2SK2782
东芝场效应晶体管
硅N沟道MOS型（L
-π - MOSV ）
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2SK2782
斩波稳压器， DC / DC转换器和电机驱动器
应用
4 V栅极驱动
低漏源导通电阻
高正向转移导纳
增强型
: R
DS （ ON）
= 0.039
（典型值）。
: |Y
fs
| = 11 S（典型值）。
单位：mm
低漏电流：I
DSS
= 100
μA
（最大值） （Ⅴ
DS
= 60 V)
: V
th
= 0.8~2.0 V (V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
脉冲（注1 ）
等级
60
60
±20
20
50
40
156
20
4
150
55~150
单位
V
V
V
A
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
漏极功耗（ TC = 25 ° C）
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-64
2-7B5B
重量：0.58克（典型值）。
注意：
在重负载下连续使用（高如应用程序
温度/电流/电压和温度的显著变化等）
可能会导致该产品的可靠性降低显著即使
的操作条件（即工作温度/电流/电压等）是
内的绝对最大额定值。请设计适当的可靠性
经审查东芝半导体可靠性手册（ “处理
注意事项“ /降级的概念和方法）和个人可靠性数据（即
可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至
环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
3.125
125
单位
C / W
C / W
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-64
2-7B7B
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ： V
DD
= 25 V ，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 530
μH,
R
G
= 25
,
I
D
= 20 A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道
温度
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
重量：0.58克（典型值）。
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2006-11-17
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