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
1.0
脉冲
0.9
I
D
= 10 A
0.8
5A
2A
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
V
GS
= 10 V
V
GS
= 30 V
脉冲
100
1
10
I
D
- 漏电流 - 一个
数据表D13332EJ1V0DS00
3
2SK3109
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
漏极至源极导通电阻与
通道温度
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
50
V
GS
= 10 V
脉冲
0
50
100
150
源极到漏极二极管
正向电压
100
脉冲
I
SD
- 二极管正向电流 - 一个
10
V
GS
= 10 V
1
0V
I
D
= 10 A
I
D
= 5 A
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
T
ch
- 通道温度 -
C
电容与漏极TO
源极电压
10000
1000
开关特性
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
t
r
1000
C
国际空间站
100
C
OSS
C
RSS
1
10
100
1000
100
t
D（关闭）
t
f
10
t
D（上）
10
0.1
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
1
0.1
1
V
DD
= 100 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
I
D
- 漏电流 - 一个
反向恢复时间对比
漏电流
1000
的di / dt = 50A /
s
V
GS
= 0 V
动态输入/输出特性
200
16
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
14
150
V
DD
= 160 V
100 V
40 V
12
V
GS
10
8
6
50
V
DS
I
D
= 10 A
0
0
5
10
15
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
4
2
0
20
100
100
10
1
0.1
1
10
100
I
D
- 漏电流 - 一个
4
数据表D13332EJ1V0DS00
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
2SK3109
正向偏置的降额因子
安全工作区
70
总功耗对比
外壳温度
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
P
T
- 总功耗 - W
0
20
40
60
80
100 120 140 160
100
80
60
40
20
0
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
C
- 外壳温度 - C
T
C
- 外壳温度 - C
正向偏置安全工作区
100
I
D（ DC）的
I
D
- 漏电流 - 一个
10
1
I
D（脉冲）
P
ed
W
IMIT
=1
)
L
（上
0
10
R
DS
0
s
s
1m
Po
we
3m
s
R D所
10
s
m
国际空间站
IPA
s
TIO
n
LIM
ITE
d
0.1
T
C
= 25
C
单脉冲
1
10
100
1000
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
100
r
th
（T ） - 瞬态热阻 - C / W
R
第（章-a）的
= 83.3
° C / W
10
1
R
TH（ CH-C ）
= 2.5
° C / W
0.1
0.01
10
100
1m
10m
100m
1
10
单脉冲
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
数据表D13332EJ1V0DS00
5
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2SC3456M
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299-93-618-10-002000
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295T820F253B12
206-417S
2SC1968
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    电话：0755-82780082
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    2SK3109-ZJ
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2SK3109-ZJ
NEC
2443+
23000
TO-263
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地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
2SK3109-ZJ
NEC
2024
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原装现货上海库存！专营进口元件
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2SK3109-ZJ
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电话：13823538694
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2SK3109-ZJ
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