功率晶体管
2SB0949
(2SB949)
， 2SB0949A
(2SB949A)
PNP硅外延平面型达林顿
4.2
±0.2
单位：mm
0.7
±0.1
10.0
±0.2
5.5
±0.2
4.2
±0.2
2.7
±0.2
对于功率放大和开关
补充2SD1275和2SD1275A
高正向电流传输比H
FE
高速开关
这可以用一个螺钉被安装到散热器的全包包
16.7
±0.3
7.5
±0.2
■
特点
φ
3.1
±0.1
浸焊
(4.0)
14.0
±0.5
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压
（发射极开路）
2SB0949
2SB0949A
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
T
C
=
25°C
P
C
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
等级
60
80
60
80
5
2
4
35
2
150
55
to
+150
°C
°C
V
A
A
W
V
单位
V
1.4
±0.1
1.3
±0.2
0.5
+0.2
–0.1
0.8
±0.1
2.54
±0.3
5.08
±0.5
集电极 - 发射极电压2SB0949
（基地开）
2SB0949A
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
集电极电源
耗散
结温
储存温度
1 2 3
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
EIAJ ： SC- 67
TO- 220F -A1套餐
内部连接
C
B
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 发射极电压
（基地开）
基射极电压
集电极 - 基极截止
电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止
电流（基地开）
2SB0949
2SB0949A
2SB0949
2SB0949A
I
EBO
h
FE1
h
FE2 *
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
V
CE （ SAT ）
f
T
t
on
t
英镑
t
f
I
首席执行官
2SB0949
2SB0949A
V
BE
I
CBO
V
CE
= 4
V，I
C
= 2
A
V
CB
= 60
V，I
E
=
0
V
CB
= 80
V，I
E
=
0
V
CE
= 30
V，I
B
=
0
V
CE
= 40
V，I
B
=
0
V
EB
= 5
V，I
C
=
0
V
CE
= 4
V，I
C
= 1
A
V
CE
= 4
V，I
C
= 2
A
I
C
= 2
A，I
B
= 8
mA
V
CE
= 10
V，I
C
=
0.5 A，F
=
1兆赫
I
C
= 2
A，I
B1
= 8
妈，我
B2
=
8毫安
V
CC
= 50
V
20
0.4
1.5
0.5
1 000
1 000
符号
V
首席执行官
条件
I
C
= 30
妈，我
B
=
0
民
60
80
典型值
E
最大
单位
V
2.8
1
1
2
2
2
10 000
2.5
V
兆赫
s
s
s
mA
mA
V
mA
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * ：等级分类
秩
h
FE2
R
1 000 2 500
Q
P
2 000 5 000 4 000 10 000
注）括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期： 2003年4月
SJD00028BED
1
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如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
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电子设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器
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可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
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通知进行修改和/或改进。在您的设计，采购，或使用的最后阶段
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最新的规格满足您的要求。
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妈妈等级，工作电源电压的范围内，和热辐射特性。其它 -
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即使产品的保证值范围内使用，考虑到审议
分解，失效模式，可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上，如冗余设计，火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用
产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括
保质期的时间，让站在非密封件）同意在规格表后，
单独交流。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年七月
功率晶体管
P
C
- TA
50
–5
(1) T
C
= TA
（2）在一个100
×
100
×
2mm
铝散热器
（3）同一个50
×
50
×
2mm
铝散热器
（ 4 ）不带散热片
(P
C
=2W)
T
C
=25C
I
B
=–2.0mA
–1.8mA
–1.6mA
–1.4mA
–1.2mA
–1.0mA
- 0.8毫安
- 0.6毫安
–2
= 0.4毫安
2SB949 ， 2SB949A
I
C
— V
CE
–10
V
CE
=–4V
I
C
— V
BE
集电极耗散功率P
C
(W)
集电极电流I
C
(A)
30
–3
集电极电流I
C
(A)
40
–4
–8
–6
25C
–4
T
C
=100C
–25C
20
(1)
10
(3)
(4)
0
0
20
40
60
(2)
–1
= 0.2毫安
= 0.1毫安
–2
0
80 100 120 140 160
0
–1
–2
–3
–4
–5
0
0
– 0.8
–1.6
–2.4
–3.2
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
–100
I
C
/I
B
=250
–30
–10
–3
–1
T
C
=100C
–25C
25C
10
5
h
FE
— I
C
10000
C
ob
— V
CB
集电极输出电容C
ob
（PF ）
V
CE
=–4V
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25C
正向电流传输比H
FE
3000
1000
300
100
30
10
3
1
– 0.1 – 0.3
10
4
T
C
=100C
25C
–25C
10
3
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
10
2
–1
–3
–10
10
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
–1
–3
–10
–30
–100
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极基极电压V
CB
(V)
安全操作区（ ASO ）
–100
–30
10
3
非重复脉冲
T
C
=25C
R
日（T ）
— t
（ 1 ）不带散热片
（2）在一个100
×
100
×
2毫米铝散热片
(1)
热阻R
th
（吨）（ C / W）
集电极电流I
C
(A)
10
2
–10
I
CP
–3
I
C
–1
DC
t=1ms
10ms
10
(2)
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
–1
1
2SB949A
10
–1
2SB949
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
10
–2
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
3
10
4
集电极到发射极电压V
CE
(V)
时间t （S ）
2
QQ：2880707522 复制
