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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第376页 > 2SC5761-T2
数据表
NPN硅锗RF晶体管
2SC5761
NPN硅锗RF晶体管
低噪音
高增益放大
扁平引脚4引脚薄型超级Minimold （ M04 ）
特点
适用于低噪音
高增益放大
NF = 0.9 dB典型值。 @ V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz的
最大稳定功率增益：味精= 20.0分贝TYP 。 @ V
CE
= 2 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
SiGe技术（F
T
= 60 GHz的，女
最大
= 60千兆赫）
扁平引脚4引脚薄型超minimold （ M04 ）封装
订购信息
产品型号
2SC5761
2SC5761-T2
QUANTITY
50个（非卷轴）
3千件/卷
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚1 （发射极） ，引脚2 （珍藏）面对磁带的侧穿孔
备注
如需订购样品评价，请联系您最近的销售部门。
单位样本数量为50个。
绝对最大额定值（T
A
= +25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
2
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
记
评级
8.0
2.3
1.2
35
80
150
65
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
T
j
T
英镑
记
安装在1.08厘米
×
1.0毫米（t）的玻璃环氧基板
热阻
参数
结到外壳热阻
符号
R
日（J -C ）
价值
150
单位
° C / W
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文件前，请确认
这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC化合物半导体器件检查
代表性的产品供应及其他信息。
一号文件PU10212EJ02V0DS （第2版）
发布日期2003年5月CP （ K）
日本印刷
商标
!
表示主要修改点。
NEC化合物半导体器件2001年， 2003
2SC5761
电气特性（T
A
= +25°C)
参数
DC特性
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
射频特性
插入功率增益
噪声系数
反向传输电容
最大稳定功率增益
增益1 dB压缩输出功率
三阶互调失真
输出截获点
S
21e
NF
C
re
注2
2
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
CBO
I
EBO
h
FE
注1
V
CB
= 5 V，I
E
= 0毫安
V
BE
= 0.5 V，I
C
= 0毫安
V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安
200
200
200
400
nA
nA
V
CE
= 2 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz时，
Z
S
= Z
选择
V
CB
= 2 V，I
E
= 0 mA时， F = 1兆赫
V
CE
= 2 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
V
CE
= 2 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
V
CE
= 2 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
16.0
18.0
18.0
0.9
0.17
20.0
12.0
22.0
1.1
0.22
dB
dB
pF
dB
DBM
DBM
味精
注3
P
O（1 dB为单位）
OIP
3
注意事项1 。
脉搏测量： PW
≤
350
S，占空比
≤
2%
2.
集电极基极电容，当发射器接地
3.
味精=
S
21
S
12
h
FE
分类
秩
记号
h
FE
价值
FB
T16
200至400
2
数据表PU10212EJ02V0DS
2SC5761
典型特征（T
A
= + 25 ℃，除非另有规定）
总功耗
- 环境温度
总功耗P
合计
（ mW）的
反向传输电容
与集电极 - 基极电压
反向传输电容C
re
（PF ）
300
250
200
150
100
80
50
安装在玻璃环氧树脂板
（ 1.08厘米
2
×
1.0毫米（ t））的
0.4
F = 1 MHz的
0.3
0.2
0.1
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
环境温度T
A
(C)
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
10
1
0.1
0.01
0.001
V
CE
= 2 V
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
40
35
30
25
20
15
10
5
190
A
160
A
130
A
100
A
70
A
40
A
I
B
= 10
A
1
2
3
集电极电流I
C
（MA ）
0.0001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
直流电流增益主场迎战
集电极电流
1 000
V
CE
= 1 V
1 000
直流电流增益主场迎战
集电极电流
V
CE
= 2 V
直流电流增益
FE
100
直流电流增益
FE
100
10
0.1
1
10
100
10
0.1
1
10
100
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
数据表PU10212EJ02V0DS
3
2SC5761
增益带宽积
与集电极电流
40
增益带宽乘积F
T
（千兆赫）
增益带宽积
与集电极电流
40
增益带宽乘积F
T
（千兆赫）
35
30
25
20
15
10
5
0
1
V
CE
= 1 V
F = 2 GHz的
35
30
25
20
15
10
5
0
1
V
CE
= 2 V
F = 2 GHz的
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
插入功率增益，
MAG ， MSG与频率的关系
