2SK2961
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（L
-π - MOSV ）
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2SK2961
继电器驱动器，电机驱动器和DC- DC转换器
应用
单位：mm
低漏源导通电阻
高正向转移导纳
: R
DS （ ON）
= 0.2
（典型值）。
: |Y
fs
| = 2.0 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 100
μA
(V
DS
= 60 V)
增强型： V
th
= 0.8~2.0 V (V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
T
ch
T
英镑
等级
60
60
±20
2.0
6.0
0.9
150
55~150
单位
V
V
V
A
W
°C
°C
脉冲（注1 ）
JEDEC
JEITA
东芝
TO-92MOD
—
2-5J1C
重量：0.58克（典型值）。
注意：
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道至
环境
符号
R
第（章-a）的
最大
138
单位
C / W
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
此晶体管是静电感应装置。
请谨慎操作。
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2006-11-17
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