数据表号2C2904A
芯片型号2C2904A
几何0600
极性PNP
通用封装器件：
2N2904A
芯片型号
2C2904A
通过Semicoa
半导体提供perfor-
MANCE类似于这些设备。
型号：
2N2904A ， 2N2904 ， 2N2906A ， 2N2906 ，
2N2904AUB ， SD2904A ， SD2904AF ， SQ2904A ，
SQ2904AF ， 2N3485 ， 2N3485A
产品简介：
应用范围：
专为gen-
ERAL用途开关和放大器
应用程序。
产品特点：
机械的特定网络阳离子
金属化
焊盘尺寸
模具厚度
芯片面积
顶面
顶部
背面
辐射源
BASE
艾尔 - 嘉18分钟。
金 - 6.5 KA NOM 。
4.0密耳X 4.0密耳
4.0密耳X 4.0密耳
8密耳的名义
20密耳×20密耳
SILOX钝化
电气特性
T
A
= 25 C
参数
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
o
测试条件
I
C
= 10.0毫安，我
B
= 0
I
C
= 10 μA ，我
E
= 0
I
E
= 10 μA ，我
C
= 0
V
CB
= 50 V，I
E
= 0
民
60
60
5.0
---
最大
---
---
---
10
单位
V DC
V DC
V DC
nA
h
FE
I
C
= 150 mA dc直流电，V
CE
= 10 V
40
120
---
由于探针测试的限制，只有直流参数进行测试。这是一定要做脉冲宽度小于
超过300微秒，比2 ％的占空比少。
2N2904
硅PNP晶体管
数据表
描述
Semicoa半导体提供：
筛选和处理符合MIL -PRF- 19500
附录E
JAN级（ 2N2904J ）
JANTX级别（ 2N2904JX ）
JANTXV级（ 2N2904JV ）
QCI适用的级别
每MIL -STD- 750方法100 ％模目视检查
2072的JANTXV
辐射测试（总剂量）要求
应用
通用
低功耗
PNP硅晶体管
特点
密封TO- 39金属罐
在芯片配置也可
芯片几何尺寸0600
参考文献：
MIL-PRF-19500/290
好处
请联系Semicoa的特殊配置
www.SEMICOA.com或（ 714 ） 979-1900
资质等级： JAN ， JANTX ，并
JANTXV
辐射测试可用
T
C
= 25 ° C除非另有说明
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流，连续
功耗，T
A
= 25
°C
减免上述60
°C
功耗，T
C
= 25
°C
减免上述25
°C
热阻
工作结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
P
T
等级
40
60
5
600
0.8
5.7
3.0
17.2
175
-65到+200
-65到+200
单位
伏
伏
伏
mA
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
R
θJA
T
J
T
英镑
Copyright 2002年
牧师
Semicoa半导体公司
麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
第1页1
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2N2904
硅PNP晶体管
数据表
电气特性
在T规定的特性
A
= 25°C
开关特性
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射基截止电流
发射基截止电流
基本特征
参数
符号
h
FE1
h
FE2
h
FE3
h
FE4
h
FE5
h
FE6
V
BEsat1
V
BEsat2
V
CEsat1
V
CEsat2
符号
|h
FE
|
h
FE
C
敖包
C
IBO
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= 0.1毫安， V
CE
= 10伏
I
C
= 1.0毫安， V
CE
= 10伏
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10伏
I
C
= 150毫安， V
CE
= 10伏
I
C
= 500毫安， V
CE
= 10伏
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10伏
T
A
= -55
O
C
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
测试条件
V
CE
= 20伏，我
C
= 50毫安，
F = 100 MHz的
V
CE
= 10伏，我
C
= 1毫安，
F = 1千赫
V
CB
= 10伏，我
C
= 0 mA时，
100千赫< F < 1兆赫
V
EB
= 2.0伏特，我
E
= 0 mA时，
100千赫< F < 1兆赫
符号
V
（ BR ） CEO
I
CBO1
I
CBO2
I
CBO3
I
CES
I
EBO1
I
EBO2
测试条件
I
C
= 10毫安
V
CB
= 60伏
V
CB
= 50伏
V
CB
= 50伏，T
A
= 150
O
C
V
CE
= 40伏
V
EB
= 5伏
V
EB
= 3.5伏
民
40
10
20
20
1
10
50
典型值
最大
单位
伏
A
nA
A
A
A
nA
脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2.0%
直流电流增益
民
20
25
35
40
20
15
典型值
最大
175
120
单位
基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
动态特性
参数
震级 - 共发射极，短
电路正向电流传输比
小信号短路正向
电流传输比
开路输出电容
开路输入电容
开关特性
饱和导通时间
饱和的关断时间
1.3
2.6
0.4
1.6
伏
伏
民
2.0
25
典型值
最大
单位
8
30
pF
pF
45
300
ns
ns
Copyright 2002年
牧师
Semicoa半导体公司
麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
第2页2
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2N2906
2N2907
