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2SK2890-01
FAP -IIIB系列
＆ GT ;产品特点
-
-
-
-
-
HIGH CURRENT
低导通电阻
无二次击穿
低驱动功率
额定雪崩
N沟道MOS - FET的
30V
0,0105
±50A
50W
＆ GT ;外形图
＆ GT ;应用程序
- 电机控制
- 通用功率放大器
- DC-DC变换器
＆ GT ;最大额定值和特性
- 绝对最大额定值（T
C
=25°C),
除非另有说明
项
漏源电压
连续漏极电流
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
最大雪崩能量
马克斯。功耗
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
D（ PULS ）
V
GS
E
AV
P
D
T
ch
T
英镑
等级
30
±50
±200
±16
1441.5
50
150
-55 ~ +150
L=0.769mH,Vcc=12V
单位
V
A
A
V
兆焦耳*
W
°C
°C
- 电气特性（T
C
=25°C),
除非另有说明
项
漏源击穿电压
门门限电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
(t
on
=t
D（上）
+t
r
)
关断时间t
关闭
(t
on
=t
D（关闭）
+t
f
)
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
R
g
C
C
C
t
t
t
t
I
V
t
Q
GSS
DS （ ON）
fs
国际空间站
OSS
RSS
D（上）
r
D（关闭）
f
AV
SD
rr
rr
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
D
=1mA
V
DS =
V
GS
V
DS
=30V
T
ch
=25°C
V
GS
=0V
T
ch
=125°C
V
GS
=±16V
V
DS
=0V
I
D
=50A
V
GS
=4V
I
D
=50A
V
GS
=10V
I
D
=50A
V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
=15V
V
GS
=10V
I
D
=100A
R
GS
=10
T
ch
=25°C
L = 100μH
I
F
= 50A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 50A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
30
1,0
典型值。
1,5
10
0,2
10
8,0
马克斯。
2,0
500
1,0
100
10,5
5,3
35
70
3900
2000
850
17
70
250
180
1,0
65
0,12
6,8
5850
3000
1280
30
110
380
270
1,5
50
单位
V
V
A
mA
nA
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
A
V
ns
C
- 热特性
项
热阻
R
R
TH（ CH-C ）
第（章-a）的
符号
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
2,5
62,5
单位
° C / W
° C / W
N沟道MOS - FET的
30V
0,0105
±50A
50W
2SK2890-01
FAP -IIIB系列
漏极 - 源极导通电阻与T
ch
R
DS （ ON）
= F （T
ch
); I
D
= 50A ; V
GS
=10V
＆ GT ;特色
典型的输出特性
I
D
= F（V
DS
） ;为80μs脉冲试验;牛逼
C
=25°C
典型的传输特性
I
D
= F（V
GS
） ;为80μs脉冲试验; V
DS
= 25V ;牛逼
ch
=25°C
↑
I
D
[A]
↑
1
R
DS （ ON）
[m
]
↑
2
I
D
[A]
3
V
DS
[V]
→
T
ch
[°C]
→
V
GS
[V]
→
典型的漏源导通状态，电阻与我
D
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;为80μs脉冲试验;牛逼
C
=25°C
典型正向跨导与我
D
g
fs
= F（我
D
） ;为80μs脉冲试验; V
DS
= 25V ;牛逼
ch
=25°C
栅极阈值电压与T
ch
V
GS （ TH）
= F （T
ch
); I
D
= 1毫安; V
DS
=V
GS
↑
R
DS （ ON）
[m
]
↑
g
fs
[S]
↑
5
V
GS （ TH）
[V]
4
6
I
D
[A]
→
I
D
[A]
→
T
ch
[°C]
→
典型的电容与V
DS
C = F（V
DS
); V
GS
= 0V ; F = 1MHz的
典型栅极电荷特性
V
GS
= F量（Qg ） ;我
D
= 100A ;牛逼
C
=25°C
反向二极管的正向特性
I
F
= F（V
SD
） ;为80μs脉冲试验;牛逼
ch
=25°C
↑
C [ F]
↑
V
DS
[V]
↑
V
GS
[V]
↑
I
F
[A]
7
8
9
V
DS
[V]
→
QG [ NC ]
→
V
SD
[V]
→
最大雪崩能量与起始物为
ch
EAS = F （起始物为
ch
): V
CC
= 12V ;我
AV
≤ 50A
安全工作区
I
D
= F（V
DS
） ： D = 0.01 ， TC = 25℃
瞬态热阻抗
↑
E
AV
[兆焦耳]
10
↑
I
D
[A]
12
↑
Z
TH（ CH-C ）
〔 K / W〕
Z
thCH
= F（ t）的参数：D = T / T
起始物为
ch
[°C]
→
V
DS
[V]
→
T [ S]
→
此规格如有变更，恕不另行通知！
N沟道MOS - FET的
30V
0,0105
±50A
2SK2890-01
FAP -IIIB系列
典型的开关特性
T = F（我
D
): V
CC
= 15V, V
GS
= 10V ，R
G
= 10
50W
＆ GT ;特色
T [ NS ]
V
SD
[V]
→
功耗
P
D
= F （T
C
)
125
100
P
D
/ P
DMAX
[%]
75
50
25
0
0
25
50
75
T
C
[°C]
100
125
150
最大雪崩电流与起始物为
ch
I
AV
= F （起始物为
ch
)
120
100
I
AV
/ I
阿维马克斯
[%]
80
60
40
20
0
0
25
50
75
起始物为
ch
[°C]
100
125
150
此规格如有变更，恕不另行通知！
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2N5154
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2SK1341-E
27856
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