2N5551 / MMBT5551
2N5551
MMBT5551
C
E
C
B
TO-92
E
SOT-23
马克： 3S
B
NPN通用放大器
这个装置是专为通用高压放大器
与气体放电型显示驱动。从工艺16采购。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压
价值
160
180
6.0
600
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
2N5551
625
5.0
83.3
200
最大
*MMBT5551
350
2.8
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
2000仙童半导体国际
2N5551 / MMBT5551版本A
2N5551 / MMBT5551
NPN通用放大器
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极耐受电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
C
= 100
A,
I
E
= 0
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CB
= 120 V，I
E
= 0,
V
CB
= 120 V，I
E
= 0, T
A
= 100°C
V
EB
= 4.0 V，I
C
= 0
160
180
6.0
50
50
50
V
V
V
nA
A
nA
基本特征
h
FE
直流电流增益
I
C
= 1.0毫安， V
CE
= 5.0 V
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
I
C
= 50 mA时， V
CE
= 5.0 V
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5.0毫安
80
80
30
250
0.15
0.20
1.0
1.0
V
V
V
V
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
h
fe
NF
电流增益 - 带宽积
输出电容
输入电容
小信号电流增益
噪声系数
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10 V,
F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= 0,
F = 1.0 MHz的
V
BE
= 0.5 V，I
C
= 0,
F = 1.0 MHz的
I
C
= 1.0毫安， V
CE
= 10 V,
F = 1.0千赫
I
C
= 250
A,
V
CE
= 5.0 V,
R
S
= 1.0千欧， F = 10 Hz至15.7千赫
100
300
6.0
20
50
250
8.0
dB
兆赫
pF
pF
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
SPICE模型
NPN （ IS = 2.511f XTI = 3 =例如1.11 VAF = 100 BF = 242.6 NE = 1.249伊势= 2.511f IKF = 0.3458 XTB = 1.5 BR = 3.197 NC = 2
ISC = 0 Ikr的= 0 RC = 1 CJC = 4.883p建超= 0.3047 VJC = 0.75 FC = 0.5 CJE = 18.79p MJE = 0.3416 VJE = 0.75 TR表示1.202n铁蛋白= 560P
ITF = 50米VTF = 5 XTF = 8的Rb = 10 ）
TO- 92卷带式数据和包装尺寸
TO-92封装
CON组fi guration ：
图1.0
磁带和卷轴选项
FSCINT标签样本
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
LOT ：
CBVK741B019
HTB ： B
数量：
10000
参见图2.0不同
缫丝样式
NSID ：
PN2222N
产品规格：
D / C1 ：
D9842
SPEC REV ：
QA REV ：
B2
FSCINT
LABEL
（ FSCINT ）
5卷轴元
中级盒
F63TNR
LABEL
定制
LABEL
375毫米X 267毫米X 375毫米
中级盒
F63TNR标签样本
LOT ： CBVK741B019
FSID ： PN222N
D / C1 ： D9842
D / C2 ：
QTY1 ：
QTY2 ：
数量： 2000
产品规格：
SPEC REV ：
CPN ：
N / F： F
定制
LABEL
(F63TNR)3
TO- 92 TNR / AMMO包装INFROMATION
填料
REEL
风格
A
E
弹药
M
P
QUANTITY
2,000
2,000
2,000
2,000
EOL代码
D26Z
D27Z
D74Z
D75Z
弹药盒OPTION
参见图3.0为2弹药
包选项
单位重量
= 0.22克
卷重量组件
= 1.04千克
弹药的重量与分量= 1.02公斤
每间箱= 10000台最大数量
FSCINT
LABEL
327毫米X 158毫米X 135毫米
立即盒
定制
LABEL
5弹药盒每
中级盒
F63TNR
LABEL
333毫米X 231毫米X 183毫米
中级盒
定制
LABEL
（ TO- 92 ）批量包装信息
EOL
CODE
J18Z
J05Z
NO EOL
CODE
描述
TO- 18 OPTION STD
TO- 5 OPTION STD
TO- 92标准
直
LEADCLIP
维
不含铅CLIP
不含铅CLIP
NO LEADCLIP
QUANTITY
2.0 K /盒
1.5 K /盒
2.0 K /盒
BULK选项
请参阅批量包装
信息表
防静电
泡泡表
FSCINT标签
2000个单位
EO70盒
std选项
114毫米X 102毫米X 51毫米
立即盒
5 EO70每个盒子
中级盒
530毫米X 130毫米X 83毫米
中级盒
定制
LABEL
FSCINT标签
最高1万台
每间箱
性病选项
1999年9月，修订版A
2N5551 / MMBT5551
2N5551
MMBT5551
C
E
C
B
TO-92
E
SOT-23
马克： 3S
B
NPN通用放大器
这个装置是专为通用高压放大器
与气体放电型显示驱动。从工艺16采购。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压
价值
160
180
6.0
600
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
2N5551
625
5.0
83.3
200
最大
*MMBT5551
350
2.8
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
2000仙童半导体国际
2N5551 / MMBT5551版本A
2N5551 / MMBT5551
NPN通用放大器
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极耐受电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
C
= 100
A,
I
E
= 0