2N2906A
2N2907A
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
PNP硅晶体管
描述：
中央SEMICONDUCTOR 2N2906 ， 2N2907
系列类型PNP硅外延平面型晶体管
设计用于小信号，通用交换
应用程序。
标记：全部型号
TO- 18 CASE
2N2906
2N2907
60
40
5.0
600
400
1.8
-65到+200
438
97
2N2906A
2N2907A
60
60
最大额定值：
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
功耗
功率耗散（ TC = 25°C ）
工作和存储结温
热阻
热阻
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
Θ
JC
单位
V
V
V
mA
mW
W
°C
° C / W
° C / W
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
2N2906
2N2907
符号
测试条件
民
最大
ICBO
VCB=50V
-
20
ICBO
VCB = 50V ， TA = 150℃
-
20
ICEV
VCE = 30V ， VEB = 0.5V
-
50
BVCBO
IC=10μA
60
-
BVCEO
BVEBO
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
fT
COB
兴业银行
吨
花花公子
IC=10mA
IE=10μA
IC = 150毫安， IB = 15毫安
IC = 500毫安， IB = 50毫安
IC = 150毫安， IB = 15毫安
IC = 500毫安， IB = 50毫安
VCE = 20V ， IC = 50mA时F = 100MHz的
VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的
VEB = 2.0V ， IC = 0 ， F = 1.0MHz的
VCC = 30V ， IC = 150毫安， IB1 = 15毫安
VCC = 6.0V ， IC = 150毫安， IB1 = IB2 = 15毫安
40
5.0
-
-
-
-
200
-
-
-
-
-
-
0.4
1.6
1.3
2.6
-
8.0
30
45
100
2N2906A
2N2907A
民
最大
-
10
-
10
-
50
60
-
60
5.0
-
-
-
-
200
-
-
-
-
-
-
0.4
1.6
1.3
2.6
-
8.0
30
45
100
单位
nA
μA
nA
V
V
V
V
V
V
V
兆赫
pF
pF
ns
ns
R4 （ 2012年30月）
2N2906
2N2907
2N2906A
2N2907A
PNP硅晶体管
电气特性 - 续：
(TA=25°C)
符号
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
测试条件
VCE = 10V ， IC = 0.1毫安（ 2N2906 ， 2N2907 ）
VCE = 10V ， IC = 0.1毫安（ 2N2906A ， 2N2907A ）
VCE=10V,
VCE=10V,
VCE=10V,
VCE=10V,
VCE=10V,
VCE=10V,
VCE=10V,
IC = 1.0毫安（ 2N2906 ， 2N2907 ）
IC = 1.0毫安（ 2N2906A ， 2N2907A ）
IC = 10毫安（ 2N2906 ， 2N2907 ）
IC = 10毫安（ 2N2906A ， 2N2907A ）
IC=150mA
IC = 500毫安（ 2N2906 ， 2N2907 ）
IC = 500毫安（ 2N2906A ， 2N2907A ）
2N2906
2N2906A
民
最大
20
-
40
-
25
40
35
40
40
20
40
-
-
-
-
120
-
-
2N2907
2N2907A
民
最大
35
-
75
-
50
100
75
100
100
30
50
-
-
-
-
300
-
-
TO- 18案例 - 机械外形
前导码：
1 ）发射
2 ）基
3 ）集电极
标记：全部型号
R4 （ 2012年30月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
硅平面外延
PNP晶体管
2N2906A
低功耗
密封TO- 18金属封装。
非常适合用于高速开关
和通用应用
筛选选项可用
绝对最大额定值
（ TA = 25° C除非另有说明）
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
PD
TJ
TSTG
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
TA = 25°C
在总功率耗散
减免上述25℃
TC = 25°C
在总功率耗散
减免上述25℃
结温范围
存储温度范围
-60V
-60V
-5V
-600mA
400mW
2.3mW/°C
1.8W
10.3mW/°C
-65到+ 200℃
-65到+ 200℃
热性能
符号
R
θJA
R
θJC
参数
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
分钟。
典型值。
马克斯。
437.5
97.2
单位
° C / W
° C / W
Semelab有限公司保留随时更改测试条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。
提供的信息Semelab被认为是既准确又可靠，在即将出版的时间。但
Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。 Semelab鼓励客户
验证数据表是在下订单之前电流。
Semelab有限公司
考文垂路，拉特沃思，莱斯特郡， LE17 4JB
电话：+44（ 0 ） 1455 556565
传真：+44（ 0 ） 1455 552612
电子邮件：
sales@semelab-tt.com
文档编号6299
问题2
第1页3
网址：
http://www.semelab-tt.com
硅平面外延
PNP晶体管
2N2906A
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
V（ BR ） CEO
(1)
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 基
