2SK2690-01
FAP -IIIB系列
＆ GT ;产品特点
-
-
-
-
-
HIGH CURRENT
低导通电阻
无二次击穿
低驱动功率
额定雪崩
N沟道MOS - FET的
60V
0,01
80A
125W
＆ GT ;外形图
＆ GT ;应用程序
- 电机控制
- 通用功率放大器
- DC-DC变换器
＆ GT ;最大额定值和特性
- 绝对最大额定值（T
C
=25°C),
除非另有说明
项
漏源电压
连续漏极电流
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
最大雪崩能量
马克斯。功耗
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
D（ PULS ）
V
GS
E
AV
P
D
T
ch
T
英镑
等级
60
80
320
±20
599
125
150
-55 ~ +150
* L = 0,125mH ，V
CC
=24V
＆ GT ;等效电路
单位
V
A
A
V
兆焦耳*
W
°C
°C
- 电气特性（T
C
=25°C),
除非另有说明
项
漏源击穿电压
门门限电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
(t
on
=t
D（上）
+t
r
)
关断时间t
关闭
(t
on
=t
D（关闭）
+t
f
)
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
R
g
C
C
C
t
t
t
t
I
V
t
Q
GSS
DS （ ON）
fs
国际空间站
OSS
RSS
D（上）
r
D（关闭）
f
AV
SD
rr
rr
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
D
=1mA
V
DS =
V
GS
V
DS
=60V
T
ch
=25°C
V
GS
=0V
T
ch
=125°C
V
GS
=±20V
V
DS
=0V
I
D
=40A
V
GS
=4V
V
GS
=10V
I
D
=40A
V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
=30V
I
D
=75A
V
GS
=10V
R
GS
=10
T
ch
=25°C
L = 100μH
I
F
= 160A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 80A V
GS
=0V
- 二
F
/ DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
60
1,0
典型值。
1,5
10
0,2
10
0,012
0,0075
55
3500
1250
360
15
75
190
110
1,15
75
0,17
马克斯。
2,0
500
1,0
100
0,017
0,01
5250
1870
540
23
120
285
165
1,65
120
25
80
单位
V
V
A
mA
nA
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
A
V
ns
C
- 热特性
项
热阻
符号
R
第（章-a）的
R
TH（ CH-C ）
测试条件
通道的空气
渠道情况
分钟。
典型值。
马克斯。
35
1,0
单位
° C / W
° C / W
Collmer半导体 - P.O.箱702708 - 德克萨斯州达拉斯 - 75370 - 972.233.1589 - 972.233.0481传真 - www.collmer.com - 九十八分之一十一
2SK2690-01
FAP -IIIB系列
＆ GT ;产品特点
-
-
-
-
-
HIGH CURRENT
低导通电阻
无二次击穿
低驱动功率
额定雪崩
N沟道MOS - FET的
60V
0,01
80A
125W
＆ GT ;外形图
＆ GT ;应用程序
- 电机控制
- 通用功率放大器
- DC-DC变换器
＆ GT ;最大额定值和特性
- 绝对最大额定值（T
C
=25°C),
除非另有说明
项
漏源电压
连续漏极电流
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
最大雪崩能量
马克斯。功耗
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
D（ PULS ）
V
GS
E
AV
P
D
T
ch
T
英镑
等级
60
80
320
±20
599
125
150
-55 ~ +150
* L = 0,125mH ，V
CC
=24V
＆ GT ;等效电路
单位
V
A
A
V
兆焦耳*
W
°C
°C
- 电气特性（T
C
=25°C),
除非另有说明
项
漏源击穿电压
门门限电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
(t
on
=t
D（上）
+t
r
)
关断时间t
关闭
(t
on
=t
D（关闭）
+t
f
)
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
R
g
C
C
C
t
t
t
t
I
V
t
Q
GSS
DS （ ON）
fs
国际空间站
OSS
RSS
D（上）
r
D（关闭）
f
AV
SD
rr
rr
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
D
=1mA
V
DS =
V
GS
V
DS
=60V
T
ch
=25°C
V
GS
=0V
T
ch
=125°C
V
GS
=±20V
V
DS
=0V
I
D
=40A
V
GS
=4V
V
GS
=10V
I
D
=40A
V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
=30V
I
D
=75A
V
GS
=10V
R
GS
=10
T
ch
=25°C
L = 100μH
I
F
= 160A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 80A V
GS
=0V
- 二
F
/ DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
60
1,0
典型值。
1,5
10
0,2
10
0,012
0,0075
55
3500
1250
360
15
75
190
110
1,15
75
0,17
马克斯。
2,0
500
1,0
100
0,017
0,01
5250
1870
540
23
120
285
165
1,65
120
25
80
单位
V
V
A
mA
nA
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
A
V
ns
C
- 热特性
项
热阻
符号
R
第（章-a）的
R
TH（ CH-C ）
测试条件
通道的空气
渠道情况
分钟。
典型值。
马克斯。
35
1,0
单位
° C / W
° C / W
Collmer半导体 - P.O.箱702708 - 德克萨斯州达拉斯 - 75370 - 972.233.1589 - 972.233.0481传真 - www.collmer.com - 九十八分之一十一
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