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
最大可用功率增益MAG （分贝）
最大稳定功率增益MSG（分贝）
插入功率增益，
MAG ， MSG与频率的关系
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
最大可用功率增益MAG （分贝）
最大稳定功率增益MSG（分贝）
35
30
25
20
15
10
5
0
0.1
1
频率f（ GHz）的
|S
21e
|
2
味精
V
CE
= 0.5 V
I
C
= 20毫安
35
30
25
20
15
10
5
0
0.1
1
频率f（ GHz）的
|S
21e
|
2
味精
V
CE
= 1 V
I
C
= 20毫安
MAG
MAG
10
10
插入功率增益，
MAG ， MSG与频率的关系
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
最大可用功率增益MAG （分贝）
最大稳定功率增益MSG（分贝）
35
30
25
20
15
10
5
0
0.1
1
频率f（ GHz）的
|S
21e
|
2
味精
V
CE
= 2 V
I
C
= 20毫安
MAG
10
4
数据表PU10212EJ02V0DS
2SC5761
插入功率增益，味精
与集电极电流
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
最大稳定功率增益MSG（分贝）
插入功率增益，味精
与集电极电流
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
最大稳定功率增益MSG（分贝）
30
25
20
15
10
5
0
1
V
CE
= 2 V
F = 1 GHz的
30
25
20
15
10
5
0
1
味精
|S
21e
|
2
V
CE
= 2 V
F = 2 GHz的
味精
|S
21e
|
2
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
插入功率增益， MAG
与集电极电流
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
最大可用功率增益MAG （分贝）
30
25
20
15
V
CE
= 2 V
F = 5 GHz的
MAG
10
|S
21e
|
2
5
0
1
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
数据表PU10212EJ02V0DS
5
数据表
NPN硅锗RF晶体管
2SC5761
NPN硅锗RF晶体管
低噪音
高增益放大
FLAT - LEAD 4针薄型SUPER MINIMOLD
特点
适用于低噪音
高增益放大
NF = 0.9 dB典型值。 ，G
a
= 16.0分贝TYP 。 @ V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz的
最大稳定功率增益：味精= 20.0分贝TYP 。 @ V
CE
= 2 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
SiGe技术（F
T
= 60 GHz的，女
最大
= 60千兆赫）
扁平引脚4引脚薄型超minimold包
订购信息
产品型号
2SC5761
2SC5761-T2
QUANTITY
50个（非卷轴）
3千件/卷
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚1 （发射极） ，引脚2 （珍藏）面对磁带的侧穿孔
备注
如需订购样品评价，咨询公司销售代表。
样本股数量为50个。
绝对最大额定值（T
A
= +25°C)
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
记
评级
8.0
2.3
1.2
35
80
150
65
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
T
j
T
英镑
2
记
安装在1.08厘米
×
1.0毫米（t）的玻璃环氧基板
热阻
参数
结到外壳热阻
符号
R
第j个-C
价值
150
单位
° C / W
由于这款产品采用高频技术，避免过多的静电，等等。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件P15415EJ1V1DS00 （第1版）
发布日期2001年5月NS CP （ K）
日本印刷
2001
2SC5761
电气特性（T
A
= +25°C)
°
参数
DC特性
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
射频特性
反向传输电容
噪声系数
相关的增益
最大稳定功率增益
插入功率增益
增益1 dB压缩输出功率
三阶互调失真
输出截获点
C
re
注2
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
CBO
I
EBO
h
FE
注1
V
CB
= 5 V，I
E
= 0毫安
V
BE
= 0.5 V，I
C
= 0毫安
V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安
200
200
200
400
nA
nA
V
CB
= 2 V，I
E
= 0 mA时， F = 1兆赫
V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz时，
Z
S
= Z
选择
V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz时，
Z
S
= Z
选择
V
CE
= 2 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
V
CE
= 2 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
V
CE
= 2 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
V
CE
= 2 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
18.0
16.0
0.17
0.9
16.0
20.0
18.0
12.0
22.0
0.22
1.1
pF
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
NF
G
a
味精
注3
S
21e
2
P
O（1 dB为单位）
OIP
3
注意事项1 。
脉搏测量： PW
≤
350
S，占空比
≤
2%
2.