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CB
= 120 V，I
E
= 0,
V
CB
= 120 V，I
E
= 0, T
A
= 100°C
V
EB
= 4.0 V，I
C
= 0
160
180
6.0
50
50
50
V
V
V
nA
A
nA
基本特征
h
FE
直流电流增益
I
C
= 1.0毫安， V
CE
= 5.0 V
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
I
C
= 50 mA时， V
CE
= 5.0 V
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5.0毫安
80
80
30
250
0.15
0.20
1.0
1.0
V
V
V
V
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
h
fe
NF
电流增益 - 带宽积
输出电容
输入电容
小信号电流增益
噪声系数
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10 V,
F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= 0,
F = 1.0 MHz的
V
BE
= 0.5 V，I
C
= 0,
F = 1.0 MHz的
I
C
= 1.0毫安， V
CE
= 10 V,
F = 1.0千赫
I
C
= 250
A,
V
CE
= 5.0 V,
R
S
= 1.0千欧， F = 10 Hz至15.7千赫
100
300
6.0
20
50
250
8.0
dB
兆赫
pF
pF
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
SPICE模型
NPN （ IS = 2.511f XTI = 3 =例如1.11 VAF = 100 BF = 242.6 NE = 1.249伊势= 2.511f IKF = 0.3458 XTB = 1.5 BR = 3.197 NC = 2
ISC = 0 Ikr的= 0 RC = 1 CJC = 4.883p建超= 0.3047 VJC = 0.75 FC = 0.5 CJE = 18.79p MJE = 0.3416 VJE = 0.75 TR表示1.202n铁蛋白= 560P
ITF = 50米VTF = 5 XTF = 8的Rb = 10 ）
TO- 92卷带式数据和包装尺寸
TO-92封装
CON组fi guration ：
图1.0
磁带和卷轴选项
FSCINT标签样本
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
LOT ：
CBVK741B019
HTB ： B
数量：
10000
参见图2.0不同
缫丝样式
NSID ：
PN2222N
产品规格：
D / C1 ：
D9842
SPEC REV ：
QA REV ：
B2
FSCINT
LABEL
（ FSCINT ）
5卷轴元
中级盒
F63TNR
LABEL
定制
LABEL
375毫米X 267毫米X 375毫米
中级盒
F63TNR标签样本
LOT ： CBVK741B019
FSID ： PN222N
D / C1 ： D9842
D / C2 ：
QTY1 ：
QTY2 ：
数量： 2000
产品规格：
SPEC REV ：
CPN ：
N / F： F
定制
LABEL
(F63TNR)3
TO- 92 TNR / AMMO包装INFROMATION
填料
REEL
风格
A
E
弹药
M
P
QUANTITY
2,000
2,000
2,000
2,000
EOL代码
D26Z
D27Z
D74Z
D75Z
弹药盒OPTION
参见图3.0为2弹药
包选项
单位重量
= 0.22克
卷重量组件
= 1.04千克
弹药的重量与分量= 1.02公斤
每间箱= 10000台最大数量
FSCINT
LABEL
327毫米X 158毫米X 135毫米
立即盒
定制
LABEL
5弹药盒每
中级盒
F63TNR
LABEL
333毫米X 231毫米X 183毫米
中级盒
定制
LABEL
（ TO- 92 ）批量包装信息
EOL
CODE
J18Z
J05Z
NO EOL
CODE
描述
TO- 18 OPTION STD
TO- 5 OPTION STD
TO- 92标准
直
LEADCLIP
维
不含铅CLIP
不含铅CLIP
NO LEADCLIP
QUANTITY
2.0 K /盒
1.5 K /盒
2.0 K /盒
BULK选项
请参阅批量包装
信息表
防静电
泡泡表
FSCINT标签
2000个单位
EO70盒
std选项
114毫米X 102毫米X 51毫米
立即盒
5 EO70每个盒子
中级盒
530毫米X 130毫米X 83毫米
中级盒
定制
LABEL
FSCINT标签
最高1万台
每间箱
性病选项
1999年9月，修订版A
2N5551 / MMBT5551 - NPN通用放大器
2013年6月
2N5551 / MMBT5551
NPN通用放大器
描述
该器件是专为通用高压
放大器和气体放电的显示驱动程序。
2N5551
MMBT5551
3
2
TO-92
1
SOT-23
标记： 3S
1.底座2.辐射源3.收藏家
订购信息
(1)
产品型号
2N5551TA
2N5551TFR
2N5551TF
2N5551BU
MMBT5551
顶标
5551
5551
5551
5551
3S
包
TO-92 3L
TO-92 3L
TO-92 3L
TO-92 3L
SOT- 23 3L
包装方法
弹药
磁带和卷轴
磁带和卷轴
体积
磁带和卷轴
注意：
1.后缀“ -C ”是指中心收集的2N5551 （ 1辐射源2.收藏家3.基地）
后缀为“ -Y ”组件H
FE
180 2N5551 240 （测试条件：我
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V)
2009仙童半导体公司
2N5551 / MMBT5551版本1.1.0
1
www.fairchildsemi.com
2N5551 / MMBT5551 - NPN通用放大器
绝对最大额定值
(2)
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能无法正常运行或操作
竹叶提取高于推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。此外
化，长期暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。该
绝对最大额定值仅为应力额定值。值是在T
A
= 25_C除非另有说明。
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
stg(2)
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
参数
价值
160
180
6
600
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
连续集电极电流 -
结温和存储温度
注意事项：
2.这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
3.这些评级是基于150的最高结温
°C.
