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动力F- MOS场效应管
2SK3036
硅N沟道功率的F- MOS FET
s
特点
q
雪崩能量容量保证
q
高速开关
q
低导通电阻
q
无二次击穿
q
低电压驱动
q
高压静电击穿电压
单位：mm
6.5±0.1
5.3±0.1
4.35±0.1
2.3±0.1
0.5±0.1
s
应用
q
非接触式继电器
q
潜水电路为一个螺线管
q
驱动电路，一个马达
q
控制设备
q
开关电源
7.3±0.1
1.8±0.1
2.5±0.1
0.8max
0.93±0.1
1.0±0.1
0.1±0.05
0.5±0.1
0.75±0.1
2.3±0.1
4.6±0.1
s
绝对最大额定值
(T
C
= 25°C)
参数
漏源击穿电压
栅极至源极电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
EAS
*
P
D
T
ch
T
英镑
评级
150
±20
±6
±12
3.6
20
1
150
55
+150
单位
V
V
A
A
mJ
W
°C
°C
S
1
2
3
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
U型套餐
内部连接
D
G
雪崩能量容量
允许功率
耗散
通道温度
储存温度
*
T
C
= 25°C
TA = 25°C
L = 0.1mH ，我
L
= 6A， 1个脉冲
s
电气特性
(T
C
= 25°C)
参数
漏极到源极截止电流
门源漏电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏极至源极导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压
符号
I
DSS
I
GSS
V
DSS
V
th
R
DS(on)1
R
DS(on)2
| Y
fs
|
V
DSF
C
OSS
t
on
t
D（关闭）
t
f
条件
V
DS
= 120V, V
GS
= 0
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
V
DS
= 10V ，我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 3A
V
GS
= 4V ，我
D
= 3A
V
DS
= 10V ，我
D
= 3A
I
DR
= 6A ，V
GS
= 0
300
V
DS
= 10V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
76
40
V
DD
= 100V ，我
D
= 3A
V
GS
= 10V ，R
L
= 33
80
920
250
150
1
300
340
4.2
1.6
2.5
450
510
民
典型值
最大
10
±10
单位
A
A
V
V
m
m
S
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
输入电容（共源）C
国际空间站
输出电容（共源）
反向传输电容（共源）C
RSS
开启时间
关断时间（延迟时间）
下降时间
1.0±0.2
1
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2N2906
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2-1437558-7
28C04A-25I/P
2520LN103M7
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    2SK3036
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