用电容表（自动平衡电桥法）时，集电极基极电容测量
发射极连接到防护销
3.
味精=
S
21
S
12
h
FE
分类
秩
记号
h
FE
价值
FB
T16
200至400
2
数据表P15415EJ1V1DS
2SC5761
典型特征（除另有规定外，T
A
= +25°C)
°
总功耗
- 环境温度
总功耗P
合计
（ mW）的
安装在玻璃环氧树脂板
（ 1.08厘米
2
×
1.0毫米（ t））的
反向传输电容
与集电极 - 基极电压
反向传输电容C
re
（PF ）
0.4
F = 1 MHz的
0.3
300
250
200
150
100
80
50
0.2
0.1
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
环境温度T
A
(C)
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
35
V
CE
= 2 V
30
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
40
35
190
A
160
A
130
A
100
A
70
A
40
A
I
B
= 10
A
1
2
3
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
25
20
15
10
5
0
30
25
20
15
10
5
0
集电极到发射极电压V
CE
(V)
直流电流增益主场迎战
集电极电流
1 000
V
CE
= 1 V
1 000
直流电流增益主场迎战
集电极电流
V
CE
= 2 V
直流电流增益
FE
100
直流电流增益
FE
1
10
100
100
10
0.1
10
0.1
1
10
100
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
数据表P15415EJ1V1DS
3
2SC5761
增益带宽积
与集电极电流
40
增益带宽乘积F
T
（千兆赫）
增益带宽积
与集电极电流
40
增益带宽乘积F
T
（千兆赫）
35
30
25
20
15
10
5
0
1
V
CE
= 1 V
F = 2 GHz的
35
30
25
20
15
10
5
0
1
V
CE
= 2 V
F = 2 GHz的
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
插入功率增益与频率
30
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
插入功率增益与频率
30
25
20
15
10
5
0
0.1
V
CE
= 1 V
I
C
= 20毫安
25
20
15
10
5
0
0.1
V
CE
= 0.5 V
I
C
= 20毫安
1
频率f（ GHz）的
10
1
频率f（ GHz）的
10
插入功率增益与频率
30
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
25
20
15
10
5
0
0.1
V
CE
= 2 V
I
C
= 20毫安
1
频率f（ GHz）的
10
4
数据表P15415EJ1V1DS
2SC5761
插入功率增益，味精
与集电极电流
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
最大稳定功率增益MSG（分贝）
插入功率增益，味精
与集电极电流
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
最大稳定功率增益MSG（分贝）
30
25
20
15
10
5
0
1
V
CE
= 2 V
F = 1 GHz的
30
25
20
15
10
5
0
1
味精
|S
21e
|
2
V
CE
= 2 V
F = 2 GHz的
味精
|S
21e
|
2
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
插入功率增益， MAG
与集电极电流
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
最大可用功率增益MAG （分贝）
30
25
20
15
V
CE
= 2 V
F = 5 GHz的
MAG
10
|S
21e
|
2
5
0
1
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
数据表P15415EJ1V1DS
5
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推荐型号
2-111492-3
2SA1253T
28X40X7
2-104186-0
2020EN103M10
2181
2SK1916-01R
299-43-306-10-001000
2100HT-100-RC
2013310-3
2SK3109-ZJ
20D-1A32E0
25-02-2050
2SC3456M
2N5561
20020004-C211B01LF
299-93-618-10-002000
27HC256-70I/VS
295T820F253B12
206-417S
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SC5761-T2
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
2SC5761-T2
NEC
24+
12300
SOT343
全新原装现货，原厂代理。
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
2SC5761-T2
RENESAS
21+22+
12600
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