这些都是稳定状态的限制。飞兆半导体应在涉及脉冲应用咨询
或低工作周期操作。
热特性
值是在T
A
= 25_C除非另有说明。
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
参数
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大
2N5551
625
5.0
83.3
200
357
MMBT5551
350
2.8
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
2009仙童半导体公司
2N5551 / MMBT5551版本1.1.0
2
www.fairchildsemi.com
2N5551 / MMBT5551 - NPN通用放大器
电气特性
(4)
值是在T
A
= 25_C除非另有说明。
符号
开关特性
参数
测试条件
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
C
= 100
μA,
I
E
= 0
I
E
= 10
μA,
I
C
= 0
V
CB
= 120 V，I
E
= 0
V
CB
= 120 V，I
E
= 0, T
A
= 100°C
V
EB
= 4.0 V，I
C
= 0
I
C
= 1.0毫安， V
CE
= 5.0 V
分钟。
160
180
6.0
马克斯。
单位
V
V
V
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
50
50
50
80
80
30
0.15
0.20
1.0
1.0
250
nA
μA
nA
基本特征
h
FE
直流电流增益
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
I
C
= 50 mA时， V
CE
= 5.0 V
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10 V,
F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
V
BE
= 0.5 V，I
C
= 0中，f = 1.0兆赫
I
C
= 1.0毫安， V
CE
= 10 V ， F = 1.0千赫
I
C
= 250
μA,
V
CE
= 5.0 V,
R
S
= 1.0千欧， F = 10 Hz至15.7千赫
50
V
V
V
V
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
H
fe
NF
注意：
4， PCB电路板尺寸FR- 4 76× 114 ×0.6毫米牛逼
3
（ 3.0英寸
×
4.5英寸
×
0.062英寸），最小尺寸的焊盘布局。
电流增益带宽积
输出电容
输入电容
小信号电流增益
噪声系数
100
6.0
20
250
8.0
dB
兆赫
pF
pF
2009仙童半导体公司
2N5551 / MMBT5551版本1.1.0
3
www.fairchildsemi.com
2N5551 / MMBT5551 - NPN通用放大器
典型性能特性
250
125 C
100 C
200
o
o
V
CE
=5V
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极电压[ V]
10
?
10
h
FE
- 直流电流增益
75 C
150
o
1
β
100 C
o
25 C
100
o
125 C
o
-40 C
50
o
0.1
-40 C
0.01
1
o
25 C
o
75 C
o
0
1
10
100
1000
10
100
I
C
- 集电极电流[mA ]
I
C
- 集电极电流[mA ]
图1.典型的脉冲电流增益与集电极
当前
1.0
图2.集电极 - 发射极饱和电压与
集电极电流
1.2
V
BE （ SAT ）
- 基极发射极电压（V）
V
BE（上）
- 基极发射极电压（V）
β
-40
o
C
0.8
1.0
T
A
= -40 C
T
A
= 25 C
o
o
25 C
o
0.8
0.6
125 C
100 C
75 C
o
o
o
0.6
T
A
= 75 C
T
A
= 100 C
o
o
0.4
0.4
T
A
= 125 C
o
0.2
0.2
1
10
100
0.0
1
10
100
1000
I
C
- 集电极电流[mA ]
I
C
- 集电极电流[mA ]
图3.基射极饱和电压与
集电极电流
图4.基射极电压上与集电极
当前
100
I
CBO
- COLLE CTOR电流（ NA）
50
V
CB
= 100V
电容[ pF的]
10
10
C
IB
C
OB
1
25
50
75
100
T
A
- AMBIE NT TEMP ERATURE （
°
C)
125
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Ω
反向偏置电压[V]的
图5.集电极截止电流与环境
温度
图6.输入和输出电容与反向
电压
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典型性能特性
（续）
BV
CER
- 击穿电压（ V）
260
h
FE
- 小信号电流增益
发射基之间
I
C
= 1.0毫安
VS集电极电流
16
FREG = 20 MHz的
V
CE
= 10V
240
220
200
180
160
0.1
12
8
4
1
10
100
1000
0
电阻（K
Ω
)
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
50
图7.集电极 - 发射极击穿电压
与发射极 - 基极之间电阻
700
图8.小信号电流增益与集电极
当前
P
D
- 功耗（MW ）
600
500
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
温度（
o
C)
125
150
SOT-23
TO-92
图9.功耗与环境
温度
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