【2SK2691-01R特点高速开关低导通电阻无二次击穿低驱动功率高压雪崩型FUJI功率MOSFETN】,IC型号2SK2691-01R,2SK2691-01R PDF资料,2SK2691-01R经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SK2691-01R

特点

高速开关

低导通电阻

无二次击穿

低驱动功率

高压

雪崩型

FUJI功率MOSFET

N沟道硅功率MOSFET

FAP -IIIB系列

外形图

TO-3PF

应用

开关稳压器

DC- DC转换器

通用功率放大器

最大额定值和特性

绝对最大额定值（TC = 25 ° C除非另有说明）

项

漏源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

栅极 - 源极电压峰值

最大雪崩能量

最大功率耗散

工作和存储

温度范围

符号

D [ PULS ]

英镑

等级

±70

±280

±20

685

100

+150

-55到+150

单位

备注

°C

* 1 L = 0.186mH ， VCC = 24V

等效电路示意

漏极（D ）

栅极（G ）

源极（S ）

电气特性（T

= 25 ° C除非另有规定编）

项

漏源击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

开启时间

打开-O FF时间

雪崩能力

二极管正向导通电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号

（ BR ） DSS

GS （ TH）

DSS

GSS

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

测试条件

=1mA

=0V

=1mA

=60V

=0V

=20V V

=0V

=40A

=10V

=40A

=25V

=0V

f=1MHz

= 30V

=10

=75A

=10V

L=100H

=25°C

分钟。

1.0

=25°C

=125°C

=4V

=10V

典型值。

1.5

0.2

7.5

3500

1250

360

190

110

1.15

0.17

马克斯。

2.0

500

1.0

100

5250

1870

540

120

285

165

1.65

120

单位

= 160A V

= 0V牛逼

=25°C

=80A

-di / DT = 100A / μs的牛逼

=25°C

热特性

项

热阻

www.fujielectric.co.jp/fdt/scd

符号

TH（ CH-C ）

第（章-a）的

分钟。

典型值。

马克斯。

1.25

30.0

单位

° C / W

FUJI功率MOSFET

特征

2SK2691-01R

FUJI功率MOSFET

2SK2691-01R

FUJI功率MOSFET

2SK2691-01R

2SK2691-01R

FAP -IIIB系列

＆ GT ;产品特点

HIGH CURRENT

低导通电阻

无二次击穿

低驱动功率

额定雪崩

N沟道MOS - FET的

60V

0,01

70A

100W

＆ GT ;外形图

＆ GT ;应用程序

- 电机控制

- 通用功率放大器

- DC-DC变换器

＆ GT ;最大额定值和特性

- 绝对最大额定值（T

=25°C),

除非另有说明

项

漏源电压

连续漏极电流

漏电流脉冲

栅极 - 源极电压

最大雪崩能量

马克斯。功耗

工作和存储温度范围

符号

D（ PULS ）

英镑

等级

280

±20

685

100

150

-55 ~ +150

* L = 0,186mH ，V

=24V

＆ GT ;等效电路

单位

兆焦耳*

°C

- 电气特性（T

=25°C),

除非另有说明

项

漏源击穿电压

门门限电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通时间t

D（上）

)

关断时间t

关闭

D（关闭）

)

雪崩能力

二极管正向导通电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号

（ BR ） DSS

GS （ TH）

DSS

GSS

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

测试条件

=1mA

=0V

=1mA

DS =

=60V

=25°C

=0V

=125°C

=±20V

=0V

=40A

=4V

=10V

=40A

=25V

=0V

f=1MHz

=30V

=75A

=10V

=10

=25°C

L = 100μH

= 160A V

= 0V牛逼

=25°C

= 80A V

=0V

- 二

/ DT = 100A / μs的牛逼

=25°C

分钟。

1,0

典型值。

1,5

0,2

0,012

0,0075

3500

1250

360

190

110

1,15

0,17

马克斯。

2,0

500

1,0

100

0,017

0,01

5250

1870

540

120

285

165

1,65

120

单位

- 热特性

项

热阻

符号

第（章-a）的

TH（ CH-C ）

测试条件

通道的空气

渠道情况

分钟。

典型值。

马克斯。

1,25

单位

° C / W

Collmer半导体 - P.O.箱702708 - 德克萨斯州达拉斯 - 75370 - 972.233.1589 - 972.233.0481传真 - www.collmer.com - 九十八分之一十一

N沟道MOS - FET的

60V

0,01

2SK2691-01R

FAP -IIIB系列

漏极 - 源极导通电阻与T

DS （ ON）

= F （T

); I

= 40A ; V

=10V

70A

100W

＆ GT ;特色

典型的输出特性

= F（V

） ;为80μs脉冲试验;牛逼

=25°C

典型的传输特性

= F（V

） ;为80μs脉冲试验; V

= 25V ;牛逼

=25°C

↑

[A]

↑

DS （ ON）

[m]

↑

[A]

[V]

→

[°C]

→

[V]

→

典型的漏源导通状态，电阻与我

DS （ ON）

= F（我

） ;为80μs脉冲试验;牛逼

=25°C

典型正向跨导与我

= F（我

） ;为80μs脉冲试验; V

= 25V ;牛逼

=25°C

栅极阈值电压与T

GS （ TH）

= F （T

); I

= 1毫安; V

↑

DS （ ON）

[m]

↑

[S]

↑

GS （ TH）

[V]

[A]

→

[A]

→

[°C]

→

典型的电容与V

C = F（V

); V

= 0V ; F = 1MHz的

典型栅极电荷特性

= F量（Qg ） ;我

= 80A ;牛逼

=25°C

反向二极管的正向特性

= F（V

） ;为80μs脉冲试验;牛逼

=25°C

↑

C [ F]

↑

[V]

↑

[V]

↑

[A]

[V]

→

QG [ NC ]

→

[V]

→

最大雪崩能量与起始物为

= F （起始物为

): V

= 24V ;我

≤

70A

安全工作区

= F（V

）： D = 0.01 ， TC = 25℃

↑

TH（ CH-C ）

〔 K / W〕

瞬态热阻抗

thCH

= F（ t）的参数：D = T / T

↑

[兆焦耳]

↑

[A]

起始物为

[°C]

→

[V]

→

T [ S]

→

此规格如有变更，恕不另行通知！

N沟道MOS - FET的

60V

0,01

2SK2691-01R

FAP -IIIB系列

功耗

= F （T

)

70A

100W

＆ GT ;特色

125

100

/ P

DMAX

[%]

[°C]

100

125

150

最大雪崩电流与起始物为

= F （起始物为

)

110

100

/ I

阿维马克斯

[%]

起始物为

[°C]

100

125

150

此规格如有变更，恕不另行通知！

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