击穿电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
集电极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和
电压
测试条件
IC = -10mA
IC = -10μA
IE = -10μA
VCE = -30V
VCB = -50V
IB = 0
IE = 0
IC = 0
VBE = -0.5V
IE = 0
TA = 150℃
IC = -150mA
IC = -500mA
IC = -150mA
IC = -500mA
IC = -0.1mA
IC = -1.0mA
IB = -15mA
IB = -50mA
IB = -15mA
IB = -50mA
VCE = -10V
VCE = -10V
VCE = -10V
VCE = -10V
VCE = -10V
分钟。
-60
-60
-5
典型值
马克斯。
单位
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICEX
ICBO
(1)
V
-50
-10
-10
-0.4
-1.6
-1.3
-2.6
40
40
40
40
40
120
nA
A
VCE （ SAT ）
V
VBE （ SAT ）
(1)
的hFE
(1)
正向电流传输
比
IC = -10mA
IC = -150mA
IC = -500mA
动态特性
fT
跃迁频率
IC = -50mA
F = 100MHz的
输出电容
VCB = -10V
F = 1.0MHz的
输入电容
VEB = -2V
F = 1.0MHz的
开启时间
IC = -150mA
IB1 = -15mA
IC = -150mA
VCC = -30V
VCC = -30V
45
ns
300
IC = 0
30
IE = 0
8
pF
VCE = -20V
170
兆赫
科博
CIBO
吨
花花公子
打开-O FF时间
IB1 = - IB2 = -15mA
笔记
（1 ）脉冲宽度
≤
300us,
δ ≤
2%
Semelab有限公司
考文垂路，拉特沃思，莱斯特郡， LE17 4JB
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文档编号6299
问题2
分页： 1 2 3
硅平面外延
PNP晶体管
2N2906A
机械数据
尺寸mm （英寸）
5.84 (0.230)
5.31 (0.209)
4.95 (0.195)
4.52 (0.178)
0.48 (0.019)
0.41 (0.016)
DIA 。
2.54 (0.100)
喃。
3
2
1
TO- 18 （ TO- 206AA ）金属封装
仰视图
引脚1 - 发射极
引脚2 - 基
3脚 - 集电极
Semelab有限公司
考文垂路，拉特沃思，莱斯特郡， LE17 4JB
电话：+44（ 0 ） 1455 556565
传真：+44（ 0 ） 1455 552612
电子邮件：
sales@semelab-tt.com
12.7 (0.500)
分钟。
5.33 (0.210)
4.32 (0.170)
网址：
http://www.semelab-tt.com
文档编号6299
问题2
第3页3
PNP 2N2906 - 2N2906A
一般通用放大器晶体管
该2N2906和2N2906A是PNP晶体管安装在TO-18金属封装。
他们的目的是用于高速开关和一般用途的应用。
NPN互补是2N2221和2N2221A 。
符合RoHS指令
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
评级
集电极 - 发射极电压（I
B
=0)
集电极 - 基极电压（I
E
=0)
发射极 - 基极电压（I
C
=0)
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
T
AMB
= 25°
-40
价值
2N2906
2N2906A
-60
-60
-5
-600
-800
-200
0.4
1.2
200
-65到+150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
W
W
°C
°C
°C
P
D
总功耗
T
例
= 25°
T
J
T
英镑
T
AMB
结温
存储温度范围
工作环境温度
热特性
符号
R
THJ -A
R
THJ -C
评级
热阻，结到环境中的自由空气
热阻，结到外壳
价值
438
146
单位
° C / W
° C / W
PNP 2N2906 - 2N2906A
开关时间
符号
t
on
t
d
t
r
t
关闭
T
s
T
f
评级
开启时间
延迟时间
上升时间
打开-O FF时间
贮存时间
下降时间
测试条件（S ）
I
CON
= -150毫安
I
BON
= -15毫安
I
B关
= 15毫安
民
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
45
15
35
300
250
50
单位
ns
器的机械数据案例TO- 18 （ PNP ）
外形尺寸（mm ）
民
A
B
C
D
E
F
G
H
I
L
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
案例：
12.7
-
0.9
-
-
-
2.54
-
-
45°
最大
-
0.49
-
5.3
4.9
5.8
-
1.2
1.16
-
辐射源
BASE
集热器
集热器
修订后的2012年8月
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，半导体COMSET承担的后果不承担任何责任
利用这些信息，也没有对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利。资料如有变更，
恕不另行通知。 COMSET半导体公司对于其产品适用于任何特定的任何保证，声明或担保
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所有责任，包括但不限于间接或附带损失。 COMSET半导体的产品不授权使用的关键
组件生命支持设备或系统。
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01/10/2012
半导体COMSET
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